(54) СПОСОБ ГЮЛУЧЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ РИСУНКОВ С ПОМОЩЬЮ СУХИХ ПЛЕНОЧНЫХ НЕГАТИВНЫХ ФОТОРЕЭИЮТОВ
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Свободная маска для напыления пленочных элементов и способ ее изготовления | 1982 |
|
SU1019017A1 |
СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ | 1996 |
|
RU2096935C1 |
Способ получения рельефных изображений на фотонеактивных материалах | 1976 |
|
SU615449A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУХОГО ПЛЕНОЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА | 1992 |
|
RU2047208C1 |
Способ изготовления гибких печатных плат и кабелей | 1990 |
|
SU1812645A1 |
ФОТОПОЛИМЕРИЗУЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СУХОГО ПЛЕНОЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА | 1985 |
|
SU1295930A1 |
Способ изготовления формообразующих элементов с фактурированной поверхностью | 1989 |
|
SU1773710A1 |
СУХОЙ ПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ | 1992 |
|
RU2054706C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ РЕЛЬЕФОВ | 1985 |
|
SU1340398A1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОГО РИСУНКА В ПЛЕНКЕ ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ НА РЕЛЬЕФНОЙ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ | 1993 |
|
RU2111576C1 |
Изобретение относится к области получения защитных рисунков с помощью сухнх пленочных фоторезистов и может быть ис,пользовано в процессах изготовления печатных плат в радиотехнике. Известен-способ получения защитных рнсунков с помощью сухого пленочного негативного фоторезнста, светочувствительный слой которого включает полиметилметакрилат, трнакрнлатпентаэритрнт, 2-гдег.бутилантрахинон и пластнфикатор, заключа19ЩНЙся в снятие с фоторезиста полиэтнленовой пленкигносятеля, прикатывали фоторезистивной пленкн металлической подложке, экспонировании ее через фотошаблон, снятии .лавсановой защитной пленкн и проявлении в оргаинческнх растворителях . Недостатком известного способа является то, что операцию проявления рисунка приводят в токсичных органических растворнтелях, при этом возникает опасность отравления рабочего персонала. Целью изобретения является обеспеченне безопасности при работе. Поставленная цель достигается тем, что после экспонирования не позднее, чем через 4,5-5 мин, фоторезистивную пленку с металлнческой подложкой прогревают прн 60-IWC в 1%чение 3-0,5 мин соответственно, л операцию проявлення проводят путем прикатывання к светочувствительному слою липкой ленты и последующего отдирания ее вместе с необлученнымн учасгкамн свегочувствнтельного слоя. Предложенный способ позволяет исключить опасность отравления рабочего персонала и получить защитные рисункн BL :окого качества. Сущность яэобрегения заключается в том, что процесс формирования скрытого изображения прстодят таким образом, чтобы освещенные и неосвещенные участки пленки при экспонировании через фотошаблон приобретали различную прочность сцеплення с подложкой, & проявление проводят путем прнкатывания липкой ленты и ее последующего отдирания вместе с участками пленки с меньшей прочностью сцеплення с-подложкой. Было найдено, что на отрабатываемом сухом пленочном фоторезисте (СПФ-1), представляющем собой композицию полиметилметакрилата, триакрилатпентаэритрита и 2грег.бутнлантрахннона,взятых в весовом соотнощеиии 1:1:0,1, н пластификатора, нанесенном на полиэтиленовую пленку и закрытом лавсановой пленкой, появление дифференцированной прочности сцепления облученных и необлученных участков возникает только в том случае, если после экспонироъатт, не поздиее, чем через Ч-5 мин фоторезистивные пленки, прикрепленные к под ложке, подвергнуть термообработке при 60-100°С в течение 3-0,5 мин. Проведение такой термообработки способствует резкому увеличению прочности сцепления облучеииых участков пленки с подложкой. В этом случае необлученные участки пленки легко удаляются липкой лентой, тогда как облученные участки остаются на подложке. В приведенных примерах подробно оИнсываются способы получения негативных изс ражений на сухих пленочных фоторезистах.
Пример /. Сухой негативный фоторезист марки СПФ-1 без полиэтиленовой пленки наносят на очищенную медную подложку с помощью горячего валика при 85°С и экспонируют через щаблон на расстоянии 10 СМ лампой СВД-120А в течение 40 с. Спустя 1 мин подложку с фоторезистивной и лавсановой пленкой подвергают термообработке при 60°С в течение 3 мин. Далее лавсановую пленку механически снимают, а на ее место Накатывают липкую ленту. При отдиранни липкой ленты на подложке получают негативное изображение без применения какого-либо растворителя.
Пример 2. Экспонированный по примеру I сухой негативный фоторезист СПФ-1 спустя 3 мин подвергают термообработке при 80°С в течение 2 мин. Дальнейшие операции и результат аналогичны примеру I. Пример 3. Экспонированный по примеру I сухой негативный фоторезист СПФ-1 саустя 5 мин подвергают термообработке при 1(К)°С в течение I мин. Дальнейшие операции и результат аналогичны примеру I.
Предлагаемый способ получения негативных изображений на сухих пленочных негативных фоторезистах позволяет полностью исключить применение растворителей в производстве деталей раднотехники. Это в свою очередь делает процесс получения защитных рисунков безопасным и исключает необходимость проведения.каких-либо операций в специальных боксаз, предусматривающих удаление испаряющегося растворителя. Последнее позволит значительно снизить затраты на организацию производства.
Формула изобретения
Способ получения защитных рисунков с помощью сухих пленочных негативных фоторезистов, светочувствительный слой которых включает полиметилметакрилат, триакрилатпентаэритрит, 2-грег.бутилантрахинон и пластификатор, заключающийся в снятии полиэтиленовой пленки-носителя, прикатывании фоторезистивной пленки к металлнческой подложке, экспонировании ее через фотошаблон, снятии лавсановой защитной пленки и проявлении, отличающийся тем, что, с целью обеспечения безопасности работ, после операций экспонирования, но не поздиее чем через 4,5-5 мин, фоторезистивную пленку с металлической подложкой прогревают при 60-100°С в течение 3-0,5 мни соответственно, а операцию проявления проводят путем прикатывания к светочувствительному слою липкой ленты и последующего отдирания её вместе с необлученными участками светочувствительного слоя.
Источники информации, прииятые во внимание при экспертизе:
. ТУ 6-17-104-74 на фоторезист СПФ-1.
Авторы
Даты
1978-07-15—Публикация
1976-05-11—Подача