Балансный модулятор Советский патент 1982 года по МПК H03C1/54 

Описание патента на изобретение SU898586A1

(54) БАЛАНСНЫЙ МОДУЛЯТОР

Похожие патенты SU898586A1

название год авторы номер документа
Балансный модулятор (варианты) 1981
  • Мовкаленко Геннадий Егорович
  • Арсеньев Леонид Владимирович
  • Клименков Владимир Федорович
  • Рыбалка Василий Федотович
SU1062844A1
Двойной балансный модулятор 1985
  • Иванютин Владимир Васильевич
SU1378010A1
Балансный модулятор 1987
  • Иванютин Владимир Васильевич
SU1501248A1
Балансный модулятор 1986
  • Иванютин Владимир Васильевич
SU1437962A1
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ ПО СИНФАЗНОМУ СИГНАЛУ 2007
  • Прокопенко Николай Николаевич
  • Конев Даниил Николаевич
  • Попов Алексей Сергеевич
RU2364020C1
Амплитудный модулятор 1990
  • Юзов Владимир Иванович
  • Голосов Александр Афанасьевич
  • Кабанов Василий Абрамович
  • Хазанкин Евгений Григорьевич
  • Чавлытко Владимир Анатольевич
SU1826118A1
Делитель частоты 1983
  • Мовкаленко Геннадий Егорович
  • Демченко Ирина Петровна
SU1234947A1
БАЛАНСНЫЙ МОДУЛЯТОР 1973
  • В. А. Ткаченко, В. Н. Тимонтеев В. Е. Устилко
SU372640A1
Амплитудный модулятор 1978
  • Колесникова Тамара Михайловна
SU758475A1
ИСТОЧНИК ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ 1995
  • Кадель Владимир Ильич
  • Гарцбейн Валерий Михайлович
  • Иванов Аркадий Львович
RU2074492C1

Иллюстрации к изобретению SU 898 586 A1

Реферат патента 1982 года Балансный модулятор

Формула изобретения SU 898 586 A1

1

Изобретение относится к модуляторам и может использоваться в радиоприемны.х устройства.х для восстановления несущей частоты и в радиопередающих устройствах для получения модулированных игналов при щирокополосных .модулирующих сигналах.

Известен балансный модулятор, содержащий четыре транзистора одного типа проводимости, эмиттеры первого и второго транзисторов через частотно-зависимое звено отрицательной обратной связи соединены с -эмиттерами третьего и четвертого транзисторов, базы первого и червертого, второго и третьего транзисторов соединены соответственно с выхода.ми первого и второго входных согласующих узлов, коллекторы второго и третьего транзисторов соединены с вхо- is дами выходного согласующего узла, а коллекторы пербого и четвертого транзисторов соединены между собой 1.

Однако известный балансный модулятор имеет невь1сокую помехоустойчивость по отиоп1ению к спектральным составляющим 20 ипфокополосного модулирующего сигнала.

Целью изобретения является повыщение помехоустойчивости по отнощению к спектральным составляющим щирокополосного модулирующего сигнала.

Для этого в балансном модуляторе, содержащем четыре транзистора одного типа проводимости, эмиттеры первого и второго транзисторов через частото-завнсимое звено отрицательной обратной связи соединены с эмиттерами третьего н четвертого транзисторов, базы первого и четвертого, второго и третьего транзисторов соединены соответственно с выходами первого и второго входных согласующих узлов, коллекторы второго и третьего транзисторов соединены с входами выходного сотасующего узла, а коллекторы первого и четвертого транзисторов соединены между собой, .между точкой соединения коллекторов первого и четвертого транзисторов и шиной питания выходного согласующего узла включено дополнительное частото-зависимое звено отрицательной обратной связи.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного модулятора.

Балансный .модулятор содержит четыре транзистора 1-4 одного типа проводимости, частото-зависимое звено 5 отрицательной обратной (.ияч, i.ipii,, (j И второй 7 входные cof. |;и . иII1III viii,, выходной согласующий уз1М N п л()1; 1,|нительнос часгото-зависимое 3iuiii .I IIpi;Ч1ательной обратной связи. Г)П/1а11М1,1Й моду.лятор работает следующим образом. (лииал, нод;1ежащий модуляции (демодуляции) через второй входной согласующий узел подается на базы второго 2 и третьего 3 транзисторов в противофазе. Низкочас1отиый широконолосный модулирующий сигнал подается через иервый входной С()1ласу1ОИ1ий узел 6 на базы первого 1 и четвертого 4 транзисторов также в иротивофазе, что обеспечивает ноочередное включение второго и третьего транзисторов. Включенное в высокоомную цень коллекторов второго н третьего транзисторов дополниre,),нос частото-зависи.мое звено 9 отринатс. обратной связи (например иараллельный колебательный коитур), настроенное на высокую несущую частоту, создает максимальную отрицательную обратную снязь для составляющих спектра низкочастсиного широкополосного сигнала модуляции ца частоте настройки звена. При этом уменьшается коэффициент передачи второIX) и третьего транзисторов в полосе пропускания звена, и на выходе балансного моду.iHTopa надает величина составляющих спектра модулируюп;его сигнала, совпадающих с несущей частотой, н, следовательно, иовыщается помехоуетойчивость устройства 110 отношению к этим составляющим спектра. Работа устройства в качестве демодулятора аналогичиа. При этом на гпюрой входной согласующий узел 7 поступает фазомаиипулированиый высокочастотный сигнал, а на первый входной согласующий узел 6 поступает сигнал манипуляции, совиадаюигий с сигна.юм манипуляции входного фазоманипулироваиного колебания. При этом в выходном согласующем узле 8 происходит выделение незатухающего колебания (восстановление несущей частоты). Частото-завнсимое звено 5 отрицательной обратной связи включено в эмиттерные всех четырех транзисторов. Структура частото-зависи.мого звена отрицательной обратной связи 5 выбрана так, что оно имеет минимальное сопротивление на частоте выходного сигнала и обеспечивает тем самым минимальную обратную связь для высокочастотного выходного сигнала во втором и третьем транзисторах, т. е. максимальный коэффициент передачи выходного высокочастотного сигнала. Это же частото-зависи.мое звено 5 позволяет также частично ослабить составляющие спектра широкополосного сигнала манипуляции, совпадающие с частотой выходного высокочастотного сигнала за счет шунтирования этим частото-зависимым звеном 5 выходного сопротивлепия транзисторов 1 и 4. Но поскольку выходное сопротивление транзисторов 1 и 4, включенных по схе.ме с общи.м коллектором, мало, то эф.фективность подавления спектральных составляющих спектра щироконолосного сигнала .манипуляции на частоте выходного сигнала часто недостаточна. Х1ля увеличения подавления составляюnuix спектра сигнала манипуляции на выходной высокой частоте в балансный модулятор введено дополнительное частото-зависнмое звено 9 отрицательной обратной связи, структура которого выбрана так, что оно имеет макси.мальное сопротивление на частоте выходного высокочастотного сигнала и создает максимальную отрицательную об)атную связь по цепр; коллектора, снижая, таким образом, коэффициент передачи транзисторов 1 и 4 для соответствующих составляющих спектра. В нредложеином балансном модуляторе иовьпиена ио.мехоустойчивость по отношению к сиектра,:1ьны.м составляющим широкополосного модулирующего сигиала. Балансный модулятор, содержа .ч;.;-; четыре транзистора одного типа )).uiмости, эмиттеры первого и второго T Uii 3:iCTOров через частото-зависи.мое звено отрицательной обратной связи соединенной с эм,т ра.ми третьего и четвертого транзисторси-;. базы первого и четвертого, второго и -ретього траизисторов соединены cooTBCTCTtieiiiio с выходами первого и второго входных coiласующих узлов, коллекторы ) : третьего транзисторов соединены с вход.:Л|:выходного согласующего узла, а коллпктс.ры первого и четвертого транзисторов соединены .между собой, отличающийся тем, что, с целью иовышения по.мехоустойчивости по отношению к спектральным составляющим п ирокололосного модулирующего сигнала, между точкой соединения коллекторов первого и четвертого транзисторов и шиной интания выходного согласующего узла включено дополнительное частото-зависи.мое звено отрицательной обратной связи. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Заявка ФРГ Хг 2536386, П 03 С 1/36, опублик. 1977.

SU 898 586 A1

Авторы

Мовкаленко Геннадий Егорович

Рупышев Альберт Александрович

Соколова Татьяна Ивановна

Левкин Александр Геннадьевич

Даты

1982-01-15Публикация

1979-10-25Подача