| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР С ЗАХОРОНЕННЫМ МЕТАЛЛИЧЕСКИМ СЛОЕМ | 1992 |
|
RU2045795C1 |
| Способ получения микроструктур на поверхности полупроводника | 2020 |
|
RU2756777C1 |
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ ИЗДЕЛИЙ ИЗ МЕТАЛЛОВ И ИХ СПЛАВОВ | 1994 |
|
RU2078149C1 |
| СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР МЕТАЛЛ - ДИЭЛЕКТРИК - ПОЛУПРОВОДНИК | 1991 |
|
RU2009517C1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | 2023 |
|
RU2807779C1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДОВ МЕТАЛЛОВ | 2008 |
|
RU2405228C2 |
| СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО РАЗРУШЕНИЯ ОПУХОЛЕЙ С ПОМОЩЬЮ СВЧ-НАГРЕВА МАГНИТНЫХ НАНОЧАСТИЦ | 2008 |
|
RU2382659C1 |
| СПОСОБ ОТДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА (ВАРИАНТЫ) | 2010 |
|
RU2459691C2 |
| СПОСОБ БЕСКОНТАКТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ | 1991 |
|
RU2037911C1 |
| СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПЛОТНОСТИ ЭНЕРГИИ ИМПУЛЬСА НЕКОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2005 |
|
RU2298158C1 |
1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения выбирают не более 10-5с, основную частоту излучения определяют по формуле
где μ - магнитная проницаемость полупроводника;
σ - его проводимость;
d - толщина нагреваемого слоя,
плотность поглощенной энергии импульса оценивают по формуле E≈ c (Tн - Tn)d, Дж/см2
где с - теплоемкость полупроводника;
Тн - температура, до которой предварительно нагревают образец;
d - толщина нагреваемого слоя.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что структуру антимонид индия - двуокись кремния предварительно нагревают до 550 - 600 К, а импульсный нагрев поверхностных слоев полупроводника производят импульсом СВЧ-излучения длительностью 10-5 - 10-9с, основной частотой СВЧ-излучения 130 - 140 ГТц, плотностью поглощенной энергии импульса 0,1 - 0,12 Дж/см2.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что структуру арсенид индия - двуокись кремния предварительно нагревают до температуры 750 - 820 К, а импульсный нагрев поверхностных слоев полупроводника производят импульсом СВЧ-излучения длительностью импульса 10-5 - 10-9с, основной частотой СВЧ-излучения ~ 300 - 330 ГГц, плотностью поглощенной энергии импульса 0,08 - 0,12 Дж/см2.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что образец фосфида индия предварительно нагревают до 150 - 180 К, а импульсный нагрев поверхностного слоя полупроводника производят импульсом СВЧ-излучения длительностью 10-5 - 10-9 с основной частотой СВЧ-излучения ~ 500 - 530 ГГц, плотностью поглощенной энергии импульса ~ 1,3 - 1,5 Дж/см2.
