Чувствительный элемент для измерения парциального давления водорода Советский патент 1982 года по МПК G01N27/02 

Описание патента на изобретение SU949469A1

Изобретение относится к газоаналитическому приборостроению и может быть использовано, например, при разработке газоанализаторов.

Известен чувствительный элемент для измерения парциального давления водорода, содержащий пленку окиси металла, нанесенную на диэлектрическую подложку и снабженную контактами для измерения электропроводности l.

Однако такой чувствительный эле- мент облгщает недостаточно высокой избирательностью по отношению к водородьч а технология его изготовления сложна и плохо воспроизводима.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является чувствительный элемент для измерения парциального давления водорода, выполненный в виде канальной структуры типа металл-окисел-полупроводник (МОП), содержащий базу заданного типа проводимости, расположенные в базе с зазором между ними области истока и стока противоположного базе типа проводимости, изолирующий слой CBejixy упомянутого зазора и размещенный сверху изолирующего слоя электрод-затвор, выполненный из сорбирукнцего водород материала, например палладия С2.

Недостатком известных типов чувс ствительных элементов типа МОП яв. ляется уменьшение точности измерения из-за дрейфа параметров элементов во времени, а также сравнительно небольшой срок службы. Это свяfQ зано, в основном, с плохой адгезией к слою диэлектрика палладия и других материалов, пригодных для использования в чувствительном элементе. Работа чувствительного элемента сопряжена с его прогревом до темпе 5 ратуры около и выше. Из-за различия в значениях температурных коэффициентов расширения последнее приводит к постепенному (сначала по краям) отслаиванию затвора и дрейфу основных параметров элемента.

Цель изобретения - повышение точности измерения и продление срока службы чувствительного элемента.

Цель достигается тем, что в чувствительном элементе для намерения парциального давления водорода, выполненнсял в виде канальной структуры типа металл-окисел-полупроводник, содержащем базу заданного типа проводимости, расположенные в базе, с зазором между ними области истока и стока противоположного базе типа проводимости, изолирующий слой сверху упомянутого зазора и размещенный сверху изолирующего слоя электрод-зазор, выполненный из сорбирующего водород материала, например палладия, сверку между стоком и истоком размещен встроенный канал с противоположным базе типом пр водимости, сверху по крайней мере стока выполнена дополнительная об,ласть, выходящая на поверхность базы со стороны затвора, имеющая тип проводимости, противоположный типу проводимости стока/ и перекрывающая по крайней мере сток в на правлении параллельно зазору между стоком и истоком, причем глубина до полнительной области меньше глубины стока, а края затвора выступают за края изолирующего слоя. В чувствительном элементе также .J(eждy краями затвора, выступа1ощими за края изолирующего слоя, с одной стороны, и базой и упомянутой дополнительной областью с другой, создан хемоэпитаксиальный слой силлицида палладия. Это повипает адгезию затвора к базе. По другому варианту эатвор может быть электрически соединен с истоком путем образования хемоэпитаксиального слоя силлицида палладия меж ду краем затвора, выступающим закрай изолирующего слоя, и областью истока. Это упрощает конструкцию чувствительного элемента. На фиг.1 показан чувствительный элемент, общий вид; на фиг.2 разрез А-А на фиг.1; на фиг.З,- сечение Б-Б на фиг.1; на фиг.4 - один из вариантов выполнения чувствитель ного элемента. Предлагаемый чувствительный элемент выполнен на основе монокристал ла кремния, например р-типа проводимости, с использованием стандартной технологии полупроводникового приборостроения. Он содержит базу р-типа проводимости, расположенные в базе области истока 2 и стока 3 п типа проводимости с электрическими выводами 4, зазор 5 между областями 2 и 3 с встроенным каналом п-типа проводимости между истоком и CTOKO дополнительную область 6 р-типа про водимости, изолирующий слой 7 двуокиси кремния и затвор 8ИЗ палладия сверху слоя 7. Края 9 затвора 8 выступают за края изолирукндего слоя 7 по всему периметру затвора, образуя места соединения 10 с базой 1 и областями б илч -с базой 1, областью истоком 2 (по другому варианту). Затвор 8 и база 1 могут быть снабжены электрическими выводами 11 и 12. Область б перекрывает сток 3 в направлении вдоль канала 5 -(фиг.З), т.е. размер L превышает размер f . В то же время глубина d области 6 меньше глубины D стока 3 (фиг.1). Дополнительные области б расположены как со стороны истока 2, так и со стороны стока 3, а между краями 9 затвора по всему периметру последнего с одной стороны и областями б и базой 1 с другой размещен хемоэпитаксиальный слой силлицида палладия, созданный термообработкой напыленного на кремний палладия. Хемоэпитаксиальный слой показан в виде соединения 10. По другому варианту (фиг.4) дополнительная область б выполнена только со стороны стока 3, а между краем 9 затвора 8 и истоком 2 также образован слой силлицида палладия. В этом варианте затвор 8 непосредственно (а не через р-п переход) электрически соединен с истоком 2. Чувствительный элемент работает следующим образом. Между выводс1ми 4 подают напряжение, превышающее напряжение отсечки канала 5 минусом на исток 2. При этом через чувствительный элемент протекает ток насЕлщения как в обычном полевом транзисторе с нулевым напряжением на затворе (по схеме с общим истоком). Величина этого тока определяется исходной концентрацией основных носителей заряда в канале 5, которая задается технологически. При подаче водорода последний сорбируется в палладиевом затворе 8 и изменяет контактную разность потенциалов между затвором и каналом 5 (примерно на 0,5 В при парциальном давлении, водорода 10 мм рт.ст.). Это изменение приводит к увеличению концентрации основных носителей в канале 5 и, следовательно, к росту величины тока насыщения. Таким образом, изменение величины тока насыщения характеризует количество водорода в палладии и пропорциональное ему парциальное давление водорода в анализируемом газе. Чувствительный элемент практически не реагирует на другие компоненты газовой смеси. Наличие встроенного канала 5 в предлагаемой конструкции чувствительного элемента обязательно, так как канал не может быть индуциро- ван подачей положительного напряжения на затвор 8. Подача отрицательного напряжения на затвор 8 (ло отношению к истоку 2) допустима в основном варианте, следовательно, оказывается возможным управление вольт-амперной характеристикой {.выбор начальной величины тока насыщения при отсутствии водорода). По другому варианту чувствительный элемент является электрически неуправляемым, но он более прост в конструктивном отношении. Цель изобретения достигается за счет того, что в предлагаемой конструкции чувствительного элемента края 9 затвора 8 расположены не на изолирующем слое 7 двуокиси кремния а на кремнии и скреплены с последним в местах соединения 10 слоем, силлицида палладия. Таким образом, края затвора плотно пришиты к областям 6 и базе 1 (по основному варианту) или к истоку 2, области б и базе 1 (по другому варианту). Они не могут терять адгезию и отслаиваться под воздействием внешних факторов. Одновременно затвор 8 ока зывается электрически изолированным от истока 3 запертым р-п переходом между стоком 3 и областью 6. Техническим преимуществом изобретения является повышение стабильности параметров чувствительного элемента и, следовательно, точности измерений, а также долговечность. Одновременно представляется возможным повысить рабочую температуру по сравнению с известными решениями н рискуя прй этом выходом элемента из строя, что повышает быстродействие Технология изготовления предлаг емого элемента более проста и мене критична к стабильности технологических режимов. Тем самым повышает ся выход годных элементов и снижается их стоимость. Формула изобретения Чувствительный элемент для измерения парциального давления водорода, выполненный в виде канальной структуры типа металл-окисел-полупроводник, содержащий базу заданного типа проводимости, расположенные в базе с зазором между ними области истока и стока противоположного-базе типа проводимости, изолирующий слой сверху упомянутого зазора и размещенный сверху изолирующего слоя электрод-затвор, выполненный из сорбирующего водород материала, например палладия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, и продления срока службы чувствительного элемента ; между истоком и стоком размещен встроенный канал с противоположным .базе типом проводимости, сверху по крайней мере стока выполнена дополнительная область, выходящая на поверхность базы со стороны затвора, имеющая тип проводимости, противоположный типу проводимости стока, и перекрывающая по крайней мере сток в направлении параллельно зазору между и.стоком и стоком, причем глубина дополнительной области меньше глубины стока, а края затвора выступают за края изолирующего слоя. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США W 4045173, кл. 23-254Е, опублик. 1977. 2.Патент США 4058368, кл. 23-254, опублик. 1977 (прототип),

Похожие патенты SU949469A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления МДП-транзисторов интегральных микросхем 1985
  • Глущенко В.Н.
  • Красножон А.И.
  • Смирнов Л.К.
SU1322929A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИКМОП ПРИБОРА 1998
  • Красников Г.Я.
  • Лукасевич М.И.
  • Морозов В.Ф.
  • Савенков В.Н.
RU2141148C1
ДАТЧИК УГЛОВОГО И ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ 1997
  • Зотов В.В.
  • Кирюхин В.П.
  • Неаполитанский А.С.
RU2117916C1
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С P-N ПЕРЕХОДОМ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1992
  • Эдлин Соломон Давидович
RU2102818C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АВТОМАСШТАБИРУЕМОЙ БИКМОП СТРУКТУРЫ 2003
  • Долгов А.Н.
  • Кравченко Д.Г.
  • Еременко А.Н.
  • Клычников М.И.
  • Лукасевич М.И.
  • Манжа Н.М.
  • Романов И.М.
RU2234165C1
БИКМОП-ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1996
  • Красников Г.Я.
  • Казуров Б.И.
  • Лукасевич М.И.
RU2106719C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНОГО СИЛОВОГО МОП ТРАНЗИСТОРА 2002
  • Королев М.А.
  • Тихонов Р.Д.
  • Швец А.В.
RU2239912C2
Способ изготовления БИС на МДП-транзисторах с поликремниевыми затворами 1985
  • Глущенко В.Н.
  • Гордиенко К.И.
  • Колесников В.Ф.
  • Коновалов А.В.
SU1340481A1
Способ изготовления датчиков водорода на МОП-транзисторах 1990
  • Козин Сергей Алексеевич
  • Маринина Лариса Александровна
SU1785049A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2010
  • Бубукин Борис Михайлович
  • Кастрюлёв Александр Николаевич
  • Рязанцев Борис Георгиевич
RU2431905C1

Иллюстрации к изобретению SU 949 469 A1

Реферат патента 1982 года Чувствительный элемент для измерения парциального давления водорода

Формула изобретения SU 949 469 A1

SU 949 469 A1

Авторы

Гохфельд Юзеф Исаакович

Фадин Валерий Георгиевич

Антипов Николай Николаевич

Рылов Владимир Аркадьевич

Чистяков Юрий Дмитриевич

Мочалов Алексей Иванович

Пулавский Анатолий Михайлович

Денскевич Сергей Александрович

Даты

1982-08-07Публикация

1981-01-20Подача