Устройство задержки Советский патент 1981 года по МПК H03K5/13 

Изовретен1;е относится к импульсной технике и может использоваться, в авт 4атике и измерительной тё нйТке, Известно устройстзво задержки, содержащее транзистор проводимост ти, коллектор которого подключен к катоду параметрического стабилизатора напряжения/ эмиттер - к минусовой шине источника питания, а база через резистор и конденсатор к потосовой .шине источника питания 1. Недостаток этого устройства - cpaBHHtenbfto низкая стабильность. Известно также устройство задержки, содержащее транзистор, полупроводниковый. пентси, конденсатор и пят резисторов, эмиттер транзистора соединен с первым эмиттером полупровод никового пентода и общей шиной, кото рая через конденсатор соединена с первой базой полупроводникового пент да, которая через первый резистор со единена с коллектором полупроводникового пентода, соединенного через второй резистор с шиной питания, которая через третий резистор соединена с коллектором транзистора, через четвертый резистор соединенный с вто рой базой полупроводникового пентода второй.эмиттер которого соединен с одвижньал контактом переменного реаистора, который включен между колjeKTOpoM полупроводникового пентода и общей шиной, а база транзистора содинена через пятый резистор с колектором полупроводникового пентоа 2, : Недостатком этого устройства эадер и яв 1яется сравнительно низкая стабильность. .Церь, изобретения - повышение ста61ШЬНОСТИ. поставленная цель достигается тем, что в устройство задержки, содержа-щее транзистор, полупроводниковый пентод, конденсатор и пять резисторову эмиттер транзистора соединен спервым эмиттером полупроводникового пентода и общей шиной, которая через конденсатор соединена с первой базой полупроводникового пентода, которая через первый резистор соединена с - коллектором полупроводникового пентода, который через второй резистор соединен с шиной питания, которая через третий резистор соединена с коллектором транзистора, который через четвертый резистор соединен с второй базой полупроводникового пентода, второй эмиттер которого соединей с подвижиЕлм контактом переменного резистора, который включен между коллектором полупроводникового пентода и общей шиной, а база транзистора соединена через пятый резистор с коллектором полупроводникового пентода, введены дополнительный транзистор и дополнительный резистор, эмиттер дополнительного транзистора соединен с общей шиной, коллектор дополнительного транзистора соединен с первой базой полупроводникового пентода, а база дополнительного транзистора соединена через дополнительный резистор с коллектором транзистора.

На чертеже показана структурная схема устройства задержки.

Устройство задержки содержит транзистор 1, полупроводниковый пентод 2, конденсатор 3, пять резисторов 48, дополнительный транзистор. 9 и дополнительный резистор 10. Эмиттер транзистора 1 соединен с первым эмиттером полупроводникового пентода 2 и общей цзцной 11, которая через конденсатор 3 соединена с первой базой прлупроводни.кового пентода 2, которая через первый резистор 4 соединена с коллектором полупроводникового пентода 2, который через второй резистор 5 .соединен с шиной 12 питания которая третий резистор 6-соединена с коллектором транзистора 1, который через четвертый резистор 7 соединен с второй 6ajtpft полупрО вЬдникового пентода 2, второй эмиттер которого, соединен с подвижным контактом переменного резистора 13, которы включен мелэду коллектором полупроводникового пент9Да 2 и общей шиной 11, а база транзистора 1 соединена через пятый резистор 8 с коллектором полупроводникового пентода 2, эмиттер дополнительного транзистора 9 соединен с общей шиной 11, коллектор дополнительного транзистора 9 соединен с -первой базой полупроводникового пентода 2, а база дополнительного транзйстора ,9 соединена через дополнитель1Ш|1 резистор 10 с коллектором транз: стора 1,

Устройство задержки работает следукЕцим образом.

Транзистор 1, полупроводниковый пентод 2 и резисторы 5-8 обр&зугот триггер, резистор ,9 образуют КС-цепь переменный резистор 13 служит для устано:вки опорного напряжения, а i транзистор 9 и резистор 10 образуют ключ. В исходном состоянии транзистор 1 закрыт, а пентод 2 и транзистор 9 открыты и насыщены. Напряжение на конденсаторе 3 практически равно нулю.

.,При поступлении импульса запуска на базу транзистора 1 пентод 2 и

транзистор 9 закрываются, а транзистор 1 открывается и насыщается. Конденсатор 3 начинает заряжаться. При -достижении напряжения на нем величины напряжения включения пентода 2 е последний включается и разряжает конденсатор 4. Триггер переключается в первоначальное положение. С приходом следующего импульса запуска процесс работы устройства повторяется.

0 Применение транзисторного ключа позволило скомпенсировать остаточное напряжение на конденсаторе 3, которое остается от предьадущего цикла работы и величина которого является ненормированной величиной, существенно меняквдейся при смене образцов пентодов или изменении температуры. Это и позволило повысить стабильность времени задержки.

Формула изобретения

Устройство задержки, содержащее транзистор, полупроводниковый пентод конденсатор и пять резисторов, эмиттер транзистора соединен с первым эмиттером полупроводникового пентода и общей шиной, которая через конденсатор соединена с первой базой полупроводникового пентода, которая чере первый резистор соединена с коллектором полупроводникового пентода, который через второй резистор соединен с шинной питания, которая через третий резистор соединена с коллектором транзистора, который через четвертый резистор соединен с второй базой полупроводникового пентода, второй эмиттер которого соединен с подвижным контактом переменного резистора, который включен между коллектором полупроводникового пентода и общей {аиной, а база транзистора соединена через пятый резистор с.коллектором полупроводникового пентода, отличающееся тем, что, с целью повышения стабильности, в него введен|л дополнительный транзистор и дополнительный резистор, эмиттер допол11ительного транзистора соединен с. общей шиной, коллектора дополнительного транзистора соединен с перBo|t базой полупроводникового пентода, а база дополнительного транзистора соединена через дополнительный Еюзистор с коллектором транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР № 486394, кл. Н 01 Н 47/18, 1975.

2.Авторское свидетельство СССР № 7J,8905, кл. Н 03 Н 5/13, 1980 (прототип).