ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД Советский патент 1996 года по МПК H01L23/52 

Описание патента на изобретение SU858490A1

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к полупроводниковым диодам, и может быть использовано в преобразовательной, усилительной технике и устройствах автоматики.

Известны полупроводниковые точечные диоды, содержащие прижимной металлический контакт к поверхности полупроводниковой пластины, жестко присоединенной к внешнему выводу. Прижимной контакт выполнен в виде заостренной иглы, поэтому выпрямление тока осуществляется на контакте "металлический зонд-полупроводник" или в пластине полупроводника на p-n переходе вблизи зонда. Вследствие малой площади контакта недостатком этих приборов является отсутствие возможности выпрямлять большие токи. При повышении выпрямленного тока выше максимально допустимой величины, выпрямляющий контакт разрушается и диод выходит из строя. Диод используется для выпрямления малых переменных токов.

Наиболее близким техническим решением является полупроводниковый диод, содержащий корпус с расположенным на его основании полупроводниковой пластиной с плоскостным p-n переходом и контактной площадкой, к которой прижат S-образный пружинный вывод, соединенный с изолированно укрепленным в корпусе внешним выводом.

Вследствие большой площади p-n перехода и контактной площадки, диод может работать при достаточно больших токах. Вместе с тем при увеличении тока выше допустимого значения, полупроводниковая пластина разогревается и p-n переход разрушается, что приводит к выходу диода из строя. Использование специальных мер охлаждения сильно удорожает прибор и при случайном характере превышения тока экономически нецелесообразно.

Известный диод может использоваться только для выпрямления переменного тока.

Целью изобретения является повышение срока службы и расширение функциональных возможностей.

Цель достигается тем, что в полупроводниковом диоде, содержащем корпус с расположенным на его основании полупроводниковой пластиной с плоскостным p-n переходом и контактной площадкой, к которой прижат S-образный пружинный вывод, соединенный с изолированно укрепленным в корпусе внешним выводом, между контактной площадкой и S-образным пружинным выводом расположена жестко соединенная с ним и закрепленная на торцах биметаллическая пластина.

Целью изобретения является также регулирование чувствительности к тепловому воздействию.

Эта цель достигается тем, что биметаллическая пластина соединена с регулировочным винтом, вмонтированным в корпус.

Изобретение поясняется чертежом, где на фиг.1 схематично изображен диод, а на фиг.2 диод с вмонтированным в его корпус светодиодом.

Диод содержит полупроводниковую пластину 1 с выпрямляющим p-n переходом и контактной площадкой, расположенную на основании 2, упругий S-образный токоподводящий вывод 3, верхним концом жестко присоединенный к внешнему изолированному от корпуса выводу 4, нижним концом к биметаллической пластине 5, которая закреплена на торцах во фторопластовых держателях 6, корпус 7 и винт для регулирования степени прогиба биметаллической пластины 8.

Полупроводниковый диод работает следующим образом. При подаче на диод напряжения в прямом направлении, потенциальный барьер на границе областей полупроводника с электронной и дырочной проводимостью снижается и через диод течет прямой ток, величина которого зависит от величины приложенного напряжения. Если величина тока в цепи диода превысит максимально допустимое значение, полупроводниковая пластина разогревается выше допустимого уровня, температура внутри корпуса диода повысится и биметаллическая пластинка, резко прогибаясь в обратную сторону, разрывает контакт токоподвода с контактной площадкой полупроводниковой пластины (на фиг.1 показано пунктирной линией), диод отключается. При охлаждении полупроводниковой пластины и снижении температуры внутри корпуса диода до допустимого уровня, биметаллическая пластинка резко возвращается в первоначальное положение, подключая токоподвод к контактной площадке, тем самым восстанавливается электрическая цепь. Чувствительность полупроводникового диода к повышенной величине тока можно изменять регулировочным винтом, изменяя степень прогиба биметаллической пластины, то есть ее чувствительность к тепловому воздействию.

Для исключения искрения и подгорания в месте контакта биметаллической пластины с контактной площадкой полупроводника и падения напряжения на биметаллической пластине, материалы, из которых выполнена пластина, должны быть достаточно низкоомными, тугоплавкими и коррозионно устойчивыми. Размеры биметаллической пластинки и S-образного токоподвода рассчитываются с использованием стандартных методик и с учетом электрофизических характеристик используемых материалов, а также габаритных размеров полупроводникового диода.

Использование биметаллической пластины в качестве прижимного контакта при небольшом изменении конструкции корпуса диода обеспечивает возможность быстрого выявления перегруженного диода в общей электрической схеме, конструкция которого изображена на фиг.2. В отличие от конструкции фиг.1 в корпусе диода смонтирован светодиод 9 с изолированным от корпуса внешним выводом 10. В этом случае при превышении величины тока во внешней цепи максимально допустимого значения, биметаллическая пластина, резко прогибаясь разрывает контакт токоподвода с контактной площадкой диода и одновременно замыкает контакты со светодиодом. Светящийся светодиод сигнализирует о нарушении режима работы полупроводникового диода. Тем самым снижается трудоемкость при выявлении перегруженного диода. Исключение перегорания светодиода при подключении к нему большого сигнала обеспечивается внешней схемой светодиода.

Выполнение полупроводникового диода согласно изобретению позволяет увеличить срок службы диода, что обусловлено его способностью отключаться от внешней цепи при превышении тока во внешней цепи выше максимально допустимого уровня, что предохраняет его от перегорания.

Наряду с выпрямлением переменного сигнала, полупроводниковый диод также может работать в качестве теплового реле. Его преимуществом по сравнению с обычными контактными тепловыми реле на основе биметаллов является выпрямление протекающего через диод тока, что значительно упрощает исполнительную электронную схему реле, так как исключает необходимость применения специальных выпрямительных элементов.

Использование диода в качестве теплового реле расширяет его функциональные возможности.

Наряду с этим трудоемкость и материалоемкость в процессе изготовления диода увеличиваются незначительно, так как при его изготовлении не требуется дорогостоящего специального оборудования и материалов.

Похожие патенты SU858490A1

название год авторы номер документа
Полупроводниковое выпрямительное устройство преобразователя электрической энергии и способ его изготовления 1981
  • Машнин Сергей Васильевич
  • Зильберштейн Виталий Борисович
SU983840A1
ИСТОЧНИК СВЕТА 1997
  • Карпович Н.В.
  • Криворотов Н.П.
  • Хан В.А.
RU2142176C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД ДЛЯ ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА СПЕКТРА 2002
  • Матвеев Борис Анатольевич
RU2286618C2
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД 2013
  • Васильева Елена Дмитриевна
  • Закгейм Дмитрий Александрович
  • Иткинсон Григорий Владимирович
  • Кукушкин Михаил Васильевич
  • Марков Лев Константинович
  • Осипов Олег Валерьевич
  • Павлюченко Алексей Сергеевич
  • Смирнова Ирина Павловна
  • Тугушев Марат Шамильевич
RU2549335C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ 1996
  • Евсеев Юрий Алексеевич[Ru]
  • Рачинский Любомир Ярославович[Ua]
  • Тетерьвова Наталья Алексеевна[Ua]
  • Селенинов Казимир Леович[Ee]
  • Дерменжи Евгений Пантелеевич[Ru]
  • Друянова Ева Ионовна[Ua]
  • Насекан Ольга Семеновна[Ua]
  • Рыбак Роман Иосифович[Ua]
RU2091907C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД СРЕДНЕВОЛНОВОГО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА СПЕКТРА 2011
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
  • Матвеев Борис Анатольевич
  • Ременный Максим Анатольевич
RU2570603C2
СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ С УЛУЧШЕННОЙ СТРУКТУРОЙ КОНТАКТНЫХ СОЕДИНИТЕЛЕЙ ДЛЯ ПРИВАРИВАНИЯ 2016
  • Пельмер Раймунд
RU2676190C1
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ 2004
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Вердиев Микаил Гаджимагомедович
  • Евдулов Олег Викторович
RU2280920C2
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД 2001
  • Хан А.В.
  • Игнатьев М.Г.
  • Хан В.А.
  • Гущин С.М.
RU2200358C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ ДЛЯ СРЕДНЕВОЛНОВОГО ИК ДИАПАЗОНА СПЕКТРА 2015
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
  • Иванова Ольга Вениаминовна
  • Матвеев Борис Анатольевич
  • Ременный Максим Анатольевич
  • Усикова Анна Александровна
RU2647978C2

Иллюстрации к изобретению SU 858 490 A1

Реферат патента 1996 года ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД

1. Полупроводниковый диод, содержащий корпус с расположенной на его основании полупроводниковой пластиной с плоскостным p-n переходом и контактной площадкой, к которой прижат S-образный пружинный вывод, соединенный с изолированно укрепленным в корпусе внешним выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы и расширения функциональных возможностей со стороны контактной площадки, S-образный вывод жестко соединен с биметаллической пластиной, закрепленной на торцах.

2. Полупроводниковый диод по п.1, отличающийся тем, что, с целью регулирования чувствительности к тепловому воздействию, биметаллическая пластина соединена с регулировочным винтом, вмонтированным в корпус.

Формула изобретения SU 858 490 A1

1. Полупроводниковый диод, содержащий корпус с расположенной на его основании полупроводниковой пластиной с плоскостным p-n переходом и контактной площадкой, к которой прижат S-образный пружинный вывод, соединенный с изолированно укрепленным в корпусе внешним выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы и расширения функциональных возможностей со стороны контактной площадки, S-образный вывод жестко соединен с биметаллической пластиной, закрепленной на торцах. 2. Полупроводниковый диод по п.1, отличающийся тем, что, с целью регулирования чувствительности к тепловому воздействию, биметаллическая пластина соединена с регулировочным винтом, вмонтированным в корпус.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1996 года SU858490A1

Горбачев Л.И
и Кухарин С.В
Полупроводниковые СВЧ диоды
Сов
радио, 1968, с.16
Справочник по элементам радиоэлектронных устройств
Под ред
Дулина В.Н
и Жука М.С
М.: Энергия, 1977, с.103.

SU 858 490 A1

Авторы

Костенко В.Л.

Расторгуев К.П.

Даты

1996-05-27Публикация

1980-04-04Подача