Зонд для измерения распределения напряженности сверхвысокочастотного электрического поля Советский патент 1981 года по МПК G01R29/08 

щивания кристаллов методом Чохральского позволяет получать переходы 3 толщиной порядка 1 мкм. При этом разрешающая способность предлагаемого зонда посравнению с известным увеличивается более чем в 10 раз. - Плоскость перехода ориентирована перпендикулярно продольной оси полу,проводниковой пластины 1, так как в данном случае достигается максимальный эффект. Возмущение, вносимое зондом в оверхвысокочастотное поле, зависит от выбора удельного сопротивления полупроводниковой пластины 1 и ее поперечных размеров. Если поперечные размеры полупроводниковой пластины 1 значительно меньше длины волны в передающей линии, а токи смещения в по проводниковой пластине превышает ток проводимости, т.е. выполняется неравенство , где а)- круговая ча тота электромагнитного поля, - диэлектрическая проницаемость полупроводника, р- его Удельное сопротивле ние, то возмущение сверхвысокочастот него поля будет пренебрежимо мгшым. Для исключения влияния токосъемных контактов 2 на измерение распред ления СВЧ электрического поля, длина зонда подбирается с таким расчетом, чтобы токосъемные контакты располага лись за пределами линии передачи. Следует отметить, что возмущение СВЧ поля не зависит от положения перехода в линии передачи. Поэтому предлагаемый зонд позволяет производить измерения в любой точке линии передачи. В Отличие от известного зонда где в величину наблюдаемого сигнала вносят определенный вклад и низкоомные области зонда, в предлагаемом зонде величина термо-ЭДС зависит только от СВЧ электрического поля в области перехода, что существенно повышает точность измерения. Таким образом, в предлагаемом зонде увеличена разрешающая способность и повышена точность измерения. Формула изобретения Зонд для измерения распределения напряженности сверхвысокочастотного электрического поля, содержащий полупроводниковую пластину с токосъемными контактами, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешанвдей способности при увеличении точности, полупроводниковая пластина выполнена с переходом со ступенчатым изменением концентрации легирующей примеси, при этом плоскость перехода перпендикулярна продольной оси полупроводниковой пластины. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Денис В.И. и др. Радиотехника и электроника, 1977, ХХП, 4, с. 871-873.

е