Способ продвижения цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1982 года по МПК G11C11/14 

1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен способ продвижения ЦМД, основанный на создании в доменосодержащей пленке ряда чередующихся областей с противоположной намагниченностью ЦМД в них с помощью системы последовательно соединенных проводников, расположенных на доменосодержащей пленке. При подаче в проводники постоянного тока создают магнитное поле, нормальное поверхности тонкой магнитной пленки и периодически распределенное вдоль ее поверхности. Формируется магнитная структура в виде ряда полосовых доменов с интервалом, соответствующим интервалу между проводниками. После этого в полосовых доменах зарождаются ЦМД, и обазуется магнитная структура в виде ряда чередуюн1.ихся областей с противоположной намагниченностью ЦМД в них 1J.

Недостатками данного способа являются его технологическая (нанесение проводников в виде аппликаций) и методическая сложность (зарождение ЦМД в полосовых доменах).

Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ продвижения ЦМД, который основан на воздействии на доменосодержащую пленку импульсным градиентным магнитным полем. Канал продвижения представляет собой узкую полоску ЦМД-материала, ширина которой ненамного превосходит равновесный диаметр ЦМД, расположенную на немагнитной подложке. Продвижение ЦМД по каналу производится или при помощи токовых апплика10ций, расположенных поперек канала, либо за счет градиентов магнитного поля, создаваемых полосой магнитомягкого материала с зубчатым краем, расположенного вдоль канала продвижения, под действием вращающегося планарного поля 2.

Недостатком известного способа продвижения ЦМД является его низкая надежность в щироком температурном интервале продвижения ЦМД.

Цель изобретения - повышение надеж20ности и расширение температурного интервала продвижения ЦМД.

Поставленная цель достигается тем, что .согласно способу продвижения ЦМД создают в доменосодержащей пленке линейный

участок с локально измененными магнитными свойствами, воздействие импульсным градиентным магнитным полем осуществляют импульсами магнитного поля с амплитудой напряженности Надл Н где кол - напряженность магнитного поля коллапса свободного полосового домена; Я напряженность магнитного поля коллапса домена в линейом участке доменосодержащей пленки с локально измененными магнитными свойствами, формируют на указанном линейном участке доменосодержащей пленки гребнчатую доменную структуру в виде разнополярных полосовых доменов с волнообазной доменной границей между ними изменением амплитуды импульсов магнитного поля и перемещают гребенчатую доменную структуру в заданном направлении изменением частоты и полярности импульсов магнитного поля.

Согласно предлагаемому способу размеры канала продвижения ЦМД и.период транспортной структуры не зависят от геометрических размеров, элементов продвижения ЦМД, в частности проводника с током, а зависят только от свойств доменосодержащего материала и параметров импульсного тока. Вследствие этого, предлагаемый способ продвижения оказывается работоспособным практически во всем.интервале температур от 4,2 К до температуры Нееля используемого ЦМД-материала (за исключением интервала монодоменности в том случае, когда ЦМД-материал имеет точку компенсации Т).

На фиг. 1 изображена гребенчатая доменная структура в виде разнополярных полосовых доменов с волнообразной границей между ними; на фиг. 2 и 3 - некоторые варианты кодировки информации (расположения ЦМД в элементах гребнчатой доменной структуры) в канале продвижения ЦМД.

Продвижения ЦМД осуществляются следующим обазом.

В доменосодержащей пленке создают линейный участок с локально измененными магнитными свойствами, характеризующийся на личиeмgгadM, grad Q, где М и Q - соответственно намагниченность и фактор качества доменосодержащей пленки, и т. д. по направлению, перпендикулярному указанному участку. Прикладывают перпендикулярно плоскости пленки в зоне линейного участка с локально измененными магнитными свойствами и.мпульсное градиентное магнитное поле с амплитудой напряженности Нко.л Н , где - напряженность поля коллапса свободного полосового домеч - напряженность поля коллапса домена в линейном участке с локально измененными магнитными свойствами. Изменением амплитуды импульсов магнитного

поля формируют возникающую на линейном участке гребнчатую доменную структуру продвижения ЦМД в виде разнополярных полосовых доме ИОВ с волнообазной доменной границей между ними, ограниченных по

сторонам полосовыми доменами, параллельно линейному участку (фиг. 1). Изменением частоты следования и полярности импульсов магнитного поля перемещают гребенчатую доменную структуру вдоль линейного участка в заданном направлении.

Кодировку информации можно осуществлять, например, преобазованием в ЦМД концов полосовых доменов гребнчатой структуры (фиг. 2) или путем генерации ЦМД между полосовыми доменами (фиг. 3).

Создаваемый таким обазо.м специфический канал продвижения ЦМД может устойчиво работать в нулевых полях смещения во всем температурном интервале существования доменной структуры. С из.менением температуры размеры канала автоматически перестраиваются в согласии с изменением диаметра домена.

Формула изобретения

Способ продвижения цилиндрических магнитных доменов, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку и.мпу«1Ь сным градиентным магнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повыщения

0 надежности и расширения температурного интервала продвижения цилиндрических магнитных доменов, создают в доменосодержащей пленке линейный участок с локально измененными магнитными свойствами, воздействие импульсным градиентным магнитным

полем осуществляют и.мпульса.ми магнитного поля с амплитудой напряженности Нкол Ц , где Нкол - напряженность- магнитного поля коллапса свободного полосового домена; нaпpя keннocть .магнит„ ного поля коллапса домена в линейном участке доменосодержащей пленки с локально измененными магнитными свойствами, фор.мируют на указанном линейном участке доменосодержащей пленки гребенчатую доменную структуру в виде разнополярных полосовых

5 доменов с волнообразной доменной границей между ними изменением амплитуды и-мпульсов магнитного поля и перемещают гребенчатую доменную структуру в заданном направлении из.менение.м частоты и полярности импульсов магнитного,поля. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США № 3916395, кл. 340-174, опублик. 1977.

2. Патент США № 3701129, кл. 340-174, опублик. 1976 (прототип).

10 1 10 10

J%Z./

1 0 1

Ш.У.ШУ

I

Фиг.З

1 I 0