СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ Российский патент 2013 года по МПК G01L9/04 

Описание патента на изобретение RU2488082C1

Предлагаемое изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектрических систем с мостовой измерительной цепью, предназначенным для использования в системах управления, контроля и диагностики технически сложных объектов длительного функционирования.

Известен способ изготовления датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектрической системы (НиМЭМС), предназначенного для использования в системах управления, контроля и диагностики технически сложных объектов длительного функционирования, заключающийся в полировании поверхности мембраны, нанесении на нее диэлектрика, формировании на нем тензочувствительной схемы, присоединении контактной колодки к упругому элементу и присоединении контактов колодки к контактным площадкам тензочувствительной схемы, в котором перед нанесением диэлектрика изготавливают диэлектрическую втулку непосредственно в выемке упругого элемента, полируют поверхность мембраны одновременно с полировкой торца втулки, после чего наносят диэлектрик на мембрану упругого элемента и торец втулки и формируют тензосхему на диэлектрике мембраны и втулки [1].

Недостатком известного способа изготовления является сравнительно большая временная нестабильность вследствие различной формы окружных и радиальных тензорезисторов, включенных в противоположные плечи мостовой измерительной цепи. Это связано с тем, что различная форма тензорезисторов приводит к разному временному изменению сопротивления этих тензорезисторов, в том числе вследствие различной скорости деградационных и релаксационных процессов в окружных и радиальных тензорезисторах.

Известен способ изготовления датчика давления на основе тонкопленочной НиМЭМС, предназначенного для использования в системах управления, контроля и диагностики технически сложных объектов длительного функционирования, заключающийся в полировании поверхности мембраны, формировании на ней диэлектрической пленки и тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними с использованием шаблона тензочувствительного слоя, имеющего конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками, в виде полос, включающих изображения тензоэлементов и их продолжения в два противоположных направления, а в зонах совмещаемых с контактными площадками - частично совпадающую с конфигурацией контактных площадок и удаленных от полос участков, присоединении выводных проводников к контактным площадкам в областях, удаленных от полос участков [2].

Недостатком известного способа изготовления является сравнительно низкая временная стабильность вследствие неоптимального размещения и выполнения элементов, переходов тензорезисторов и их характеристик относительно факторов, воздействующих на эти элементы и переходы при эксплуатации, приводящих к разному временному изменению сопротивления этих тензорезисторов, в том числе вследствие различной скорости деградационных и релаксационных процессов в тензорезисторах, включенных в противолежащие плечи мостовой измерительной схемы. Недостаточная временная стабильность датчика приводит к уменьшению его ресурса и срока службы.

Целью предлагаемого изобретения является повышение временной стабильности, ресурса, срока службы за счет оптимизации размещения и выполнения элементов, переходов тензорезисторов и их характеристик с учетом факторов, воздействующих на эти элементы и переходы, приводящих к почти одинаковому временному изменению сопротивления этих тензорезисторов, в том числе вследствие почти одинаковой скорости деградационных и релаксационных процессов в тензорезисторах, включенных в противолежащие плечи мостовой измерительной цепи.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления датчика давления на основе тонкопленочной НиМЭМС, заключающемся в полировании поверхности мембраны, формировании на ней диэлектрической пленки и тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними с использованием шаблона тензочувствительного слоя, имеющего конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками, в виде полос, включающих изображения тензоэлементов и их продолжения в два противоположных направления, а в зонах совмещаемых с контактными площадками - частично совпадающую с конфигурацией контактных площадок и удаленных от полос участков, присоединении выводных проводников к контактным площадкам в областях, удаленных от полос участков в соответствии с заявляемым изобретением размещают и выполняют элементы и переходы тензорезисторов таким образом, что их характеристики и факторы, воздействующие на эти элементы и переходы, удовлетворяют соотношению

где ρPj, ρPAJ, ρAJ, ρAKJ, ρKJ, ρПJ, ρKПJ, - эффективное удельное поверхностное сопротивление соответствующих элементов и переходов; lPJ, lPAJ, lAJ, lAKJ, lKJ, lKПJ, lПJ - эффективная длина соответствующих элементов и переходов; bPJ, bPAJ, bAJ,, bAKJ, bKJ, b, bПJ, - эффективная ширина соответствующих элементов и переходов j-ого тензорезистора; εPJ, εPAJ, εAJ, εAKJ, εKJ, εKПJ, εПJ - относительная деформация, воздействующая на соответствующие элементы и переходы; TPJ, TPAJ, TAJ, TAKJ, TKJ, TKПJ, TПJ - температура, воздействующая на соответствующие элементы и переходы; индексы PJ, AJ, KJ, ПJ означают принадлежность соответствующих характеристик или факторов адгезионному, контактному, проводящему элементам j - тензорезистора; индексы PAJ, AKJ, КПJ, означают принадлежность соответствующих характеристик или факторов переходам резистивный - адгезионный, адгезионный - контактный, контактный - проводящий j - тензорезистора; j = 1, 2, 3, 4 - номер тензорезистора в мостовой схеме; τ - начало отсчета времени; Δτ - тестовый интервал времени; Ψc - разностный критерий стабильности.

Кроме того, согласно предполагаемому изобретения размещают и выполняют элементы и переходы тензорезисторов таким образом, что их характеристики и факторы, воздействующие на эти элементы и переходы, удовлетворяют соотношению

Заявляемый способ реализуется следующим образом. Изготавливают (например, из сплава 36НКВХБТЮ) мембрану с периферийным основанием в виде оболочки вращения методами лезвийной обработки с применением на последних стадиях электроэрозионной обработки. Полируют поверхность мембраны с использованием электрохимикомеханической доводки и полировки или алмазной доводки и полировки. Методами тонкопленочной технологии на планарной поверхности мембраны последовательно наносят сплошными слоями диэлектрическую пленку в виде структуры SiO-SiO2 с подслоем хрома, тензочувствительную пленку (к примеру, из сплава Х20Н75Ю). При формировании перемычек и контактных площадок методом фотолитографии низкомную пленку (например, из золота Зл 999,9 м), с подслоем (ванадия) наносят сплошным слоем на тензочувствительную пленку (из сплава Х20Н75Ю). Формируют перемычки и контактные площадки методом фотолитографии с использованием шаблона перемычек и контактных площадок. Формирование перемычек и контактных площадок можно проводить масочным методом. В этом случае, низкоомная пленка сплошным слоем не наносится, а напыляется через маску.

Формирование тензоэлементов проводят методом фотолитографии с использованием ионно-химического травления в среде аргона и шаблона тензочувствительного слоя, имеющего конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками, в виде полос, включающих изображения тензоэлементов и их продолжения в два противоположных направления, а в зонах, совмещаемых с контактными площадками - частично совпадающую с конфигурацией контактных площадок и удаленных от полос участков.

Размещают и выполняют элементы и переходы тензорезисторов таким образом, что их характеристики и факторы, воздействующие на эти элементы и переходы, удовлетворяют заявляемому соотношению. Предлагаемое решение предназначено для использования в датчиках давления, подвергающихся при эксплуатации детерминированным воздействующим факторам. Размещение и выполнение элементов и переходов тензорезисторов осуществляется с помощью специально разработанной компьютерной программы. Величину разностного критерия стабильности Ψc определяют расчетно-экспериментальным путем по статистическим данным для конкретного типоразмера датчиков.

Для установления причинно-следственной связи заявляемых признаков и достигаемого технического эффекта рассмотрим наиболее общие элементы тонкопленочных тензорезисторов, используемые при создании НиМЭМС. Анализ известных решений показал, что к таким элементам можно отнести следующие тонкопленочные элементы изображенные на фиг.1: диэлектрический 1, тензорезистивный 2, адгезионный 3, контактный 4, а также соответствующие переходы между этими элементами.

Назначение вышеперечисленных элементов ясно из их названия. К элементам тонкопленочных тензорезисторов, влияющих на стабильность, необходимо отнести также и тонкопленочные проводящие элементы. На фиг.1 соотношения между толщинами тонкопленочных элементов и клины травления условно не изображены. Проводящие элементы тензорезисторов соединены последовательно с контактными элементами и используются для соединения тензорезисторов в мостовую измерительную цепь и с цепью питания и преобразования сигнала. С точки зрения повышения стабильности будем рассматривать только проводящие элементы, находящихся в областях от контактных элементов до узлов мостовой измерительной цепи. Как правило, эти узлы совпадают с местами присоединения выводных проводников, соединяющих мостовую цепь с цепью питания и преобразования сигнала. При выполнении НиМЭМС с мостовой измерительной цепью из четырех рабочих тензорезисторов, как это изображено на фиг.2, при отсутствии элементов термокомпенсации выходной сигнал НиМЭМС в стационарном температурном режиме будет равен

U = E ( R 4 R 3 + R 4 R 1 R 1 + R 2 ) , ( 3 )

где Е - напряжение питания мостовой измерительной цепи; R1, R2, R3, R4 - сопротивление тензорезисторов R1, R2, R3, R4.

Проведя необходимые преобразования, получим

U = E ( R 2 R 4 R 1 R 3 ) [ ( R 1 + R 2 ) ( R 3 + R 4 ) ] 1 . ( 4 )

Определим условие временной стабильности НиМЭМС в виде

U ( τ + Δ τ ) = U ( τ ) ( 5 )

где U(τ+Δτ) - начальный выходной сигнал в момент времени (τ+Δτ); U(τ) - начальный выходной сигнал в момент времени τ.

После подстановки в выражение (5) выражения (4) и обеспечения необходимой стабильности источника питания E(τ+Δτ)=E(τ) получим условие стабильности НиМЭМС в развернутом виде

[ R 2 ( τ + Δ τ ) R 4 ( τ + Δ τ ) R 1 ( τ + Δ τ ) R 3 ( τ + Δ τ ) ] × { [ R 1 ( τ + Δ τ ) + R 2 ( τ + Δ τ ) ] × [ R 3 ( τ + Δ τ ) + R 4 ( τ + Δ τ ) ] } 1 = = [ R 2 ( τ ) R 4 ( τ ) R 1 ( τ ) R 3 ( τ ) ] × { [ R 1 ( τ ) + R 2 ( τ ) ] × [ R 3 ( τ ) + R 4 ( τ ) ] } 1 . ( 6 )

Анализ полученного условия показывает, что его с точки зрения математики можно обеспечить при бесчисленном множестве сочетаний сопротивлений тензорезисторов и их функциональных зависимостей от времени. В то же время, любые сочетания в случае неравенства сопротивлений различных тензорезисторов мостовой измерительной цепи НиМЭМС потребуют для выполнения условий стабильности различных, взаимосвязанных и точных функциональных зависимостей сопротивлений тензорезисторов от времени. Аналогично любые сочетания в случае различия функциональных зависимостей тензорезисторов от времени потребуют для выполнения условий стабильности различных и взаимосвязанных сопротивлений тензорезисторов их функциональных зависимостей от времени. Учитывая, что такие функциональные зависимости очень трудно реализуемы, с точки зрения практической реализуемости оптимальным являются частные условия стабильности в виде равенства сопротивлений тензорезисторов в начальный момент времени и одинаковые функциональные зависимости этих сопротивлений от времени, то есть

R 1 ( τ ) = R 2 ( τ ) = R 3 ( τ ) = R 4 ( τ ) = R ( τ ) , ( 7 )

R 1 ( τ + Δ τ ) = R 2 ( τ + Δ τ ) = R 3 ( τ + Δ τ ) = R 4 ( τ + Δ τ ) = R ( τ + Δ τ ) , ( 8 )

где R(τ), R(τ+Δτ) - сопротивления тензорезисторов в различные моменты времени вне зависимости от номера тензорезистора в мостовой схеме.

Тогда можно записать соотношения (7), (8) в сокращенном виде

R j ( τ ) = R ( τ ) ,  R j ( τ + Δ τ ) = R ( τ + Δ τ ) ( 9 )

В результате анализа взаимосвязи тонкопленочных элементов тензорезистора (фиг.1) можно определить сопротивление j-го тонкопленочного тензорезистора в момент временит и (τ+Δτ) соответственно

R j ( τ ) = R P j ( τ ) + 2 R P A j ( τ ) + 2 R A j ( τ ) + 2 R A K j ( τ ) + 2 R K j ( τ ) + 2 R К П j ( τ ) + 2 R П j ( τ ) , ( 10 )

R j ( τ + Δ τ ) = R P j ( τ + Δ τ ) + 2 R P A j ( τ + Δ τ ) + R A j ( τ + Δ τ ) + 2 R A K j ( τ + Δ τ ) + 2 R K j ( τ + Δ τ ) + 2 R К П j ( τ + Δ τ ) + 2 R П j ( τ + Δ τ )                                                                                                  , ( 11 )

где RPj, RAj, RKj, RПj, - соответственно сопротивление тензорезистивного, адгезионного, контактного, проводящего элемента j-го тензорезистора; RPAj, RAKj, RКПj - соответственно сопротивление переходов элементов тензорезистивный - адгезионный, адгезионный - контактный, контактный - проводящий j-го тензорезистора.

В самом общем случае сопротивление каждого элемента тонкопленочного тензорезистора полностью определяется удельным поверхностным сопротивлением, эффективной длиной и эффективной шириной элемента или перехода. Причем экспериментальные исследования долговременного влияния внешних воздействующих факторов на датчики давления на основе тонкопленочных НиМЭМС показали, что в наибольшей степени на параметры, определяющие сопротивление тензорезисторов, влияют деформации, температуры и время. Поэтому можно в соответствии с выражениями (10), (11) представить сопротивления тонкопленочных тензорезисторов в виде следующих выражений:

Проведя необходимые преобразования, получаем заявляемое соотношение по п.1 формулы изобретения. Полученные расширенные частные условия стабильности (14), (15) могут выполняться при бесчисленном множестве сочетаний сопротивлений элементов тензорезисторов и их функциональных зависимостей от деформаций, температуры и времени. По аналогии с предыдущими рассуждениями любые сочетания в случае неравенства сопротивлений элементов тензорезисторов мостовой измерительной цепи НиМЭМС и неидентичности их функциональных зависимостей от воздействующих факторов потребуют для выполнения расширенных частных условий стабильности различных, взаимосвязанных и точных функциональных зависимостей сопротивлений тензорезисторов. Учитывая, что такие функциональные зависимости очень трудно реализуемы, можно записать частные условия стабильности НиМЭМС в виде

Соотношение (16) соответствует соотношению п.2 формулы заявляемого изобретения.

Внедрение заявляемых решений в тонкопленочные тензорезисторные датчики давления обеспечивает повышение временной стабильности при воздействии детерминированных воздействующих факторов не менее чем в 1,6 раза при сравнительно небольших затратах, что позволяет соответственно увеличить ресурс и срок службы датчиков. Таким образом, техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение временной стабильности, ресурса, срока службы за счет оптимизации размещения и выполнения элементов, переходов тензорезисторов и их характеристик с учетом факторов, воздействующих на эти элементы и переходы, приводящих к почти одинаковому временному изменению сопротивления этих тензорезисторов, в том числе вследствие почти одинаковой скорости деградационных и релаксационных процессов в тензорезисторах, включенных в противолежащие плечи мостовой измерительной цепи.

Источники известности:

1 RU. Белозубов Е.М. Датчик давления и способ его изготовления. Патент №2095772. Бюл. №6. 10.11.97

2 RU. Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е. Способ изготовления тонкопленочного тензорезисторного датчика давления. Патент РФ №2423678. Бюл. №19 от 10.07.11.

Похожие патенты RU2488082C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОСТАБИЛЬНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2012
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Чернов Павел Сергеевич
RU2487328C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2013
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Дмитриенко Алексей Геннадиевич
  • Белозубова Нина Евгеньевна
RU2522770C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2012
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Дмитриенко Алексей Геннадиевич
  • Белозубова Нина Евгеньевна
RU2512142C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2013
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Дмитриенко Алексей Геннадиевич
  • Белозубова Нина Евгеньевна
RU2528541C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2012
  • Дмитриенко Алексей Геннадиевич
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Белозубова Нина Евгеньевна
RU2505791C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2012
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Белозубова Нина Евгеньевна
  • Козлова Наталья Анатольевна
RU2498249C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2010
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Белозубова Нина Евгеньевна
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Савинова Юлия Алексеевна
RU2430343C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ И ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ЕГО ОСНОВЕ 2009
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Чернов Павел Сергеевич
RU2398195C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ТОЧНОСТИ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ТОНКОПЛЕНОЧНЫМИ ТЕНЗОРЕЗИСТОРАМИ 2010
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Чернов Павел Сергеевич
RU2411474C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2013
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Дмитриенко Алексей Геннадиевич
  • Белозубова Нина Евгеньевна
RU2545314C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 488 082 C1

Реферат патента 2013 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектрических систем с мостовой измерительной цепью, предназначенным для использования в системах управления, контроля и диагностики технически сложных объектов длительного функционирования. Техническим результатом изобретения является повышение временной стабильности, ресурса, срока службы. Способ изготовления датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектрической системы заключается в полировании поверхности мембраны, формировании на ней диэлектрической пленки и тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними с использованием шаблона тензочувствительного слоя. Тензочувствительный слой имеет конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками, в виде полос, включающих изображения тензоэлементов и их продолжения в два противоположных направления, а в зонах совмещаемых с контактными площадками - частично совпадающую с конфигурацией контактных площадок и удаленных от полос участков, присоединении выводных проводников к контактным площадкам в областях, удаленных от полос участков. Размещают и выполняют элементы и переходы тензорезисторов таким образом, что их характеристики и факторы, воздействующие на эти элементы и переходы, удовлетворяют соответствующему соотношению. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Формула изобретения RU 2 488 082 C1

1. Способ изготовления датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектрической системы (НиМЭМС), заключающийся в полировании поверхности мембраны, формировании на ней диэлектрической пленки и тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними с использованием шаблона тензочувствительного слоя, имеющего конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками, в виде полос, включающих изображения тензоэлементов и их продолжения в два противоположных направления, а в зонах, совмещаемых с контактными площадками - частично совпадающую с конфигурацией контактных площадок и удаленных от полос участков, присоединении выводных проводников к контактным площадкам в областях, удаленных от полос участков, отличающийся тем, что размещают и выполняют элементы и переходы тензорезисторов таким образом, что их характеристики и факторы, воздействующие на эти элементы и переходы, удовлетворяют соотношению
ρ P J ( ε P J , T P J , τ ) l P J ( ε P J , T P J , τ ) [ b P J ( ε P J , T P J , τ ) ] 1 + 2 ρ P A J ( ε P A J , T P A J , τ ) l P A J ( ε P A J , T P A J , τ ) × × [ b P A J ( ε P A J , T P A J , τ ) ] 1 + 2 ρ A J ( ε A J , T A J , τ ) l A J ( ε A J , T A J , τ ) [ b A J ( ε A J , T A J , τ ) ] 1 + + 2 ρ A K J ( ε A K J , T A K J , τ ) × l A K J ( ε A K J , T A K J , τ ) [ b A K J ( ε A K J , T A K J , τ ) ] 1 + + 2 ρ K J ( ε K J , T K J , τ ) l K J ( ε K J , T K J , τ K J ) [ b K J ( ε K J , T K J , τ ) ] 1 + + 2 ρ К П J ( ε K J , T K J , τ ) l К П J ( ε K J , T K J , τ ) [ b К П J ( ε K J , T K J , τ ) ] 1 + 2 ρ П J ( ε П J , T П J , τ ) l П J ( ε П J , T П J , τ ) × × [ b П J ( ε П J , T П J , τ ) ] 1 ρ P J ( ε P J , T P J , τ + Δ τ ) l P J ( ε P J , T P J , τ + Δ τ ) [ b P J ( ε P J , T P J , τ + Δ τ ) ] 1 2 ρ P A J ( ε P A J , T P A J , τ + Δ τ ) × l P A J ( ε P A J , T P A J , τ + Δ τ ) × [ b P A J ( ε P A J , T P A J , τ + Δ τ ) ] 1 2 ρ A J ( ε A J , T A J , τ + Δ τ ) l A J ( ε A J , T A J , τ + Δ τ ) × [ b A J ( ε A J , T A J , τ + Δ τ ) ] 1 2 ρ A K J ( ε A K J , T A K J , τ + Δ τ ) l A K J ( ε A K J , T A K J , τ + Δ τ ) × [ b A K J ( ε A K J , T A K J , τ + Δ τ ) ] 1 2 ρ K J ( ε K J , T K J , τ + Δ τ ) l K J ( ε K J , T K J τ + Δ τ ) [ b K J ( ε K J , T K J , τ + Δ τ ) ] 1 2 ρ К П J ( ε K J , T K J , τ + Δ τ ) × l К П J ( ε K J , T K J , τ + Δ τ ) [ b К П J ( ε K J , T K J , τ + τ ) ] 1 2 ρ П J ( ε П J , T П J , τ + Δ τ ) × l П J ( ε П J , T П J , τ ) [ b П J ( ε П J , T П J , τ + Δ τ ) ] 1 Ψ c , ( 1 )
где ρPj, ρPAJ, ρAJ, ρAKJ, ρKJ, ρПJ, ρКПJ, - эффективное удельное поверхностное сопротивление соответствующих элементов и переходов; lPJ, lPAJ, lAJ, lAKJ, lKJ, lКПJ, lПJ - эффективная длина соответствующих элементов и переходов; bPJ, bPAJ, bAJ,, bAKJ, bKJ, bКПJ, bПJ, - эффективная ширина соответствующих элементов и переходов j-го тензорезистора; εPJ, εPAJ, εAJ, εAKJ; εKJ, εКПJ, εПJ - относительная деформация, воздействующая на соответствующие элементы и переходы; TPJ, TPAJ, TAJ, TAKJ, TKJ, TКПJ, TПJ - температура, воздействующая на соответствующие элементы и переходы; индексы PJ, AJ, KJ, ПJ означают принадлежность соответствующих характеристик или факторов адгезионному, контактному, проводящему элементам j-го тензорезистора; индексы PAJ, AKJ, КПJ означают принадлежность соответствующих характеристик или факторов переходам резистивный - адгезионный, адгезионный - контактный, контактный - проводящий j-го тензорезистора; j=1, 2, 3, 4 - номер тензорезистора в мостовой схеме; τ - начало отсчета времени; Δτ - тестовый интервал времени; Ψс - разностный критерий стабильности.

2. Способ изготовления датчика давления на основе тонкопленочной НиМЭМС по п.1, отличающийся тем, что размещают и выполняют элементы и переходы тензорезисторов таким образом, что их характеристики и факторы, воздействующие на эти элементы и переходы, удовлетворяют соотношению
ρ P j = ρ P 1 ,   ε Pj = ε P 1 ,  T Pj = T P 1 ,  l Pj = l P 1 ,  b Pj = b P 1   ρ PAJ = ρ P A 1 ,   ε PAj = ε P A 1 ,  T PAj = T P A 1 ,  l PAj = l P A 1 , b PAj = b P A 1 ,   ρ AJ = ρ A 1 ,   ε Aj = ε A 1 ,  T Aj = T A 1 ,  l Aj = l A 1 ,  b Aj = b A 1 ,   ρ AKJ = ρ K A 1 ,   ε AKj = ε A K 1 ,   T AKj = T A K 1 ,  l AKj = l A K 1 ,  b AKj = b A K 1 ,   ρ K J = ρ K 1 ,   ε K j = ε K 1 ,  T Kj = T K 1 ,  l Kj = l K1 ,  b Kj = b K1 , ρ КПJ = ρ К П 1 ,   ε КПj = ε К П 1 ,  T КПj = T КП1 ,  l КПj = l КП1 ,  b КПj = b КП1 ,   ρ ПJ = ρ П 1 ,   ε Пj = ε П 1 ,  T Пj = T П 1 ,   l Пj = l П1 , b Пj = b П1 .

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2013 года RU2488082C1

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ЧАСТОТНЫМ ВЫХОДНЫМ СИГНАЛОМ 2009
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Громков Николай Валентинович
RU2398196C1
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2009
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Белозубова Нина Евгеньевна
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Васильева Светлана Александровна
RU2397461C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2009
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Васильева Светлана Александровна
  • Громков Николай Валентинович
RU2397460C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ С ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ 2009
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Чернов Павел Сергеевич
RU2399031C1

RU 2 488 082 C1

Авторы

Белозубов Евгений Михайлович

Белозубова Нина Евгеньевна

Васильев Валерий Анатольевич

Майоров Виталий Юрьевич

Чернов Павел Сергеевич

Даты

2013-07-20Публикация

2012-03-11Подача