(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОИНДУКТИВНЫХ
1
Изобретение относится к электротехнике в частности к технологии изготовления микроиндуктивных элементов.
Известен способ изготовления индуктивной катушки путем намотки провода в изоляции и скреплении витков друг с другом 1
Однако размеры такой катушки относительно велики.
Известен также способ изготовления, пленочных индуктивных элементов, включающий нанесение многослойных магнитных диэлектрических и проводниковых пленок на фольгу, с последуюш,им изготовлением фотолитографией плоского спирального токопроводяш,его слоя 2.
Недостатком такого способа является сложность изготовления и невозможностьдальнейшего снижения площади индуктивного элемента, что существенно отражается на габаритах гибридных микросхем с использованием микроиндуктивных элементов.
Цель изобретения - уменьшение габаритов микроиндуктивных элементов.
Указанная цель достигается нанесением на полупроводник и;1и диэлектрик электроЭЛЕМЕНТОВ
дов, приложением к ним напряжения, достаточного для пробоя полупроводника или диэлектрика, при одновременном воздействии магнитного поля, вектор напряженности которого направлен под углом к вектору
напряженности электрического поля.
На чертеже схематично изображено устройство для реализации предлагаемого способа. Оно содержит полупроводник или диэлектрик 1, электроды 2, спиральный токо10 проводящий Канал3.
Изготовление микроиндуктивного элемента осуществляют следующим образом.
На полупроводник или диэлектрик наносят электроды, затем помещают образец в магнитное поле, прикладывают между
5 электродами напряжение, достаточное для пробоя данного материала, а после пробоя напряжение автоматически снижают для формовки образовавщегося в результате пробоя в магнитном поле спирального токопро20 водящего канала.
При изготовлении микроиндуктивных элементов предлагаемым способом, при сохранении тех же размеров, величина индуктивности в 2-3 раза превыщает индуктивность
элементов, изготовленных по известным способам.
Формула изобретения
Способ изготовления микроиндуктивных элементов путем формирования спирального токопроводящего слоя связанного с полупроводящей или диэлектрической подложкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров, указаний слой формируют в толще подложки путем нанесения электродов и приложения к ним напряжения, достаточного для пробоя полупроводника или диэлектрика, при одновременном воздействии магнитного поля, вектор напряженности которого направлен под углом к вектору напряженности электрического поля. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1.Авторское свидетельство СССР № 645215, кл, Н 01 F 41/18, 1978.
2.Авторское свидетельство СССР № 374667, кл. Н 01 F 41/18, 1967.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ДАТЧИК УГЛОВОГО И ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ | 1997 |
|
RU2117916C1 |
ИЗЛУЧАЮЩАЯ ТРУБКА, А ТАКЖЕ УСКОРИТЕЛЬ ЧАСТИЦ С ИЗЛУЧАЮЩЕЙ ТРУБКОЙ | 2009 |
|
RU2544838C2 |
Прозрачная структура для модуляции СВЧ-сигнала | 2023 |
|
RU2802548C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОГО ТРАНЗИСТОРА СВЧ | 2011 |
|
RU2485621C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАТУШЕК ИНДУКТИВНОСТИ И КАТУШКА ИНДУКТИВНОСТИ | 2020 |
|
RU2758986C1 |
Индуктивный элемент | 1983 |
|
SU1100646A1 |
УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ В АНТЕННЫХ СБОРКАХ ИЛИ ОТНОСЯЩИЕСЯ К АНТЕННЫМ СБОРКАМ | 2018 |
|
RU2779541C2 |
ВСТРАИВАЕМАЯ С СБИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНИ ПАМЯТЬ "MRAM" И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) | 2012 |
|
RU2532589C2 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА | 2012 |
|
RU2522714C2 |
ЯЧЕЙКА МАТРИЦЫ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ | 2005 |
|
RU2302058C2 |
а
Авторы
Даты
1982-10-30—Публикация
1980-12-01—Подача