(54) МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА

| название | год | авторы | номер документа | 
|---|---|---|---|
| СВЧ АТТЕНЮАТОР | 2013 | 
 | RU2542877C2 | 
| Микрополосковая нагрузка | 1983 | 
 | SU1171879A1 | 
| Микрополосковая нагрузка | 2019 | 
 | RU2746544C1 | 
| МАЛОГАБАРИТНЫЙ НАПРАВЛЕННЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ | 2015 | 
 | RU2650421C2 | 
| Сверхвысокочастотная нагрузка | 1990 | 
 | SU1775767A1 | 
| Полосковая согласованная нагрузка (ее варианты) | 1983 | 
 | SU1109833A1 | 
| Сверхвысокочастотный вентиль | 1991 | 
 | SU1838849A3 | 
| Технология создания широкополосного плавного согласующего перехода на основе неоднородного участка микрополосковой линии передачи | 2024 | 
 | RU2837521C1 | 
| Микрополосковый аттенюатор | 1982 | 
 | SU1075338A1 | 
| МИКРОПОЛОСКОВОЕ НАПРАВЛЕННОЕ УСТРОЙСТВО | 2007 | 
 | RU2364996C1 | 
 
		
         
         
             
            
Изобретенгие относится к технике сверх высоких частот. Известна микрополосковая нагрузка, содержащая отрезок микропопосковой л{ь ник, подключенный к резистивному слою, закороченному металлизированным отверстием, вьшолненнь1м в диэлектрической под ложке на продольной оси отрезка микрополосковой линии, причем шириш резиствв ного слоя выполнена увеличивающейся в направлении к металлизированному отверстию по закону, описываилому соотношением 2   1 i  Д  л  волновое сопроти& лёние микрополосковой линии, имеющей ширину токонесущего проводника, равную ширинр резистивного слоя в сечении i , R- - активное сопротивление реэистивного слоя, размещенного между сечением и металлизированным отверстием 1. Однако в данной микрополосковой нагрузке недостаточно хорошее согласование и сложная конструкция, «то связано с необходимостью ю.1полнять метэллизирова ное отверстие в виде изогнутой узкой щели. Цель изобретения - улучшение согласования и упрощение конструкции.. Цель достигается тем, что в микропо  лосковой нагрузке, содержащей отрезок микрополосковой линии, подключенный к резистивному слою, закороченному металлгсзированным отверстием, выполненным в диэлектрической подложке на продольной оси отрезка микрополосковой линии,  ширина резистивного слоя выполн на увеличивающейся в направлешш к металлвзврованвсвлу отверстию по закону,. описываемому соотношением  R|, где 2| - волновое сопротивление микрополосковой линии, имеющей ширину токонесущего проводника, равную ширине резистивного слоя в сечении i , R - активное сопротивление резистивного елок, размещенного между сечением i и металлизированным отверстна, металлизированное отверстие выполнено в виде окружности, центр которой.удален от конпа отгюзкя
Авторы
Даты
1982-10-07—Публикация
1980-09-05—Подача