Способ генерации цилиндрических магнитных доменов и устройство для его осуществления Советский патент 1982 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для применения в системах обработки дискретной информации, использующих цилиндрические магнитные домены (ЦМД). Известен способ генерации ЦМД и устройство для его реализации, основанные на подаче импульсов тока в петлевой проводник, расположенный на поверхности магнитоодноосной пленки СИ . Недостатком этого способа являетс невозможность генерации ЦМД с простой блохойской стенкой. Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изббрётению является способ генерации ЦМД основанный на репликации доменов при при ложении магнитного поля в плоскости магнитной пленки. В доменосодержааей пленке- генерируют цилиндрический маг нитный домен и управляют положением в нем вертикальных линий Блоха; рас тягивают указанный домен для палуче ния домена, имеющего форму полосы} изменяют направление вектора нг1магничивания стенки вытянутого домена так, чтобы он принял направление,, перпендикулярное к стенке ломена в месте разделения; разделяют вытянуты домен на два круговых цилиндрических домена, причем положение линий Бло- ха и топология стенок формирующихся доменов зависят от направления магнитного поля в плоскости магнитной пленки в период разделения вытянутого домена на два ЦМД,при этом возможна генерация доменов не только с парой линийБлоха, но и с большим числом этих линий, что достигается повторным расцеплением доменов нужное число раз. Такие домены могут быть использованы для многоуровневого кодирования информации С23. Недостатком предлагаемого способа является то, что он не обеспечива ет одноэтапного получения домена без вертикальных линий с простой блоховской стенкой с левьал или правым направлением вращения вектора намагни чивания стенки домена, магнитное состояние которого значительно более устойчиво, чем у ЦМД с линиями Блоха. Цель изобретения - генерация ЦМД с простой блоховской стенкой с заданн1:О1 направлением вращения вектора намагниченности стенки. Поставленная цель достигается тем, что в сэтособе гене рации цилиндрических магнитных доменов, основанном на воздействии на магнитоодноосную плен ку локальным магнитньлм полем, одновременно с воздействием локальным магнитным полем воздействуют на маг нитоодноосную пленку импульсным вихревым магнитным полем заданного направления . Для генерации ЦМД предлагаемым способом быть использовано уст .ройство для генерации ЦПД, содержанее немагнитную подложку с магнитордноосной пленкой, на которой расположен петлевой проводник, которое со держит также расположенный над петлевым проводником изолирующий слой и конденсатор, одна из круговых обкладок которого расположена на изолирующем слое, а другая - на обратной стороне немагнитной подложки, причем хруговые обкладки конденсатора расположены параллельно плоскости магнитооднбосной пленки, а центры круго вых обкладок конденсатора и петлевого проводника лежат на оси, перпендикулярной плоскости магнитродноосг :ной пленки, tJN На чертеже изображена конструкция устройства для генерации ЦМД, используемого для осуществления пред лагаемого способа. Устройство для генерации ЦМД содержит немагнитную подложку 1, на которой размещена эпитаксиально выра14енная магнитоодноосмая пленка 2, содержащая домены. На указанной плен ке 2 расположен йетлевой проводник 3 любой известной конструкции, позволя ющей генерировать цилиндрический маг нитный домен в месте расположения петли, и изолирукйций слой 4, на котором сформирована круговая обкладка 5 конденсатора. BTOpaifi обкладка б конденсатора расположена на обратной стороне немагнитной подложки 1. Центры обкладок 5 и 6 конденсатора и петлевого проводника 3 лежат на одноН оси, перпендикулярной плоскости пленки 2. В соответствии с предлагае фш способе устврйство для генерации ЦМД работает слелуюбдам образом. На петлевой проводник 3 подают .импульсы тока для зарождения цилиндрического магнитного домена в магни; тоодноосной плеике 2. Топсэлогия доменной стенки зарождающегося ЦМД в Iданном случае непредсказуема. С . целью зарождения ЦМД с простой блоховской стенкой одновременно с подачей импульса тока в нуклеационннй проводник, на обкладки 5 и 6 конденсатора подают импульс напряжения тре угольной формы, длительность от генератора импульсов напряжения переднего фронта которого равна длительности импульса тока генератора импульсов тока, а длительность заднего фронта импульса напряжения безразлична. При этом посредством конденсато,ра в плоскости пленки 2 образуется вихревое магнитное поле, которое предопределяет направление вектора намагничивания стенки зарождающегося цилиндрического домена. В зависимости от полярности импульсов напряжения на обкладках 5 и б конденсатора вихревое магнитное поле будет иметь левое или правое направление вращения, и зарождающийся домен будет соответственно иметь левое или правое направление вращения вектора намагниченности доменной стенки. Пpeдлaгae aJй способ генерации ЦМД и устройство для его осуществления позволяют генерировать с простой бЛоховской стенкой с заданным направлением вращения вектора намагниченности стенки. Формула -изобретения 1.Способ генера.ии цилиндрических магнитных доменов, основанный на воздействии на магнитоодноосную пленку локальным магнитным полем, отличающийся тем, что, с целью генерации цилиндрических магнитных доменов с простой блоховской стенкой с заданным йаправлением вращения вектора намагниченности стенки, одновременно с воздействием локальным магнитным полем воздействуют на магнитоодноосную пленку импульсным вихревым магнитным полем заданного направления. 2.Устройство для генерации цилиндрических магнитншс доменов, со держащее немагнитную подложку с магнитоодноосной пленкой, на которой расположен петлевой проводник, отличающееся тем, что оно содержит расположенный нал петлевые проводником изолирующий слой и конденсатор, одна из круговьос обкладок которого расположена на изолирующем слое, а другая - на обратной стороне немагнитной подложки, причем круговые обкладки конденсатора расположены параллельно плоскости магнитоодноосной пленки, а центЕ« круговых обкладок конденсатора; и петлевого проводника лежат на оси, перпендикулярной п/юскости магнитоодноосной пленки. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент спад № 3996577, кл. 340-174, опублик. 1978. 2.Патент СОА 4001794, кл. 340-174, опублик. 1978 (прототип) .

Геме/юто/ау ufrnyjt ci мвл/f/fMftMM