(54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для измерения давления | 1984 |
|
SU1281523A1 |
Механотронный преобразователь перемещений | 1984 |
|
SU1193443A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС | 1987 |
|
RU1519452C |
СВЧ LDMOS-ТРАНЗИСТОР | 2007 |
|
RU2338297C1 |
Терагерцевый болометр на горячих электронах | 2021 |
|
RU2782707C1 |
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ КНИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2015 |
|
RU2609223C1 |
ДАТЧИК ПЛОТНОСТИ | 2006 |
|
RU2330251C1 |
Преобразователь температуры | 1980 |
|
SU883670A1 |
Газовый мультисенсор на основе органических полевых транзисторов (варианты) и устройство для анализа многокомпонентной газовой смеси типа "электронный нос" на его основе | 2018 |
|
RU2676860C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | 2010 |
|
RU2419176C1 |
Изобретение относится к контрольн измерительной технике и предназначен для измерений давлений в области высоких температур. Известно устройство, содержащее стекло, металлический корпус, металлическую мембрану и подвижную систему электродов D I. Недостатком этога устройства является ограниченный диапазон рабочих температур измеряемых сред. Наиболее близким по технический сущности, и достигаемому эффекту к изобретению является устройство, состоящее из вакуумированного корпуса, мембраны и двух электродов,один кэ которых расположен на мембране, а др гой на подложке с подогревателем f2 Недостатком зтого устройства явдя ется невысокая точность измерений пр высоких температурах измеряемых сред Цель изобретения - повышение точности преобразования. Указанная цель достигается тем, что в. преобразователь введены два дополнительных злектрода, установленных неподвижно относительно друг друга, по меньшей мере один из которых размещен на подложке, и система температурной стабилизации, включенная между подогревателем и дополнительными электродами. Кроме того, измерительный электрод расположенный на подложке, и дополнительные электроды выполнены в виде полупроводниковых чувствительных слоев с системами электродов сток-исток. При этом полупроводниковый слой выполнен из материалов, содержащих окислы щелочноземельных металлов. На фиг. 1 представлен преобразователь , общий вид; на фиг. 2 - конкретный вариант исполнения. Преобразователь содержит вакуумированный корпус 1, измерительные элек- тродь 2 и 3, подложку 4 с подогревателем 5, дополнительные электроды 6 и 7 и систему температурной стабилизации 8, Измерительный электрод 2 и дополнительные электроды 6 и 7 выполнены в виде полупроводниковых слоев 9 с системами электродов сток-исток (фиг. 2). Преобразователь работает следующим образом. При действии давления на-мембрану с электродом 3 изменяется расстояние между электродами 2 и 3, и ток между ними зависит от температуры измеряемой среды и от давления. У дополнительных неподвижных относительно друг Друга электродов 6 и 7 ток зависит только от температуры. С изменением температуры измеряемой среды из меняется ток, протекающий через электроды. Сигнал с дополнительных электродов 6 и 7 подается на систему тем пературной стабилизации 8, которая, в виде обратной связи влияет на подогреватель, изменяет его мощность, чт приводит к стабилизации тока. Таким образом, исключается влияние температуры при измерении..давления. Формула изобретения . Преобразователь давления, содержащий вакуумированный корпус, чув ствительную к давлению мембрану, под 04 ложку с подогревателем, систему из двух измерительных электродов, один из которых установлен на мембране, а другой - на подложке, отличающ и и с я тем, что, с целью повьшения точности преобразования, в него введены два дополнительных электрода, установленных.неподвижно относительно друг друга, по меньшей мере один из которых размещен на подложке, и система температурной стабилизации, включенная между подогревателем и дополнительными электродами. 2.Преобразователь по п. 1, о тличающийся тем, что измерительный электрод, расположенный на подложке, и дополнительные электроды вьшолнены в виде полупроводниковых чувствительных слоев с системами электродов сток-истОк. 3.Преобразователь по п. 2, о т ли чающий ся тем, что полупроводниковый слой выполнен из материалов, содержащих окислы щелочно- земельных металлов. Источники информации, принятые во внимание приэкспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 418746, кл. G 01 L 11/00, 17.07.72; 2, Авторское свидетельство СССР № 575513, кл. G 01 L 9/00, 27.01.76 (прототип).
Авторы
Даты
1981-10-15—Публикация
1979-06-25—Подача