Зондовая головка Советский патент 1986 года по МПК H01L21/66 

Изобретение относится к области измерения электрофизических свойств полупроводниковых материалов, а имено к устройствам для измерения уделного сопротивления полупроводниковы пластин.

Цель изобретния - повышение точности измерения.

На фиг. 1 изображена зондовая головка, профильный разрез; на фиг. 2 то же, поперечный разрез.

Зондовая головка имеет токовые и потенциальные зонды 1, которые распложены в V -образных пазах 2 кремниевой пластины 3 с ориентацией (100). Зонды 1 изолированы от пластины 3 слоем диэлектрика 4, а пластина закреплена в корпусе 5 перпендикулярн его основанию 6. Зонды 1 прижаты к стенкам пазов 2 пружиной 7, изолированной от зондов диэлектрическими прокладками 8. На зонды насажены то косъемные втулки, упирающиеся в диэлектрическую прокладку 10.

Зондовая голо вка работает следую ищи образом.

При опускании зондовой головки на полупроводниковую пластину зонды 1 за счет эластичной проклащки 10 прижимаются к пластина. С помощью то- косъемных втулок 9 через определенные токовые зонды 1 пропускают электри ческий ток, а на других потенциальных

зондах измеряют разность потенциалов. По результатам этих измерений определяют удельное сопротивление полупроводниковой пластины. Точность определения удельного, сопротивления в значительной степени онределяется точностью заданного взаимного расположения зондов, которая определяется геометрическими размерами пазов и расстояниями между ними.

Вьтсшнение V-образных пазов в кремниевой пластине с ориентацией поверхности по плоскости (100) и схождением боковых стенок пазов под углом 55 обеспечивает расположение зондов относительно друг друга с большой точностью и перемещение вверх - вниз в одной плоскости.

20

Формула изобретения

Зондовая головка, преимущественно для измерения электрофизических свойств полупроводниковых материалов, содержащая корпус с основанием и размещенные в нем перпендикулярно основанию токовые и потенциальные зонды, отличающаяся тем, что, с целью повьшения точности измерения, она снабжена размещенной перпендикулярно основанию кремниевой пластиной с ориентацией (100), в которой выполнены V.-образные пазы, с размещенными в них токовыми и потенциальными зондами.

Изобретение может быть использовано для измерения электрофизических свойств полупроводниковых материалов. Цель изобретения - повышение точности измерения. Зонды расположены в V-образных пазах кремниевой пластины с изоляцией. Пружины, изолированные прокладками, прижимают зонды к стенкам пазов. Токосъемные втулки зондов прижаты к электрической прокладке . Выполнение V-образных пазов в кремниевой пластине с ориентацией поверхности по плоскости (100) и схождением боковых стенок под углом 55 обеспечивает расположение фаз зондов относительно друг друга с большой точностью и перемещение из{ (Вверх - вниз в одной плоскости. 2 ил. ND 1ЧЭ 4 ОО СЛ 00