Способ визуализации инфракрасного излучения Советский патент 1983 года по МПК G02F2/02 

Изобретение относится к оптике а более конкретно к преобразовани . невидимого инфракрасного излучени (ИК-излучения }в излучение видимо диапазона длин волн {визуализация Известны способы визуализации ИК-излучения, основанньле на облуч нии антистоксовых люминофоров ИКлучением. Невидимое ИК-из-учение поглощается антистоксовым люминофо ром и непосредственно в нем преоб зуется в излучаемый им св ( антистоксово преобразование,) ij Наиболее существенным недостатк известных способов визуализации, препятствующим широкому практическому применению антистоксовых люми нофоров, является чрезвычайно низк эффективность антистоксова iipeo6разования, особенно при HeeoJibujoft интенсизности возбуждаюшего НК-и::;лучения. Например, для известных люминофоров эффективность аьггисток сова преобразования при моиности непрерывного возбуждг1гсцего iK-излучения 7,5 мВт f-ie превышает сотых долей процента. Наиболее близким техническим к изобретегик; с--;ита способ визу);;из ации 1;нфракрпс:1отч; излучения, основанный на облучении антистоксова люглинофора H i:J;r aKpacным излучением 2 . Недостатком eio влке1ся иеаысокая Э(11фективност антистоксоза преобразования в даньюм Л1-ми 1офо;х и невозможность управлеь ия интенсивностью его видимого свечения независимо от иь;тенсивности инфракрасного излучения. Целью изобретения я:;ляе.гс;:; i;o),ihi кие эффективности антистоксона пре образования Б данном люминофоров i управление интенсивностью его ииди мого све1-1ения независимо от пгге:- сивности иифрзкраеного излг.. Это достигается тем, что в cjuov бе визуа1 зации ипфрагчрасного иичу чения, основан(-ом на облучении ант стоксова ; юминофора и:чфракрасн,;м излучением, антистоксов люминофор подвергают воздейсгтвию ннешнего магнитного IIOJIH напряжеь:носты200-400 кЭ. На чертеже изображеЕга схема осу ществления способа визуализации, ИК-излучение Са.Лз ; Si диода 1 падает на антистоксов люмииоФОр Л-44 2, поглощается им и преобразуется в нем в видимое излучение, которое региетрируется дзотоумножите лем 3 и осциллографом 4 (видимое свечение люминофора можно также регистрировать непоередетвенно глазом ) Затем на люминофор 2 налагается BHeojHee магнитное поле от источника 5,что приводит к увеличению или к модуляции в случае пере.менного магнитного поля ) интенсивнс сти свечения люминофора. 1аложение внешнего магнитного поля на антистоксов люминофор приводгГ.г к увеличению его видимого сБе11ения , т,е, к повышению эффектизнсзсти антиетоксова преобразования г, самом люминофоре при постоянной интенсивности возбуждающего ИК-излучения и неизменных условиях зезбуждения. При этом сам источник ИК-из1гучения не подвергается дейстKKJO магнитного поля. (ение интенеивноети видимого свечения льэминофора тем больше, чем больше н апряже:-;ность налагаемого lia лкхмирюфср внешнего магнитного ;oj;;; и не зависит от iaпpaвJ;eния .:,1 ;итно1о мо.пя, 1аложение на люмино0-Ji пс;ремен К)го магнитного поля при К5ДИ к МОДуЛЯ1и И И Н Те Ji СИ Н HOClH ,;}KJUM MK лрсминофора этим iajjujM. Это ;:;К;; возможность уП1.)ав.:ять iimancHBMocriijic ьидимсго свечения -исминофо1--п;;;учением Со As: S-i - диода АЛ;./; 1) ИН7 ер};а.;е bOJ:;; -0,53-0,96 мкм. Интеграл,:(je еве::-иИ1.; :пом1П5офора Б ii;iTepHa;iR : о;:: - 0,50-0,66 :.:км регкстриро;,;.:ot.j, С iiOMO;iUii€ ФЭУ-22 и оеиилло ;:::: ;.-ол;и:К) длитслд) нос г:, разJK. :..: 1(1: 100 мкс/дел, 4yx;cj j;iTeJibHOCTb i-. ;.; i . .1; : .: j г j p ТИ К аЛ Ь И О О К.: IO }Kj Н У. Я о, ; fi.V-sej:, уроиен - и;;;ч;Пг;и1;нос:т ,: , .чг,;- .)нapiio o сис-1ен;-;я Л}лмииофсра .J; .ii. . ot iiHiJiCvijj ма - - niTiicjrc; liOJ:;: ДЛи1 ejь ;О;;;;. paiHGpT. . , I - - . , г , T И- - -,.,. 7 :;;: : : :.-ч L , llu .. 1 , м ,,., ,.,;;- . Z : .. , Ч., n LJi-ir: .;;.,;;oe угед ичение ИНТС НСИБНОСТИ :j;i: K;i-iH). л:о;-:и1 офсрс соста;),;:: 10 оол(;е -: :-- J.M...r- 225 K:J. Прин,„,,, к-j относи те.ijjiioe у;-ели leuHe :м ;:;х;И,;Чост;; С1;е-;епия J;юми;i()фopa .. 1 :1Л - ли ОКОЛО /I,. ::(:;;ОЛ -);;онание предлагаемого С1 i ,: .Otiii .пизации инфракраеного :.:,;у4v: iTi;i осеспеч; вает по сравнению ; су;т;ест иу:С;:дими способами следующие jptj:,.i :;;ec7}jn : возможность повышеi;ii ::-ффекти иности антистоксова : я:оС:.аз;;1 :г1;;ия ь самом люминофоре : ; tOi;,ec:ce eio свечения независимо :г иатенс;:вност} возбуждающего злуче;-:и 1;. возможность управления 1ь:тенсиБностью видимого све-чения и Т} с токсовых люминофоров не з ависимо т источника возбуждающего ИК-излуюния., что ,г,ает- возможность значиejiiiHo повысить чувствительность и ПД приборов и устройств, где пользуются антистоксовы люминофоры, например, индикаторов обнаружения источников ИК-излучения, счетчиков 845625 квантов, регистраторов лазерного излучения в ближней ИК-областИ, раз- личных излучающих устройств.

СПОСОБ ВИЗУАЛИЗАЦИИ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, основанный на Облучении антистоксова люминофора инфракрасным излучением., отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности антистоксова преобразования в данном люминофоре и управления интенсивностью его видимого свечения независимо от интенсивности инфракрасного излучения, антистоксов люминофор подвергают воздействию внешнего магнитного поля напряженностью 200-400 кЭ. сл о го