Магнитный датчик Советский патент 1982 года по МПК G01N27/90 G01R33/12 

(54) МАГНИТНЫЙ ДАТЧИК

1

Изобретение стносшчзя к неразрушазоошм методам контрсдтя параметров магни него поля и качества изделия и может быть использовано в машиностроеяви и в черной металлургии.

Известен магнитный датчик, состоящий из намагничивакхцей системы} выполненной из намагниченного магнитотвердого материала и магниточувствительных элементов, закрепл«шых на торце магнитопровода симметрично относительно его продольной оси под углом of ff 1C/4 плоо кости торца l3

Недостатком устройства является то, ,j что оно не позволяет прслводитъ операцию размагничивания, после щхведения контроля, что снижает его технологические возможности и приводит к необхооимости иметь дополнительное устройство 20 для размагничивания.

Ближайшим по технической сущности.к изобретению является магнитный датчик, содержащий корпус, расположенный внутри

его цилиндрический магнит, намагниченный вдоль своей оси, и магниточувствительные элементы для съема информации о качестве изделия. Причем цилиндрический магнит установлен в ксараусв явпояBWKMof .

Недостатком этого датчика является низкая надежность контроля протяженных дефектов, расположенных вдоль силовых линий поля намагничивания и низкие нологические возможности/связанные с необходимостью проведения операции размагничивания после контроля, что требует применения дополнительного специального устройства для размагничивания.

Цель изобретения - повышение надежности и расширение технологических воэ- можностей.

Цель достигается тем, что в магнитном датчике, содержащем корпус, шшиндрическзМ магнит, намагниченный вдоль своей оси, и м«1гниточувствительные элементы кшгиит выполнен из цилиндрических свстсров, соединенных между собой с чередоващем направления намагшгченностн, и установлен в корпусе с возможностью вращения вокруг своей оси, а магяиточувствительные элементы размешены на торне магнита. Кроме теню, магниточувстиитепьные элементы, установленные в зоне соединения .смежных цштврричестос секторов, сориентированы осью максимальной чувст вительности под углом otstM прямой, параллельной оси магнита, а в зоне биссектрисы сектора - под угяомв(ЙГ/4. На 4яг. 1 изображен датчик со сторон рабочехч) торца, обпшй вид, на фиг, 2 изображено расположение магниточувствИтельных элементов в зоне соединения ц линдрических кольцевых секторов; на фиг-Э - изображено расположение магнитьчувствит€яьны с. элементе в эоне биссектрисы одного из секторов магнита. Магнитный датчик содержит корпус 1, цилиндрический магнит 2, состоящий из : двух секторов 3 и 4, расположенный внутри корпуса 1, магниточувствительные элементы 5, 6 и 7, 8, нштример феррозонды, соединенные между собой с чередованием направления намагниченности, цилиндрический магнит 2 намагничен вдол своей оси 9, магниточувствит(;льные зле-менты 5 и 6 установлены в зоне соеди-/ нения цилиндрических секторов 3 и 4, а . элементы 7 и 8 - в зоне бирсектрисы 1О цилиндрического сектсфа 3, элементы 5-8 соориентированы осью 11 максимап ной чувствительности перпендюсулярно свповым линиям суммарного магнитного поля, образованного магнитом 2 я иамагниченным изделием 12, При этом угол 13ct между осью 11 максимальной чувствительности каждого из элементов 5-8 и прямой 14, параплел ной оси :9 магнита 2, может, в зависЕ/мости от величины зазора между магнитом 2 и изделием 12, иметь значения для элементов 5, в коб Jr - ОТЯ элеMeirroB 7 и 8, Магнитный датчик работает следующим обрезом. Магнитный датчик устанавливают на поверхность кошрслв| уек}(яч изпевшя 12 (фиг. 2 я 3), на апементы 5-8 (феррозонды) подают ЭДС возбуждения, вращают ЦШ1Ш1Д|Л1Ч есквй магнит 2 вокруг оси 9 . и перемешают датчик по псюерхносга KOEtтропируемого изделия 12, При устансшке датчика на контролируемое изделие 12, часть изделие, прилегающая к датчику, намагничивается в зо не соединения цилиндрических секторов 3 и 4 параяпедиьно контро гаруемой поверхц ности, а в зоне биссектрисы ивлиндрическвк секторов 3 и 4 - перпендикулярно. Дефекты, (жазываюпшеся в намагниченной зоне образуют поля рассеяния, которые воздействуют на магниточувствительные элементы 5-8. В результате чего на выходе магниточувствительных элементов 5-8 появляются ЭДС, по величине которых Судят о параметрах дефектов. Намагничивание участка изделия 12 происходит как р параллельном, так и в нормальном пояях, что обеспечивается конструкцией датчика и способствует выявлению р йч- „ь,х ориенгированных дефектов, При перем@ш ении по изделию 12 датчика с вращающимся вокруг своей оси 9 кольцевым магнитом, выполненным из цилвн/фических сектс ов 3 и 4, намагниченных в хфотивополояиые стороны,, происходит размагничивание уже проконтролированного участка изделия уменьшакшшмся по амплитуде и изменяющимся по направлению магнитным полем, что расширяет, технологические возможности устрой- &тва. При этом отпадает необходимость в дополнительной операции размагничивания и в специальных размалоичивакшшх устройствах. Изобретение позволяет повысеть над&кность ко}ггроля изделий за счет дублирования одаого способа намагничивания Щ)угим и от| азаться от дополнительного размагничивающего устройства. Формула изобретения 1.Магаптный датчик, содержащий ., цшшидр вческий магнит, намагниченный вдоль своей оси, и магниточувствительные элементы, отличающий, с я тем, что, с цепью пошдшения надежности контроля и расщщ ения технологических возможностей, магнит выполнен из цилиндрических секторся, соединенных между собой с чередованием направления намагниченности, н установлен в корпусе с возможностью вращения вокруг своей оси, а магниточувсгветельвые элементы рвам&аезал на торце магнита, 2.Магнитный датчик по п. 1, о т л и ч а ю щ н и с я тем, что магнито увствительные эпёмеаты, устан(ленные в зоне соединение смежных цилиндрических секторов, сориентированы осью максимальной чувстввтелоьяости под углом

59742446

(3 «Те114к прямой, параллельной оси магнита,1. Авторское свидетельство СССР

а в зоне биссектрисы сектора -под уг-№ 717642, кл. GOl N 27/9О, 1980.

ломо/- 7Г/4--2. Авторское свидетельство СССР

Источники внформапии,№ 412543, кл. 601W 27/9О, 1971

щяшмгые во внимание при экспертизе s (протсггшт).

Ф

k

«

. ттт, .

g

v/(

1-v

I

/ /

X// ;

tt

Фп 3