Мдп-варикап Советский патент 1981 года по МПК H01L29/93 

(54) ВДП-ВАРИКАП Изобретение относится к полупроводниковым приборам на основе МДПструктур и может найти применение пр создании варикапов, обладающих гальванической развязкой управляющей и управляемой цепей. Известны МДП-варикапы, имеющие двухэлектродную структуру металл диэлектрик, - полупроводник Ul. Они просты в исполнении, хорошо совместимы с планарной технологией, имеют высокие входное сопротивление и доб ротность и низкие шумы. Недостаток таких приборов - элек трическая связь между управляющей и управляемой цепями. Наиболее близким по технической сущности к изобретению является МДП варикап ГЗ, содержащий полупроводник р-типа проводимости с электрода расположенными на его противоположных сторонах, один из которых являе- ся полевым. Недостатком такого варикапа явля ется сложность конструкции и технологического процесса при создании диэлектрического слоя, содержащего электрический заряд определенной ве личины, л также двух дополнительных электродов на этом окисле. Целью изобретения является упрощение конструкции при обеспечении гальванической развязки управляюцей и управляемой цепей. . Поставленная цель достигается тем, что в едп-варикапе, содержащем полупроводник р-типа проводимости с электродами, расположенными на его противоположных сторонах, один из которых является полевым, непосредственно на полупроводнике рядом с полевым электродом образован дополнительный электрод на основе редкоземельных металлов, образукадий с полупроводником выпрямляющий контакт с инверсным слоем. На чертеже показан предложенный МДП-варикап. ,Он содержит полупроводник 1 р-типа проводимэсти, электрод 2, диэлектрический слой (например ) 3 и металлический электрод 4, образующие полевой электрод, дополнительный электрод 5, выполненный,например, из эрбия сульфида европия. Дополнительный электрод 5 выполняют на основе редкоземельных металлов (чистых редкоземельных металлов или сплава редкоземельных металлов или соединения редкоземельных металпоа, обладающего металлической проводимостью, электрод 5 образует в контакте с полупроводником выпрямляющий контакт с инверсным слоем).

Управляющее напряжение подается на электроды 2 и 5. Емкость измеряется между электродами 4 и 5. Потенциал электрода 5 относительно электро да 2 является запирающим для потенциального барьера контакта редкоземельный металл - полупроводник. Управляющее напряжение изменяет величину инверсной области, образующуюся под электродом 5, тем самым изменяя емкость между электродами 4 и 5.

МДП-варикап по сравнению с известным прост в изготовлении, обеспечивает электрическую развязку управляющей и управляемой цепей. Большая высота потенциального барьера в контакте редкоземельный металл - полупроводник обеспечивает малые токи утечки и высокое входное сопротивление варикапа.

Формула изобретения МДП-варикап, содержащий полупроводник р-типа проводимости с электродами, расположенными на его противоположных сторонах, один из которых является полевым, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции при обеспечении гальванической развязки управляющей и управляемой цепей, непосредственно на. полупроводнике рядом с полевым электродом образован дополнительный электрод на основе редкоземельных металлов, образующий с полупроводником выпрямляющий контакт с инверсным слоем.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Schroder S.K. Gneding I. Interpretation of surface and buck efects using the pulsed MDS Capacitor Solid State Electronics, 197l 14,

12, 1285-97.

2.Авторское свидетельство СССР № 372586,кл. Н 01 G 7/00, 1973

(прототипу.

У////// 7//////////.

435

I

т