Способ электронолитографии Советский патент 1982 года по МПК H01L21/312 

(5) СПОСОБ ЭЛЕКТРОНОЛИТОГРАФИИ

Изобретение относится к микроэле тронике, в частности к электронолит графии с применением негативных рез ; сторов и может на;1ти применение при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем. Известен способ электронолитографии, заключающийся в приготовлении резистивного материала путем растворения соответствующего полимера в растворителе, формировании тонкой полимерной пленки растворенного полимера на поверхности подложки, сушки на воздухе, прогревании полимерной пленки в течение 30 мин при , экспонировании оп ределенных участков полимера пучком электронов, проявлении слоя электро норезиста, термообработки полученного резистивного изображения lj. Экспонирование проводят при напряжении 10-30 кВ и дозе облучения , что ведет к сильной засветке слоя электронорезиста электронами , отраженными от подложки в слои резиста, и расплыванию краев полученных рисунков под влиянием производимой после экспонирования и проявления термической обработки. Оба недостатка ухудшают разрешающую способность метода и приводят к увеличению размеров получаемых линий по сравнению с диаметром электронного зонда. Размер минимально возможной в этом случае линии принято определять как сумму толщины электронорезиста и диаметра электронного зонда. Следовательно, при меньших толщинах электронорезиста влияние обратноотраженных электронов меньше, Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является способ электронолитографии, включающий нанесение на подложку слоя негативного электронорезиста, его сушку, экспонирование, проявление и задубливание 2.