Датчик давления Советский патент 1982 года по МПК G01L9/04 G01L1/22 

Описание патента на изобретение SU896433A1

1

Изобретение относится к технике измерения динамического давления в устройствах мембранного типа и может быть использовано в системах регистрации перепадов динамического давления с широким диапазоном измеряемой п ер егруз ки.

Известно устройство, содержащее мембрану с изолирующей прослойкой и пленку тензорезистора из металла |

Недостатком этого устройства является низкая чувствительность регистрации перепадов динамического давления.

Наиболее близким к предлагаемому устройству по технической сущности является датчик давления, содержащий мембрану, диэлектрическую подложку и расположенный на ней тензорезистивный элемент 2j .

Недостатком указанного устройства является низкая чувствительность при регистрации перепадов динамического давления в области низких и высоких давлений.

Цель изобретения - повышение чувствительности и расширения пределов измерения динамического давления.

Указанная цель достигается тем, что тензорезистивный элемент выпол нен в виде размещенных один в другом с зазором двух меандров, между удлиненными участками которых за10подлицо установлены перемычки из переключающего диэлектрика, причем зазор между меандрами, ширина перемычек и расстояние между соседними перемычками равны ширине меандра.

15

. На фиг. 1 изображено устройство, вид сверху; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.

Датчик содержит металлическую мембрану 1, нанесенный на нее слой

20 диэлектрика 2, на котором расположен тензорезистивный элемент в виде раз- . мещенных один в другом с зазором двух меандров. Каждый из них соответствует электродам 3 и 4, Между удлиненными участками электродов 3 и 4 размещены перемычки переключающего диэлектрика 5. Зазор между меандрами, ширина перемычек и расстояние между соседними перемычками равны ширине , меандра d. Давление Р.прикладывается нормально к поверхности датчика. Максимальной деформации подвергается его середина, минимальной - его края.

Устройство работает следующим образом,

В зависимости от величины напряжения между электродами 3 и 4, выполНЯЮ1ЦИМИ функцию тензочувствительных элементов, сопротивление диэлектрических перемычек 5 может быть низким или высоким. Если величина напряжения на диэлектрике 5 не превьшает некоторого порогового напряжения, то такой материал находится в высокоомном состоянии и обладает определенным удельным поверхИостным сопротивлением. При некотором пороговом .напряжении сопротивление диэлектрика скачком за время порядка нескольких НС переходит в ниэкоомное состояние и остается в этом состоянии при всех напряжениях, выше порогового. При уменьшении напряжения диэлектрик скачком вновь переходит в исходное высокоомное состояние за. время обрат Ного переключения порядка нескольких

МКС.

До переключения тензочувствительность датчика определяется сопротивлением двух независимых электродов 3 и 4, регистрирующих перепады давле ния в одном направлении. После переключения происходит закорачивание электродов и основное падение напряжения происходит на низкоомных перемычках в другом направлении. В исходном состоянии входное сопротив96433 . . 4

ление датчика является высокоомным и определяется сопротивлением электродов 3 и 4 после переключения низкоомным и определяется состоянием J диэлектриче-ских перемычек. В связи с этим в исходном состоянии датчик способен регистрировать низкие значения динамического давления с высокой чувствительностью, а после переключения - высокие значения динамического давления.

Таким образдм, использование предлагаемого датчика позволяет повысить его чувствительность при регистрации перепадов динамического давления в областях низких и высоких давлений.

Формула изобретения

Датчик давления, содержащий упругую мембрану, покрытую слоем диэлектрика, и расположенный на нем тензорезистивный элемент, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения пределов измерения динамического давления, тензорезистивный элемент выполнен в виде размещенных один в

другом с зазором двух меандров, между удпиненными участками которых заподлицо установлены перемычки из переключающего диэлектрика, причем зазор между меандрами, ширина перемычек и расстояние между соседними перемычками равны ширине меандра.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 01. Патент Японии № 31379,

кл. 111 С 23, 1971.

2. Авторское свидетельство СССР № 249700, кл. G 01 L,9/04, 18.03.68 (прототип).

Похожие патенты SU896433A1

название год авторы номер документа
Датчик давления 1980
  • Черняев Владимир Николаевич
  • Корзо Виктор Федорович
  • Гогия Джамал Ноевич
  • Салия Рауль Владимирович
SU939983A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2012
  • Дмитриенко Алексей Геннадиевич
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Белозубова Нина Евгеньевна
RU2505791C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2012
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Белозубова Нина Евгеньевна
  • Козлова Наталья Анатольевна
RU2498249C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2012
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Белозубова Нина Евгеньевна
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Майоров Виталий Юрьевич
  • Чернов Павел Сергеевич
RU2488082C1
Способ и устройство тензоэлектрического преобразования 2017
  • Спирин Андрей Евгеньевич
  • Крылов Анатолий Иванович
  • Бурдин Борис Васильевич
  • Сосюрка Юрий Борисович
  • Спирин Евгений Анатольевич
RU2661456C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2013
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Дмитриенко Алексей Геннадиевич
  • Белозубова Нина Евгеньевна
RU2545314C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2012
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Дмитриенко Алексей Геннадиевич
  • Белозубова Нина Евгеньевна
RU2512142C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОСТАБИЛЬНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2012
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Чернов Павел Сергеевич
RU2487328C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ С ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ 2009
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Чернов Павел Сергеевич
RU2399031C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ СТАБИЛЬНОСТИ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2014
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Белозубова Нина Евгеньевна
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Савинова Юлия Алексеевна
RU2572527C1

Иллюстрации к изобретению SU 896 433 A1

Реферат патента 1982 года Датчик давления

Формула изобретения SU 896 433 A1

SU 896 433 A1

Авторы

Корзо Виктор Федорович

Черняев Владимир Николаевич

Кологривова Татьяна Александровна

Даты

1982-01-07Публикация

1980-05-07Подача