Изобретение относится к электро.нной технике, в частности .к халькогенидным полутроводниковым стекла.м, способным переходить :из состояния с низкой в состояние с высокой проводимостью с помощью электрических импульсов. Эта Способность может быть использована в микроэлектрО:Нике и, в первую очередь, в запоминающих устройствах. Известио халькогениднОв стекло, включающее, вес. %: As 18-48 Те 43-76 Ag 5-25 Данное стекло имеет электропроводность 4-К)- - 4 10-5 О.и-c.i;-, дремя записи низкоатом.ного состояния IQ-- - с, температуру размягчения 112- 120° С, М1икротвврдость 124-150 кг/с.и. Наиболее близким к изобретению является халькогенидное стекло, включающее Стекло имеет электропроводность 4.10--2-10- О.)/«- , щн,р1ину запреэВ, температуру щепной зоны 0.69-0,73 стеклования 92-135° С, скорость растворения в 70%-ной азотной кислоте (2,6- 6,4)- 10-5 гсм с Указанные стекла имеют весьма существенный недостаток - низкое сопротивление высокоомного состояния, порядка 10 ом-см, что приводит к больщнм потерям потребляемой мощности. Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и увеличение числа цИКлов переключе)1:)Я. Поставленная цель достигается тем, что халькогенидное стекло, включающее Ga, As, Те, дополнительно содержит Se лри следующем соотнощении компонентов, вес. %: Ga 2-3 As23-25 Те71-73 Se 1-2 Добавление небольшого количества селена .составы галий - мыщьяк - теллур, содер ка1дие стекла, усиливает стеклообразуюп1ие -свойства данных материалов и увеличивает удельное сопротивление, что ведет к уменьщению потребляемой мощности, ослаблен}1Ю кристалл:изаи ионных свойств.
ловышает надежность работы более чем па порядок.
Стекло синтезируют в прелварителыю вакуумнроваиной ( Па кварцевой амлуле при вращении ее со скоростью 80-100 об1мин при температуре варки 1100° С,
с после.туюишм охлаждением на воздухе в течение 5 /. Затем стекло напыляют (В4рас:11ы;1епие) на подложкх с никелевыми электродами.
В таблИце приведены составы предложенных п их свойства.
По1реб;1яемая мощтав стек;|а, вес. %
Те
Число ность.
циклон
цереклюсчитываченняние .1
: 72
O.iO
73 О.С-15
71 0,100
Применение предлагаемого изобретения /позволяет на порядок снизить потребляемую мощность по сравнению с известным стеклом и повысить процент выхода годных приборов за счет роста падежностн их работы, что дает годовой экономический эффект около 80 000 руб.
Формула изобретения
Халькогенидное стекло, включающее Ga, As, Те, отличающееся тем, что, с целью снилуения нотребляемой мощности И увеличения чнсла цнклов переключения.
5.10
10:12
5 - О14 : 17
9:11
10
ОНО допол:нительпо содержит Se нрл следу10П1СМ соотнощеиии компонентов, вес. %:
3
-25 71 -73 1-2
Источники информани1и. принятые во вннманпе нри экспертизе:
1.Авторское свндетельство СССР, л 601238, кл. С 03 С 3/12, 1976.
2.Авторское свидетельство СССР, .КУ 630232, кл. С 03 С 3/12, 1977.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Халькогенидное стекло | 1978 |
|
SU779320A1 |
Халькогенидное стекло с ионной проводимостью | 1983 |
|
SU1135726A1 |
Халькогенидное стекло | 1979 |
|
SU833603A1 |
Стекло | 1980 |
|
SU912697A1 |
СТЕКЛО ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ ТЕРМОПЛАСТИЧНОЕ | 2016 |
|
RU2643870C2 |
Халькогенидное стекло | 1976 |
|
SU601238A1 |
Халькогенидное стекло | 1976 |
|
SU579242A1 |
Способ получения халькогенидныхСТЕКОл | 1979 |
|
SU833602A1 |
ХАЛЬКОГЕНИДНЫЕ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ ОПТИЧЕСКИХ ВОЛОКОН И ДРУГИХ СИСТЕМ | 2017 |
|
RU2757886C2 |
РАСТВОР ДЛЯ НЕГАТИВНОГО ТРАВЛЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ | 1991 |
|
RU2008285C1 |
Авторы
Даты
1981-08-07—Публикация
1979-11-21—Подача