Способ обработки отпаянных электронно-лучевых трубок с газосодержащим газопоглотителем Советский патент 1982 года по МПК H01J9/38 

Изобретение относится к производству электроннолучевых трубок, в частности к обработке отпаянных элек троннолучевых трубок. Известен способ очистки радиоэлек тронных деталей путем промывания в противотоке ректифицированного трихлорэтилена. с последующей сушкой 1. Однако этот способ неприменим к отпаянным электроннолучевым трубкам. Известен также способ обработки отпаянных электроннолучевых трубок с газосодержащим газопоглотителем, содержащий операции распыления газопог лотителя и высоковольного прожига. Распыление газосодержащих газопоглотителей производится с помощью высокочастотной энергии, подводимой к газопоглотителю, и сопровождается повышением давления внутри электроннолучевой трубки до 0,1-1,0 Па за счет выделения активирующего газа, например азота, который впоследствие поглощается активным веществом газопоглотителя. После распыления газопоглотителя, для повышения электрической прочности готовых электроннолучевых трубок производится высоковольтный прожиг, сущностькоторого заключается в том, что между высоковольтным электродом (анодом и закороченными между собой и заземленными электродами элжтроннооптической системы прикладывается высокое напряжение . Однако высоковольтному прожигу присущи возможность возникновения дугового разряда, что приводит к распылению материала электродов и образованию металлического налета на изоляторах электронно-оптической системы и горловине оболочки электроннолучевой трубки, возможность разрушения оксидного покрытия катода, а также низкая эффективность очистки деталей электронно-оптической системы, экранированных близлежащим и аноду электродом. 39 Цель изобретения - повышение эле трической прочности электродной системы и эмиссионной способнос1;и катода отпаянных электроннолучевых трубок. .. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу обработки отпаянных электроннолучевых трубок с газосодержащим- газопоглотителем, содержащему операции распыле- . ния газопоглотителя и высоковольтного прожига в процессе распыления газопоглотителя между - электродами трубки поддерживают тлеющий разряд с последующим переходом его в высоковольтный прожиг. На чертеже представлена блок-схе ма устройства для практического осу ществления способа в производстве кинескопов. Устройство для обработки кинеско пов по пред11агаемому способу состоит из узла 1 запуска генератора 2, источника 3 напряжения, программного устройства и индуктора 5- Узел 1 запуска обеспечивает одновременно включение генератора 2 высокочастот ных колебаний, источника 3 переменного напряжения, и запуск программного устройства А, Генератор 2 сов местно с индуктором 5 вырабатывает высокочастотные колебания, энергия которых передается газопоглотителю .кинескопа 7. Напряжение источника 3 приложено между анодом 8 и соединен ными вместе остальными электродами электронно-оптической системы 9 кин скопа 7- Программное устройство 4 по заданной программе осуществляет отключение генератора 2 и источника 3 напряжения. Заземление анода 8 обеспечивает экранирование промежутка анод - остальные электроды эле тронно-оптической системы 9 от воздействия электромагнитного поля индуктора 5 и улучшает условия выполнения предлагаемого способа. Одновременное с.началом разогрева газопоглотителя приложение напряжения от маломощного источника между анодом и остальными электрода ми электронно-оптической системы приводит к возникновению тлеющего разряда в газе, выделяющемся при ра пылении газопоглотителя. В результате происходит эффективная плазменная очистка всех деталей электро но-оптической системы, способствующая повышению электрической прочности готового кинескопа. По мере распыления газопоглотителя и понижения давления внутри кинескопа разряд в зоне электроннооптической системы затухает и со- противление промежутка анод - остальные электроды резко возрастает-, В связи с этим происходит уменьшение падения напряжения на внутреннем сопротивлении источника, приложенное к промежутку анод-остальные электроды напряжение возрастает, в результате чего плазменная очистка, непосредственно переходит з высоковольтный прожиг. При испытании способа разряд в зоне анод - остальные электроды ; электронно-оптической системы возникает спустя 2-3 с с момента включения генератора 2 и источника 3 напряжения и длится 8-10 с, затем в течение 3-5 с происходит высоковольтный прожиг. Внедрение предлагаемого способа в производство обеспечит эффективную очистку всего объема в зоне электронно-оптической системы, что повысит электрическую прочность готовых электроннолучевых трубок, позволит проводить высоковольтный прожиг при более низких напряжениях, что в значительной мере устранит возмож- ность разрушения оксидного покрытия катода, существенно сократит время проведения высоковольтного прожига, а следовательно, общее время обработки собранных электроннолучевых трубок. Внедрение способа позволит также снизить рекламационный возврат на 1,,7 и эмиссионный брак в производстве на 0,6-0,7. Формула изобретения Способ обработки отпаянных электроннолучевых трубок с газосодержащим газопоглотителем, содержащий операции распыления газопоглотителя и высоковольтного прожига, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической прочности электродной системы и эмиссионной способности катода трубки, в процессе распыления газопоглотителя между электродами трубки поддерживают тлеющий разряд с последующим переходом его в высоковольтный прожиг.

5 s jsgis 6

Источники информации,2. Производство цветных кинескопринятые во внимание при экспертизепов. Под ред. В. И. Барановского,

1. Авторское свидетельство СССРМ., Энергия, 1978, с. 251-270

№370673,кл.Н 01 J 9/00,опублик.1973.(прототип).