I
Изобретение относится к фотохимической технологии и может быть использовано в процессах-химического фрезерования при изготовлении печатных плат, выводных рамок микросхем и других изделий микроэлектроники.
Известен способ получения защитных рисунков с помощью негативных фоторезистов состоящий в экспонировании фоторезиста через фотошаблон и проявлении. Этот способ обладает низкой разрешающей способностью и низкой производительностью 1П.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ получения защитных рисунков с помощью негативных фоторезистов, представляющих собой композицию натурального или cинтeтичecкofo кауч5(ков с сенсибилизаторами азидного типа, включающий нанесение фоторезиста на подложку , предварительную засветку слоя фоторезиста по всему
ПОЛЮ импульсом УФ-света с длитель ностью, не превышающей 0,5 с, и энергетической экспозицией 250-1000 дж/м, экспонирование фоторезиста через фотошаблон и проявление фоторезиста. Этот способ обладает наибольшей производительностью из всех известных 121.
Недостатком его является низкая разрешающая способность.
Цель изобретения - повышение качества процесса получения рисунков за счет увеличения разрешающей способности фоторезиста.
Цель достигается тем, что согласно способу получения защитных рисун-ков с помощью негативных фоторезистов, представляющих 1Х собой композицию каучука с очувствителем азидного типа, включающем нанесение фоторезис20та на подложку, предварительную засветку фоторезиста, экспонирование через фотошаблон с рисунком и проявление, после нанесения фоторезиста засвечивают участки, не занятые рисун ком, через контактный шаблон. П| едварительную засветку можно про изводить, например, через рабочий фотошаблон, закрыв участки с рисунком непрозрачным материалом. Затем непрозрачный материал убирают и экспонируют фоторезист через фотошаблон с рисунком. Лучшие результаты получаются, если площадь открытой поверхности фоторезиста при предварительном освещении составляет не менее 30 общей его поверхности. Если по всей поверхности слоя фото рези ста необходимо сформировать за- щитный рисунок с высокой плотностью элементов, то искусственно создают из лишек предварительно облучаемой поверхности слоя фоторезиста за счет того, что слой фоторезиста наносят на поверхность, большую, чемтребуется. для изготовления прибора. Увеличение поверхности подложки достигают применением, например, разборной подложки При этом рабочая подложка вкладывает в матрицу-держатель т.ак, чтобы образовалась единая поверхность, на кото рую наносят слой фоторезиста. Сначал облучают толькчу участки слоя фоторезиста, нанесенного на поверхность матрицы-держателя. Затем непрозрачны материал убирают и производят экспон рование через фотошаблон с рисунком. Предложенный способ реализуется следующим образом. Пример. На обезжиренную и оч щенную поверхность хрома наносят сло негативного :фоторезиста; из раствора 7,5 г натурального циклизованного каучука (MB 30000, .коэффициент непре дельности 8%) и 0,225 г 2,6-диС -азидобензаль)циклогексанона в 100 мл толуола и м-ксилола (3:1)(ТУ на фоторезист ФН-11 6-1if-631-7l) . Слой сушат -при в течение 20 мин. Толщина высушенного слоя составляет 1 мкм. На слой фоторезиста накладывают фотошаблон, а на него непрозрач ный материал, который закрывает на фотошаблоне участки с высокой плотностью элементов, и экспонируют слой фоторезиста только через незакрытую непрозрачным материалом поверхность фоторезиста под лампой СВД-120А на расстоянии 15 см в течение 1 мин. Площадь незакрытой поверхности фотошаблона составляет 30% от общей поверхности. Затем непрозрачный материал убирают и продолжают экспонирование через фотошаблон еще 30 с. После экспонирования слой обрабатывают толуолом в течение 2 мин. При этом на поверхности подложки образуется защитный рельефный рисунок. Уширение линейных размеров пробельных элементов фотошаблона составляет 0,5 мкм, что позволяет воспроизводить отдельные элементы схемы на фотошаблоне шириной до 1,0-1,5 мкм. При толщине слоя 1,0 мкм негативный фоторезист по известному способу позволяет воспроизводить отдельные элементы схемы фотошаблона размером 7-10 мкм. Слой негативного фоторезиста толщиной 0, мкм (6 г циклокаучука и 0,18 г диазина в 100 мл т олуола с м-крезолом), нанесенного на подложку и высушенного как в примере, экспонируют через фотошаблон, участки с высокой плотностью элементов которого закрыты непрозрачным материалом, под лампой СВД-120А на расстоянии 15 см в течение 1,5 мин. Площадь незакрытой поверхности составляет 80% от общей поверхности фотошаблона. Затем непрозрачный материал убирают- и продолжают экспонировать слой еще в течение 1 мин. Дальнейшие операции аналогичны примеру. Уширение линейных размеров пробельных элементов фотошаблона составляет 0,1 мкм, что позволяет воспроизводить отдельные элементы схемы шириной до 0,2-0,3 мкм. При толщине слоя 0, мкм негативный фоторезист по известному способу позволяет воспроизводить отдельные элементы схемы фотошаблона размером 2-3 мкм. Таким образам, предлагаемый способ получения защитных рисунков с помощью негативных фоторезистов позволяет повысить разрешающую способность процесса в раз. Это открывает возможность использования негативных фоторезистов в микроэлектронике при получении пленочных микросхем, высокоточных масок и т.п. Формула изобретения Способ получения защитных рисунков с помощью негативных фоторезистов, представляющий собой композицию каучука с очуствителем азидного типа, включающий нанесение фоторезиста, на подложку, предварительную засвет59206246
ку фоторезиста , экспонирование че-Источники информации,
рез фотошаблон с рисунком и проявле-принятые во внимание при экспертизе ние, отличающийся тем,
что, с целью повышения качества за1. Авторское свидетельство СССР
счет увеличения разрешающей способ- sН , кл. G 03 F 1/72, 1972. ности, после нанесения фоторезиста
засвечивают участки, не занятые рисун-2. Авторское свидетельство СССР
ком, через контактный шаблон./f56647, кл. G 03 С 5/00, 1976.
