Способ контроля распределения высоковольтной составляющей проводимости по площади диэлектрических пластин Советский патент 1987 года по МПК G01N21/00 

Изобретение относится к технике исследования материалов и может быть использовано для контроля распределе ния высоковольтной составляющей проводимости в жидких, твердых и газообразных диэлектриках.. Известен способ контроля материалов , основанный на наложении образца исследуемой поверхностью на регистрирующий материал, приложении к ис следуемой системе напряжения и регистрации мест повьшенной проводимости по изменению оптических свойст регистрирующего материала. Недостатком этого способа является его непригодность для контроля распределения высоковольтной составляющей проводимости по площадки диэлектрических пластин. Известен также способ контроля распределения высоковольтной составляющей проводимости по площади диэлектрических пластин, основанный на приложении к пластине с помощью электродов напряжения, облучении пла стины поляризованным светом и регист рации оптического изображения, по которому судят о наличии и расположе нии мест, обладающих высоковольтной проводимостью. Недостатком этого способа является его непригодность для контроля ди электрических пластин, вьшолненных из материала, не обладающего электро оптическим эффектом. Целью изобретения является обеспе чение контроля диэлектрических пластин, вьшолненных из материала, не об ладающего электрооптическим эффектом Поставленная цель достигается тем что в известном способе контроля рас пределения высоковольтной составляющей проводимости по площади диэлектрических пластин, основанном на при ложении к пластине с помощью электро дов напряжения, облучении пластины поляризованным светом и регистрации оптического изображения, по которому судят о наличии и расположении мест, обладающих высоковольтной проводимостью, поверхность исследуемой диэлектрической пластины приводят в оптический KOHTakT с поверхностью кристалла, обладающего электрооптическим эффектом, к полученной структуре прикладывают импульсы напряжения, амплитуда которых больше полуволнового, но меньше напряжения элек 9 62 трического пробоя использовайного кристалла, а облучение структуры производят монохроматическим сбетом. На чертеже приведена схема устройства для реализации способа. Устройство содержит генератор импульсов высокого напряжения 1, источник монохроматического света 2, ис следуемую структуру 3, фоторегистратор 4, поляризатор 5, анализатор 6. Предложенный способ осуществляется следующим образом. Импульс высокого напряжения от генератора 1 подают на исследуемую структуру 3. Во время воздействия импульса напряжения монохроматический свет от источника 2 пропускают через поляризатор 5, исследуемую структуру 3, анализатор 6 и регистрируют полученную картину распределения интенсивности света с помощью фоторегистратора 4. Запуск фоторегистратора 4 осуществляют одновременно с подачей импульса напряжения на исследуемую стгууктуру. Амплитуда напряжения должна быть больше, чем полуволновое напряжение для используемого кристалла, но меньще, чем напряжение, при котором нарушается электрическая прочность кристалла. При отсутствии высоковольтной проводимости в диэлектрике, т.е., когда выполняется закон Ома, каждая точка границы раздела будет иметь одинаковый потенциал и, следовательно, потенциальньй рельеф не возникает. Существенно, что это не зависит от внешних условий, амплитуды, формы и длительности приложенного напряжения, диэлектрической проницаемости, собственной проводимости исследуемого диэлектрика и т.д. Воздействие сильного электрического поля на диэлектрик вызьшает появление в нем высоковольт ° проводимости, особенностью которой является ее пространственно локализованный характер. При этом, в локальных участках межэлектродного промежутка происходит перераспределение напряжения. Таким образом формируют потенциальный рельеф на поверхности электрооптического кристалла. Исходя из анализа зарегистрированной оптической картины потенциального рельефа, определяют наличие высоковольтной проводимости в диэлектрике и соответствующие ее участки.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет обнаружить высоковольтную проводимость и места еа возникновения в диэлектриках, не обладающих электрооптическим эффектом.

Предложенный способ найдет применение при исследовании предпробивньпс процессов в газообразных, жидких и твердых диэлектриках, а также при диагностики электрической изоляции.

СПОСОБ КОНТРОЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ СОСТАВЛЯЩЕЙ ПРОВОДИМОСТИ ПО ПЛОЩАДИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИН, основанный на приложении к пластине с помощью электродов напряжения, облучении пластины поляризованным светом и регистрации оптического изображения, по которому судят о наличии и расположении мест, обладающих высоковольтной проводимостью, отличающийся тем, что, с целью обеспечения контроля диэлектрических пластин, выполненных из материала, не обладающего электрооптическим эффектом, поверхность исследуемой диэлектрической пластины приводят в оптический контакт с поверхностью кристалла, обладающего электрооптическим эффектом, к полученной структуре прикладьшают импульсы напряжения, амплитуда которых больше полуволнового, но меньше напряжения электрического пробоя использованного кристалла, а облучение структуры (Л производят монохроматическим светом.