Показать метаданные Скрыть метаданные

(19)

(11)

2 488 082

(13)

(51)

МПК

G01L9/04(2006-01-01)

(21) (22)

Заявка

2012109177/28, 2012-03-11

(24)

Дата начала отсчета патента

2012-03-11

(22)

дата подачи заявки

2012-03-11

(45)

опубликовано

2013-07-20

(72)

авторы

Белозубов Евгений МихайловичБелозубова Нина ЕвгеньевнаВасильев Валерий АнатольевичМайоров Виталий ЮрьевичЧернов Павел Сергеевич

(73)

патентообладатели

(56)

Документы, цитированные в отчете о поиске

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ Российский патент 2013 года по МПК G01L9/04

Описание патента на изобретение RU2488082C1

Предлагаемое изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектрических систем с мостовой измерительной цепью, предназначенным для использования в системах управления, контроля и диагностики технически сложных объектов длительного функционирования.

Известен способ изготовления датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектрической системы (НиМЭМС), предназначенного для использования в системах управления, контроля и диагностики технически сложных объектов длительного функционирования, заключающийся в полировании поверхности мембраны, нанесении на нее диэлектрика, формировании на нем тензочувствительной схемы, присоединении контактной колодки к упругому элементу и присоединении контактов колодки к контактным площадкам тензочувствительной схемы, в котором перед нанесением диэлектрика изготавливают диэлектрическую втулку непосредственно в выемке упругого элемента, полируют поверхность мембраны одновременно с полировкой торца втулки, после чего наносят диэлектрик на мембрану упругого элемента и торец втулки и формируют тензосхему на диэлектрике мембраны и втулки [1].

Недостатком известного способа изготовления является сравнительно большая временная нестабильность вследствие различной формы окружных и радиальных тензорезисторов, включенных в противоположные плечи мостовой измерительной цепи. Это связано с тем, что различная форма тензорезисторов приводит к разному временному изменению сопротивления этих тензорезисторов, в том числе вследствие различной скорости деградационных и релаксационных процессов в окружных и радиальных тензорезисторах.

Известен способ изготовления датчика давления на основе тонкопленочной НиМЭМС, предназначенного для использования в системах управления, контроля и диагностики технически сложных объектов длительного функционирования, заключающийся в полировании поверхности мембраны, формировании на ней диэлектрической пленки и тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними с использованием шаблона тензочувствительного слоя, имеющего конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками, в виде полос, включающих изображения тензоэлементов и их продолжения в два противоположных направления, а в зонах совмещаемых с контактными площадками - частично совпадающую с конфигурацией контактных площадок и удаленных от полос участков, присоединении выводных проводников к контактным площадкам в областях, удаленных от полос участков [2].

Недостатком известного способа изготовления является сравнительно низкая временная стабильность вследствие неоптимального размещения и выполнения элементов, переходов тензорезисторов и их характеристик относительно факторов, воздействующих на эти элементы и переходы при эксплуатации, приводящих к разному временному изменению сопротивления этих тензорезисторов, в том числе вследствие различной скорости деградационных и релаксационных процессов в тензорезисторах, включенных в противолежащие плечи мостовой измерительной схемы. Недостаточная временная стабильность датчика приводит к уменьшению его ресурса и срока службы.

Целью предлагаемого изобретения является повышение временной стабильности, ресурса, срока службы за счет оптимизации размещения и выполнения элементов, переходов тензорезисторов и их характеристик с учетом факторов, воздействующих на эти элементы и переходы, приводящих к почти одинаковому временному изменению сопротивления этих тензорезисторов, в том числе вследствие почти одинаковой скорости деградационных и релаксационных процессов в тензорезисторах, включенных в противолежащие плечи мостовой измерительной цепи.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления датчика давления на основе тонкопленочной НиМЭМС, заключающемся в полировании поверхности мембраны, формировании на ней диэлектрической пленки и тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними с использованием шаблона тензочувствительного слоя, имеющего конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками, в виде полос, включающих изображения тензоэлементов и их продолжения в два противоположных направления, а в зонах совмещаемых с контактными площадками - частично совпадающую с конфигурацией контактных площадок и удаленных от полос участков, присоединении выводных проводников к контактным площадкам в областях, удаленных от полос участков в соответствии с заявляемым изобретением размещают и выполняют элементы и переходы тензорезисторов таким образом, что их характеристики и факторы, воздействующие на эти элементы и переходы, удовлетворяют соотношению

где ρ_Pj, ρ_PAJ, ρ_AJ, ρ_AKJ, ρ_KJ, ρ_ПJ, ρ_KПJ, - эффективное удельное поверхностное сопротивление соответствующих элементов и переходов; l_PJ, l_PAJ, l_AJ, l_AKJ, l_KJ, l_KПJ, l_ПJ - эффективная длина соответствующих элементов и переходов; b_PJ, b_PAJ, b_AJ,, b_AKJ, b_KJ, b, b_ПJ, - эффективная ширина соответствующих элементов и переходов j-ого тензорезистора; ε_PJ, ε_PAJ, ε_AJ, ε_AKJ, ε_KJ, ε_KПJ, ε_ПJ - относительная деформация, воздействующая на соответствующие элементы и переходы; T_PJ, T_PAJ, T_AJ, T_AKJ, T_KJ, T_KПJ, T_ПJ - температура, воздействующая на соответствующие элементы и переходы; индексы _PJ, _AJ, _KJ, _ПJ означают принадлежность соответствующих характеристик или факторов адгезионному, контактному, проводящему элементам j - тензорезистора; индексы _PAJ, _AKJ, _КПJ, означают принадлежность соответствующих характеристик или факторов переходам резистивный - адгезионный, адгезионный - контактный, контактный - проводящий j - тензорезистора; j = 1, 2, 3, 4 - номер тензорезистора в мостовой схеме; τ - начало отсчета времени; Δτ - тестовый интервал времени; Ψ_c - разностный критерий стабильности.

Кроме того, согласно предполагаемому изобретения размещают и выполняют элементы и переходы тензорезисторов таким образом, что их характеристики и факторы, воздействующие на эти элементы и переходы, удовлетворяют соотношению

Заявляемый способ реализуется следующим образом. Изготавливают (например, из сплава 36НКВХБТЮ) мембрану с периферийным основанием в виде оболочки вращения методами лезвийной обработки с применением на последних стадиях электроэрозионной обработки. Полируют поверхность мембраны с использованием электрохимикомеханической доводки и полировки или алмазной доводки и полировки. Методами тонкопленочной технологии на планарной поверхности мембраны последовательно наносят сплошными слоями диэлектрическую пленку в виде структуры SiO-SiO₂ с подслоем хрома, тензочувствительную пленку (к примеру, из сплава Х20Н75Ю). При формировании перемычек и контактных площадок методом фотолитографии низкомную пленку (например, из золота Зл 999,9 м), с подслоем (ванадия) наносят сплошным слоем на тензочувствительную пленку (из сплава Х20Н75Ю). Формируют перемычки и контактные площадки методом фотолитографии с использованием шаблона перемычек и контактных площадок. Формирование перемычек и контактных площадок можно проводить масочным методом. В этом случае, низкоомная пленка сплошным слоем не наносится, а напыляется через маску.

Формирование тензоэлементов проводят методом фотолитографии с использованием ионно-химического травления в среде аргона и шаблона тензочувствительного слоя, имеющего конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками, в виде полос, включающих изображения тензоэлементов и их продолжения в два противоположных направления, а в зонах, совмещаемых с контактными площадками - частично совпадающую с конфигурацией контактных площадок и удаленных от полос участков.

Размещают и выполняют элементы и переходы тензорезисторов таким образом, что их характеристики и факторы, воздействующие на эти элементы и переходы, удовлетворяют заявляемому соотношению. Предлагаемое решение предназначено для использования в датчиках давления, подвергающихся при эксплуатации детерминированным воздействующим факторам. Размещение и выполнение элементов и переходов тензорезисторов осуществляется с помощью специально разработанной компьютерной программы. Величину разностного критерия стабильности Ψ_c определяют расчетно-экспериментальным путем по статистическим данным для конкретного типоразмера датчиков.

Для установления причинно-следственной связи заявляемых признаков и достигаемого технического эффекта рассмотрим наиболее общие элементы тонкопленочных тензорезисторов, используемые при создании НиМЭМС. Анализ известных решений показал, что к таким элементам можно отнести следующие тонкопленочные элементы изображенные на фиг.1: диэлектрический 1, тензорезистивный 2, адгезионный 3, контактный 4, а также соответствующие переходы между этими элементами.

Назначение вышеперечисленных элементов ясно из их названия. К элементам тонкопленочных тензорезисторов, влияющих на стабильность, необходимо отнести также и тонкопленочные проводящие элементы. На фиг.1 соотношения между толщинами тонкопленочных элементов и клины травления условно не изображены. Проводящие элементы тензорезисторов соединены последовательно с контактными элементами и используются для соединения тензорезисторов в мостовую измерительную цепь и с цепью питания и преобразования сигнала. С точки зрения повышения стабильности будем рассматривать только проводящие элементы, находящихся в областях от контактных элементов до узлов мостовой измерительной цепи. Как правило, эти узлы совпадают с местами присоединения выводных проводников, соединяющих мостовую цепь с цепью питания и преобразования сигнала. При выполнении НиМЭМС с мостовой измерительной цепью из четырех рабочих тензорезисторов, как это изображено на фиг.2, при отсутствии элементов термокомпенсации выходной сигнал НиМЭМС в стационарном температурном режиме будет равен

$U = E (\frac{R_{4}}{R_{3} + R_{4}} - \frac{R_{1}}{R_{1} + R_{2}}), (3)$

где Е - напряжение питания мостовой измерительной цепи; R₁, R₂, R₃, R₄ - сопротивление тензорезисторов R1, R2, R3, R4.

Проведя необходимые преобразования, получим

$U = E (R_{2} R_{4} - R_{1} R_{3}) {[(R_{1} + R_{2}) (R_{3} + R_{4})]}^{- 1} . (4)$

Определим условие временной стабильности НиМЭМС в виде

$U (τ + Δ τ) = U (τ) (5)$

где U(τ+Δτ) - начальный выходной сигнал в момент времени (τ+Δτ); U(τ) - начальный выходной сигнал в момент времени τ.

После подстановки в выражение (5) выражения (4) и обеспечения необходимой стабильности источника питания E(τ+Δτ)=E(τ) получим условие стабильности НиМЭМС в развернутом виде

$\begin{array}{l} [R_{2} (τ + Δ τ) R_{4} (τ + Δ τ) - R_{1} (τ + Δ τ) R_{3} (τ + Δ τ)] \times {[R_{1} (τ + Δ τ) + R_{2} (τ + Δ τ)] \times [R_{3} (τ + Δ τ) + R_{4} (τ + Δ τ)]}^{- 1} = \\ = [R_{2} (τ) R_{4} (τ) - R_{1} (τ) R_{3} (τ)] \times {[R_{1} (τ) + R_{2} (τ)] \times [R_{3} (τ) + R_{4} (τ)]}^{- 1} \end{array} . (6)$

Анализ полученного условия показывает, что его с точки зрения математики можно обеспечить при бесчисленном множестве сочетаний сопротивлений тензорезисторов и их функциональных зависимостей от времени. В то же время, любые сочетания в случае неравенства сопротивлений различных тензорезисторов мостовой измерительной цепи НиМЭМС потребуют для выполнения условий стабильности различных, взаимосвязанных и точных функциональных зависимостей сопротивлений тензорезисторов от времени. Аналогично любые сочетания в случае различия функциональных зависимостей тензорезисторов от времени потребуют для выполнения условий стабильности различных и взаимосвязанных сопротивлений тензорезисторов их функциональных зависимостей от времени. Учитывая, что такие функциональные зависимости очень трудно реализуемы, с точки зрения практической реализуемости оптимальным являются частные условия стабильности в виде равенства сопротивлений тензорезисторов в начальный момент времени и одинаковые функциональные зависимости этих сопротивлений от времени, то есть

$R_{1} (τ) = R_{2} (τ) = R_{3} (τ) = R_{4} (τ) = R (τ), (7)$

$R_{1} (τ + Δ τ) = R_{2} (τ + Δ τ) = R_{3} (τ + Δ τ) = R_{4} (τ + Δ τ) = R (τ + Δ τ), (8)$

где R(τ), R(τ+Δτ) - сопротивления тензорезисторов в различные моменты времени вне зависимости от номера тензорезистора в мостовой схеме.

Тогда можно записать соотношения (7), (8) в сокращенном виде

$R_{j} (τ) = R (τ), R_{j} (τ + Δ τ) = R (τ + Δ τ) (9)$

В результате анализа взаимосвязи тонкопленочных элементов тензорезистора (фиг.1) можно определить сопротивление j-го тонкопленочного тензорезистора в момент временит и (τ+Δτ) соответственно

$R_{j} (τ) = R_{P j} (τ) + 2 R_{P A j} (τ) + 2 R_{A j} (τ) + 2 R_{A K j} (τ) + 2 R_{K j} (τ) + 2 R_{К П}_{j} (τ) + 2 R_{П j} (τ), (10)$

$\begin{array}{l} R_{j} (τ + Δ τ) = R_{P j} (τ + Δ τ) + 2 R_{P A j} (τ + Δ τ) + R_{A j} (τ + Δ τ) + 2 R_{^{A K j}} (τ + Δ τ) + 2 R_{K j} (τ + Δ τ) + \\ 2 R_{К П j} (τ + Δ τ) + 2 R_{П j} (τ + Δ τ), (11) \end{array}$

где R_Pj, R_Aj, R_Kj, R_Пj, - соответственно сопротивление тензорезистивного, адгезионного, контактного, проводящего элемента j-го тензорезистора; R_PAj, R_AKj, R_КПj - соответственно сопротивление переходов элементов тензорезистивный - адгезионный, адгезионный - контактный, контактный - проводящий j-го тензорезистора.

В самом общем случае сопротивление каждого элемента тонкопленочного тензорезистора полностью определяется удельным поверхностным сопротивлением, эффективной длиной и эффективной шириной элемента или перехода. Причем экспериментальные исследования долговременного влияния внешних воздействующих факторов на датчики давления на основе тонкопленочных НиМЭМС показали, что в наибольшей степени на параметры, определяющие сопротивление тензорезисторов, влияют деформации, температуры и время. Поэтому можно в соответствии с выражениями (10), (11) представить сопротивления тонкопленочных тензорезисторов в виде следующих выражений:

Проведя необходимые преобразования, получаем заявляемое соотношение по п.1 формулы изобретения. Полученные расширенные частные условия стабильности (14), (15) могут выполняться при бесчисленном множестве сочетаний сопротивлений элементов тензорезисторов и их функциональных зависимостей от деформаций, температуры и времени. По аналогии с предыдущими рассуждениями любые сочетания в случае неравенства сопротивлений элементов тензорезисторов мостовой измерительной цепи НиМЭМС и неидентичности их функциональных зависимостей от воздействующих факторов потребуют для выполнения расширенных частных условий стабильности различных, взаимосвязанных и точных функциональных зависимостей сопротивлений тензорезисторов. Учитывая, что такие функциональные зависимости очень трудно реализуемы, можно записать частные условия стабильности НиМЭМС в виде

Соотношение (16) соответствует соотношению п.2 формулы заявляемого изобретения.

Внедрение заявляемых решений в тонкопленочные тензорезисторные датчики давления обеспечивает повышение временной стабильности при воздействии детерминированных воздействующих факторов не менее чем в 1,6 раза при сравнительно небольших затратах, что позволяет соответственно увеличить ресурс и срок службы датчиков. Таким образом, техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение временной стабильности, ресурса, срока службы за счет оптимизации размещения и выполнения элементов, переходов тензорезисторов и их характеристик с учетом факторов, воздействующих на эти элементы и переходы, приводящих к почти одинаковому временному изменению сопротивления этих тензорезисторов, в том числе вследствие почти одинаковой скорости деградационных и релаксационных процессов в тензорезисторах, включенных в противолежащие плечи мостовой измерительной цепи.

Источники известности:

1 RU. Белозубов Е.М. Датчик давления и способ его изготовления. Патент №2095772. Бюл. №6. 10.11.97

2 RU. Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е. Способ изготовления тонкопленочного тензорезисторного датчика давления. Патент РФ №2423678. Бюл. №19 от 10.07.11.

Иллюстрации к изобретению RU 2 488 082 C1

Реферат патента 2013 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектрических систем с мостовой измерительной цепью, предназначенным для использования в системах управления, контроля и диагностики технически сложных объектов длительного функционирования. Техническим результатом изобретения является повышение временной стабильности, ресурса, срока службы. Способ изготовления датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектрической системы заключается в полировании поверхности мембраны, формировании на ней диэлектрической пленки и тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними с использованием шаблона тензочувствительного слоя. Тензочувствительный слой имеет конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками, в виде полос, включающих изображения тензоэлементов и их продолжения в два противоположных направления, а в зонах совмещаемых с контактными площадками - частично совпадающую с конфигурацией контактных площадок и удаленных от полос участков, присоединении выводных проводников к контактным площадкам в областях, удаленных от полос участков. Размещают и выполняют элементы и переходы тензорезисторов таким образом, что их характеристики и факторы, воздействующие на эти элементы и переходы, удовлетворяют соответствующему соотношению. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Формула изобретения RU 2 488 082 C1

1. Способ изготовления датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектрической системы (НиМЭМС), заключающийся в полировании поверхности мембраны, формировании на ней диэлектрической пленки и тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними с использованием шаблона тензочувствительного слоя, имеющего конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками, в виде полос, включающих изображения тензоэлементов и их продолжения в два противоположных направления, а в зонах, совмещаемых с контактными площадками - частично совпадающую с конфигурацией контактных площадок и удаленных от полос участков, присоединении выводных проводников к контактным площадкам в областях, удаленных от полос участков, отличающийся тем, что размещают и выполняют элементы и переходы тензорезисторов таким образом, что их характеристики и факторы, воздействующие на эти элементы и переходы, удовлетворяют соотношению
$\begin{array}{l} ρ_{P J} (ε_{P J}, T_{P J}, τ) l_{P J} (ε_{P J}, T_{P J}, τ) {[b_{P J} (ε_{P J}, T_{P J}, τ)]}^{- 1} + 2 ρ_{P A J} (ε_{P A J}, T_{P A}_{J}, τ) l_{P A J} (ε_{P A J}, T_{P A J}, τ) \times \\ \times {[b_{P A J} (ε_{P A J}, T_{P A J}, τ)]}^{- 1} + 2 ρ_{A J} (ε_{A J}, T_{A J}, τ) l_{A J} (ε_{A J}, T_{A J}, τ) {[b_{A J} (ε_{A J}, T_{A J}, τ)]}^{- 1} + \\ + 2 ρ_{A K J} (ε_{A K J}, T_{A K J}, τ) \times l_{A K J} (ε_{A K J}, T_{A K J}, τ) {[b_{A K J} (ε_{A K J}, T_{A K J}, τ)]}^{- 1} + \\ + 2 ρ_{K J} (ε_{K J}, T_{K J}, τ) l_{K J} (ε_{K J}, T_{K J}, τ_{K J}) {[b_{K J} (ε_{K J}, T_{K J}, τ)]}^{- 1} + \\ + 2 ρ_{К П J} (ε_{K J}, T_{K J}, τ) l_{К П J} (ε_{K J}, T_{K J}, τ) {[b_{К П J} (ε_{K J}, T_{K J}, τ)]}^{- 1} + 2 ρ_{П J} (ε_{П J}, T_{П J}, τ) l_{П J} (ε_{П J}, T_{П J}, τ) \times \\ \times {[b_{П J} (ε_{П J}, T_{П J}, τ)]}^{- 1} - ρ_{P J} (ε_{P J}, T_{P J}, τ + Δ τ) l_{P J} (ε_{P J}, T_{P J}, τ + Δ τ) {[b_{P J} (ε_{P J}, T_{P J}, τ + Δ τ)]}^{- 1} - \\ - 2 ρ_{P A J} (ε_{P A J}, T_{P A J}, τ + Δ τ) \times l_{P A J} (ε_{P A J}, T_{P A J}, τ + Δ τ) \times {[b_{P A J} (ε_{P A J}, T_{P A J}, τ + Δ τ)]}^{- 1} - \\ - 2 ρ_{A J} (ε_{A J}, T_{A J}, τ + Δ τ) l_{A J} (ε_{A J}, T_{A J}, τ + Δ τ) \times {[b_{A J} (ε_{A J}, T_{A J}, τ + Δ τ)]}^{- 1} - \\ - 2 ρ_{A K J} (ε_{A K J}, T_{A K J}, τ + Δ τ) l_{A K J} (ε_{A K J}, T_{A K J}, τ + Δ τ) \times {[b_{A K J} (ε_{A K J}, T_{A K J}, τ + Δ τ)]}^{- 1} - \\ - 2 ρ_{K J} (ε_{K J}, T_{K J}, τ + Δ τ) l_{K J} (ε_{K J}, T_{K J} τ + Δ τ) {[b_{K J} (ε_{K J}, T_{K J}, τ + Δ τ)]}^{- 1} - \\ - 2 ρ_{К П J} (ε_{K J}, T_{K J}, τ + Δ τ) \times l_{К П J} (ε_{K J}, T_{K J}, τ + Δ τ) {[b_{К П J} (ε_{K J}, T_{K J}, τ + τ)]}^{- 1} - \\ - 2 ρ_{П J} (ε_{П J}, T_{П J}, τ + Δ τ) \times l_{П J} (ε_{П J}, T_{П J}, τ) {[b_{П J} (ε_{П J}, T_{П J}, τ + Δ τ)]}^{- 1} \leq Ψ_{c}, \end{array} (1)$
где ρ_Pj, ρ_PAJ, ρ_AJ, ρ_AKJ, ρ_KJ, ρ_ПJ, ρ_КПJ, - эффективное удельное поверхностное сопротивление соответствующих элементов и переходов; l_PJ, l_PAJ, l_AJ, l_AKJ, l_KJ, l_КПJ, l_ПJ - эффективная длина соответствующих элементов и переходов; b_PJ, b_PAJ, b_AJ,, b_AKJ, b_KJ, b_КПJ, b_ПJ, - эффективная ширина соответствующих элементов и переходов j-го тензорезистора; ε_PJ, ε_PAJ, ε_AJ, ε_AKJ; ε_KJ, ε_КПJ, ε_ПJ - относительная деформация, воздействующая на соответствующие элементы и переходы; T_PJ, T_PAJ, T_AJ, T_AKJ, T_KJ, T_КПJ, T_ПJ - температура, воздействующая на соответствующие элементы и переходы; индексы _PJ, _AJ, _KJ, _ПJ означают принадлежность соответствующих характеристик или факторов адгезионному, контактному, проводящему элементам j-го тензорезистора; индексы _PAJ, _AKJ, _КПJ означают принадлежность соответствующих характеристик или факторов переходам резистивный - адгезионный, адгезионный - контактный, контактный - проводящий j-го тензорезистора; j=1, 2, 3, 4 - номер тензорезистора в мостовой схеме; τ - начало отсчета времени; Δτ - тестовый интервал времени; Ψ_с - разностный критерий стабильности.

2. Способ изготовления датчика давления на основе тонкопленочной НиМЭМС по п.1, отличающийся тем, что размещают и выполняют элементы и переходы тензорезисторов таким образом, что их характеристики и факторы, воздействующие на эти элементы и переходы, удовлетворяют соотношению
$\begin{array}{l} ρ_{P j} = ρ_{P 1}, ε_{Pj} = ε_{P 1}, T_{Pj} = T_{P 1}, l_{Pj} = l_{P 1}, b_{Pj} = b_{P 1} ρ_{PAJ} = ρ_{P A 1}, ε_{PAj} = ε_{P A 1}, T_{PAj} = T_{P A 1}, l_{PAj} = l_{P A 1}, \\ b_{PAj} = b_{P A 1}, ρ_{AJ} = ρ_{A 1}, ε_{Aj} = ε_{A 1}, T_{Aj} = T_{A 1}, l_{Aj} = l_{A 1}, b_{Aj} = b_{A 1}, ρ_{AKJ} = ρ_{K A 1}, ε_{AKj} = ε_{A K 1}, \\ T_{AKj} = T_{A K 1}, l_{AKj} = l_{A K 1}, b_{AKj} = b_{A K 1}, ρ_{K J} = ρ_{K 1}, ε_{K j} = ε_{K 1}, T_{Kj} = T_{K 1}, l_{Kj} = l_{K1}, b_{Kj} = b_{K1}, \\ ρ_{КПJ} = ρ_{К П 1}, ε_{КПj} = ε_{К П 1}, T_{КПj} = T_{КП1}, l_{КПj} = l_{КП1}, b_{КПj} = b_{КП1}, ρ_{ПJ} = ρ_{П 1}, ε_{Пj} = ε_{П 1}, T_{Пj} = T_{П 1}, \\ l_{Пj} = l_{П1}, b_{Пj} = b_{П1} . \end{array}$

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2013 года RU2488082C1

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ЧАСТОТНЫМ ВЫХОДНЫМ СИГНАЛОМ	2009	Васильев Валерий Анатольевич Громков Николай Валентинович	RU2398196C1
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ	2009	Белозубов Евгений Михайлович Белозубова Нина Евгеньевна Васильев Валерий Анатольевич Васильева Светлана Александровна	RU2397461C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ	2009	Белозубов Евгений Михайлович Васильев Валерий Анатольевич Васильева Светлана Александровна Громков Николай Валентинович	RU2397460C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ С ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ	2009	Белозубов Евгений Михайлович Васильев Валерий Анатольевич Чернов Павел Сергеевич	RU2399031C1

RU 2 488 082 C1

Авторы

Белозубов Евгений Михайлович

Белозубова Нина Евгеньевна

Васильев Валерий Анатольевич

Майоров Виталий Юрьевич

Чернов Павел Сергеевич

Даты

2013-07-20—Публикация

2012-03-11—Подача

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОСТАБИЛЬНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ	2012	Белозубов Евгений Михайлович Васильев Валерий Анатольевич Чернов Павел Сергеевич	RU2487328C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ	2013	Белозубов Евгений Михайлович Дмитриенко Алексей Геннадиевич Белозубова Нина Евгеньевна	RU2522770C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ	2012	Белозубов Евгений Михайлович Дмитриенко Алексей Геннадиевич Белозубова Нина Евгеньевна	RU2512142C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ	2013	Белозубов Евгений Михайлович Дмитриенко Алексей Геннадиевич Белозубова Нина Евгеньевна	RU2528541C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ	2012	Дмитриенко Алексей Геннадиевич Белозубов Евгений Михайлович Белозубова Нина Евгеньевна	RU2505791C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ	2012	Белозубов Евгений Михайлович Белозубова Нина Евгеньевна Козлова Наталья Анатольевна	RU2498249C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ	2010	Белозубов Евгений Михайлович Белозубова Нина Евгеньевна Васильев Валерий Анатольевич Савинова Юлия Алексеевна	RU2430343C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ И ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ЕГО ОСНОВЕ	2009	Белозубов Евгений Михайлович Васильев Валерий Анатольевич Чернов Павел Сергеевич	RU2398195C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ТОЧНОСТИ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ТОНКОПЛЕНОЧНЫМИ ТЕНЗОРЕЗИСТОРАМИ	2010	Белозубов Евгений Михайлович Васильев Валерий Анатольевич Чернов Павел Сергеевич	RU2411474C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ	2013	Белозубов Евгений Михайлович Дмитриенко Алексей Геннадиевич Белозубова Нина Евгеньевна	RU2545314C1