Резистивный материал Советский патент 1981 года по МПК H01C7/00 

Описание патента на изобретение SU834777A1

(54) РЕЗИСТИВШЛЙ МАТЕРИАЛ

Похожие патенты SU834777A1

название год авторы номер документа
Токопроводящий материал 1979
  • Базуев Геннадий Васильевич
  • Макарова Ольга Васильевна
  • Швейкин Геннадий Петрович
SU813542A1
Материал для терморезисторов 1982
  • Мельников Петр Петрович
  • Комиссарова Лидия Николаевна
  • Заугольникова Елена Григорьевна
  • Ибрагимов Шабатыр Бахрамович
SU1107179A1
ГОЗНАЯ 'П '^'ft:'';:, \-f "yj-;";'!:..,]; 1971
  • Ю. И. Василенок, А. С. Нова, Б. А. Коноплев Ш. Л. Лельчук
SU304263A1
Способ получения электропроводнойСАжи 1976
  • Эрих Шаллус
  • Герхард Митенс
  • Грегор Фукер
  • Юрген Петрель
  • Фридрих Вильгельм Дорн
SU839441A3
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНОГО ПОРОШКА КАРБИДА ТИТАНА 2014
  • Швейкин Геннадий Петрович
  • Николаенко Ирина Владимировна
  • Кедин Николай Александрович
RU2561614C1
РЕЗИСТИВНЫЙ КОМПОЗИТ 2012
  • Лопанов Александр Николаевич
  • Фанина Евгения Александровна
  • Кондакова Ольга Юрьевна
  • Гузеева Оксана Николаевна
RU2515507C1
КОМПОЗИЦИОННЫЙ НАНОМАТЕРИАЛ ДЛЯ ХИМИЧЕСКИХ ИСТОЧНИКОВ ТОКА И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ 2013
  • Воронов Всеволод Андреевич
  • Геллер Марк Михайлович
  • Губин Сергей Павлович
  • Корнилов Денис Юрьевич
  • Чеглаков Андрей Валерьевич
RU2536649C1
КОМПОЗИЦИОННЫЙ РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 2008
  • Волокитин Геннадий Георгиевич
  • Малиновская Татьяна Дмитриевна
  • Щеголь Сергей Степанович
  • Лаврентьев Иван Павлович
RU2364967C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УЛЬТРА-НАНОДИСПЕРСНОГО ПОРОШКА ОКСИДА ПЕРЕХОДНОГО МЕТАЛЛА ИЛИ СМЕСИ ОКСИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ 2008
  • Швейкин Геннадий Петрович
  • Николаенко Ирина Владимировна
RU2400428C2
ПЛАЗМЕННО-УГЛЕРОДНЫЙ СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ МЕТАЛЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2011
  • Кузьмин Михаил Григорьевич
  • Чередниченко Владимир Семенович
  • Носиков Александр Викторович
  • Носиков Григорий Александрович
RU2499848C2

Реферат патента 1981 года Резистивный материал

Формула изобретения SU 834 777 A1

1 1

Изобретение относится к электротехнике, в частности, к разработке резистивного материала на.основе токопроводящих сложных оксидов титана и редкоземельных элементов, который может быть использован, в качестве элементов электрических цепей.

Известен резистивный материал, состоящий из полуторного оксида титана , .

Недостатком известного материала является сложная температурная зависимость удельного электросопротивления, которое в интервале температур 29(1-473 К уменьшается от 1 до Ю тЭм-см и далее изменяется как у металлов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является резистивный материал на основе сложного оксида титана и редкоземельного элемента, ортотитанатов редкоземельных элементов, состава 1иТ10з, где LU - редкоземельный элемент, удельное электросопротивление которого при 290 К изменяется в зависимости от природы редкоземельного элемента от 810 Ом:см для LaTiOj до Ом-см для .

Однако в.ряду ортотитанатов редкоземельных элементов высокая электропроводность металлического типа характерна только для остальные соединения LuTiO-j, где Lu - редкоземельный элемент, от Се до Lu обладают более высоким удельным сопротивлением полупроводникового характера.

Цель изобретения - повышение электропроводности и расширение диапазона удельного сопротивления.

Поставленная цель достигается тем, что резистивный материал, содержащий окисел редкоземельного элемента; двуокись титана и ацетиленовую сажу, содержит исходные компоненты в следующих количествах, вес.%:

Окисел редкоземельного элемен58,72-66,99 та 30,69-40,78

Двуокись титана 0,3-4,53 ЛШетиленовая сажа

Предложенный резистивный матергиал получают путем спекания в вакууме смеси состоящей из диоксида титана, оксидов редкоземельных элементов и твердого углерода, используемого в качестве восстановителя Ti. Углерод берут с 15-20% избытком про тив стехиометрии. Исходный материал тщательно перемешивают, прессуют и прокаливают сначала в низком вакууме ( рт.ст.) при 1100-1200°С до прекращения выделени окиси угл.ерода, а затем в высоком вакууме ( - рт, ст.) при 1400с в течение 20-25 ч. Продукт перетирают, из него прессуют образц 1 пригодные для измерения сопротивления, которые, подвергают повторному отжигу при 1450С в течение 12-15 ч Ниже приведены конкретные пример получения резистивноцо материала предложенного состава и его характе ристики. Пример 1. 6,21 г диоксида церия ,, 4,12 г диоксида титана Т i и 0,25 г ацетиленовой сажи пере рают, таблетируют и прокаливают в вакууме рт.ст. при до полного прекращения вьщел ния окиси углерода, а затем в вакууме рт.ст,- при 1400С в течение 25 ч. Продукт перетирают, из него готовят образцы в виде параллелепипеда размером мм и подвергают дополнительному отжигу при в течение 12 ч. Получают материал состава Ceg-fiO-, содержащи 59,2 вёс.% , З,0 вес.% Т i 0 , остальное . Величина удельного сопротивления р при 290 К составляет. I-ID Ом-см. Пример 2. 7,2 г СеО, 3,4 ТiОд и 0,5 г ацетиленовой сажи обрабатывают, как в примере 1. Получа ют материал состава Ce ggTiO, содер жащий 69,4% , 0,1 riO., осталь ное с величиной удельного со противления / при 290 К равной 9-10 Ом-см. П ри ме р 3. 5,93 rPrgO, 4,11 г Т i 0/J и 0,03 г ацетиленовой сажи обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава Ргр-д ТЮд, содержащий 59,3% , 37,0 ,, остальное . Удельное сопротивление Р при 290 К составляет 210° Ом-см. П р им е р 4. 6,96 г Pr.jO, 3,38 г Т i и 0,25 г ацетиленовой сажи обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава , содержащий 69,5% Pr,, 0,1 tiO, остальное Т,0з, с величиной удельнс о сопротивления f при 290 К рав ной 1-10 Ом-см.

-3

9-10

,-ь

IlO

,-2

1-10

СеТЮз Пример 5. 5,98 г Nd,j,0, 4,06 г TiOjL и 0,03 г ацетиленовой сажи обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава NdojTiO , содержащий 59,8% , 36,5% TiO,., остальное , с величиной при 290 К равной 8..см. Пример 6..7,0 г , 3,40 г ТiОд и 0,25 г ацетиленовой сажи обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава Nd TiO-j , содержащий 70,0% , 0,1% TiO , остальное TiaO, с величиной удельного сопротивления Я при 290 К равной 1- 10 Ъм-см . Пример 7. 6,0 г 5т/2рз, 3,97 г Т10, и 0,03 г ацетиленовой обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава NdqgeTiOs,. содержащий 64,5% ,, 22,2% , остальное ЛдО-з, с величиной Р при 290 К 1-10- Ом.-см. Пример 8. 7,08 г 5пп2.0а,, 3,24 г 0,245 г ацетиленовой саяси обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава , содержащий 64,2% , 0,1%ЛО, остальное ,р при 290 К составляет 1 Ом-см. В таблице приведены значения удельного сопротивления предложенного резистивного материала состава при различных значениях X (О,7 X 1,0) и удельного сопротивления известного- резистивного материала состава LuTiO. Как следует из, таблицы, предложенные резистивные материалы на основе сложных оксидов титана и редкоземельных элементов состава Lu;(TiOg, где 0, 7 : X 1,0, обладают высокой электропроводностью металлического типа. Предлагаемый резистивный материал состава при 290 К имеет в 10-100 раз более высокую электропроводность, чем известный резистивный материал состава LuTiOj. Изменение содержания в предлагаемом резистивном материале редкоземельного металла обеспечивает расширение диапазона удельного сопротивления при сохранении одного и того же редкоземельного элемента. Так, , путем изменения X в Ns.TiOa от 1,00 до 0,8 получают материал с удельным сопротивлением при 290 К,, изменяющемся в диапазоне 1, 2-10 ОмСМ

окисел редкоземельного элемента, двуокись титана и ацетиленовую сажу, отличающийся тем, что, с целью повышения электропроводности и расширения диапазона удельного со-, противления, он содержит исходные компоненты в следующих количествах, вёс.%:

Окисел редкоземельного элемента 58,72-66,99

Продолжение таблицы

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Патент Японии 47961, .кл. Н 01 В 1/00, 1972.2.Базуев Г.В., Швейкин Г.П, Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1978, т. 14, вып. 2, 267 (прототип).

SU 834 777 A1

Авторы

Базуев Геннадий Васильевич

Макарова Ольга Васильевна

Швейкин Геннадий Петрович

Даты

1981-05-30Публикация

1978-11-24Подача