(54) СПОСОБ ТЕПЛОВОЙ ЗАПИСИ ИЗОБРАЖЕНИЙ
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Носитель для тепловой записи изображения,способ тепловой записи изображения и устройство для реализации способа | 1982 |
|
SU1117578A1 |
| Способ записи оптической информации на электрофотографическом носителе | 1982 |
|
SU1056126A1 |
| Тепловой способ записи изображений | 1977 |
|
SU792205A2 |
| Устройство для записи оптической информации,содержащее рельефографический носитель | 1982 |
|
SU1132277A1 |
| Способ записи изображения объектов | 1979 |
|
SU1023358A1 |
| Рельефографический преобразователь | 1979 |
|
SU817660A1 |
| Устройство для записи и воспроизведения информации | 1981 |
|
SU996988A1 |
| ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ ПАНЕЛЬ | 1973 |
|
SU378906A1 |
| Рельефографическое устройство для записи и воспроизведения информации | 1981 |
|
SU957164A1 |
| Электрооптический преобразователь света | 1977 |
|
SU635800A1 |
1
Изобретение относится к способам получения изображения с помощью световых, тепловых и электронных потоков и может быть использовано для оптической обработки информации.
По основному авт. св. № 792205 известен способ тепловой записи изображения, заключающийся в фиксации объекта изображения непосредственно на гетерогенно.м слое оптически непрозрачной среды 1,
Недостатком известного способа является низкая чувствительность.
Цель изобретения - повышение чувствительности и качества записи.
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу тепловой записи изображений, заключающемуся в том, что в контакте с гетерогенным размещают фотопроводник и подают на него напряжение, причем объект изображения фиксируют непосредственно на гетерогенном слое одновременно с фиксацией объекта на оптически непрозрачную среду проводят равномерное актиничное облучение гетерогенного слоя.
Равномерное облучение возможно со стороны фотопроводникового либо гетерогенного слоя.
На фиг. 1 схематически показан принцип записи; на фиг. 2 - принцип записи при облучении гетерогенной смеси с фотопроводником однородным излучением со стороны гетерогенной смеси; на фиг. 3 - фотопроводник в виде матрицы фоторезисторов щелевого типа, где I-гетерогенная смесь; 2 - фотопроводник; I - интенсивность излучения сигнала; In - интенсивность подсветки.
Запись изображения осуществляется следующим образом.
Излучение от записываемого объекта проектируется на фотопроводник 2 и создает в нем рельеф проводимости, соответствующий изображению объекта. Под действием приложенного напряжения в фотопроводнике 15 выделяется джоулевое тепло, и на его поверхности образуется температурнй рельеф. Посредством теплового контакта тепло передается от фотопроБодника к гетерогенной смеси и создает рельеф оптической плотнссти. Дополнительное однородное излучение, падающее на фотопроводник, уменьщает его инерционность и тем самым увеличивает выделение тепла при данной неизменной интенсивности записываемого сигнала. Это дает.возможность уменьшить время записи, а следовательно, и растекание тепла, что приводит к увеличению чувствительности, разрешающей способности к передаче полутонов и пороговой чувствительности.
Гетерогенную смесь можно облучать однородным излучением со стороны гетерогенной смеси. Излучение от записываемого объекта преобразуется фотопроводником в тепло и производит изменение оптической плотности гетерогенной смеси. В местах увеличивающейся под действием записываемого излучения If прозрачности гетерогенной смеси на фотопроводник падает большая интенсивность излучения подсветки. Это способствует дополнительному выделению тепла в фотопроводнике, которое увеличивает прозрачность гетерогенной смеси, что приводит к увеличению интенсивности излучения подсветки на фотопроводнике и т.д Такой режим работь .позволяетувеличить чувствительность, повысить контраст записываемого изображения.
Использование матрицы фотоприемников позволяет наряду с уменьщением инерционности фотопроводника уменьшить растекание тепла, так как в таком фотопроводнике тепло выделяется в теплоизолированных друг от друга участках фотопроводника и, следовательно, дополнительно улучшить качество записанного .изображения.
Пример. Лля записи используется резистор из сульфоселенида кадмия и гетерогенная смесь в виде пленки толщиной .20 мкм из частиц окиси железа размером 0,5-3 мкм и парафина с температурой плавления 52°С.
Экспозицию производят через фотопроводник, на который подают напряжение 30 В, гелий-неоновым лазером мошностью 10Вт. Время экспозиции 0,03-10с. Подогрев осуществляют током импульсной подсветки. Напряженность магнитного поля 300 Э. Разрешение при этом увеличивается в 4-5 раз, улучшается передача полутонов. Пороговая чувствительность повышается на порядок.
Использование предлагаемого способа позволяет получать изображение высокого качества иа дешевом бессеребряном носителе.
Формула изобретения
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР NI 792205, кл. G 03 G 5/00, 1980.
/.
а
/
fe.f
/
/
/ /
+
fu2.3
