Способ измерения напряженности нестационарного магнитного поля в полосковых линиях Советский патент 1983 года по МПК G01R33/02 

Изобретение относится к магнитным измерениям И может быть использовано для измерения импульсных магнитных полей .в полоско&ых линиях

Известен способ измерения напряженности нестационарных магнитных полей с помощью магнитных пленок,заключающийся в том, что магнитную пленкуус предварительно записанным аа ней сигнсшом звуковой частоты помещают в измеряемое поле и определяют это поле по уровню остаточного сигнала, образующегося в результате взаимодействия поля с пленкой

Недостатком этого способа является малое быстродействие и низкая точность измерений.

Известен хакже способ измерения напряженности нестационарного магнитного поля в полосковых линиях, основанный на сравнении действия измеряемого поля на сигнал импульсного намагничивания тонкой магнитной пленки :с .действием калиброванного постоянного магнитного поля, параллельного измеряемому полю С }

Недостатком известного способа является низкая точность измерения мгновенного значения Напряженности нестационарного магнитного поля.

Цель изобретения - повышение точности измерения мгновенного значения напряженности нестационарного магнитного поля.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу измерения напря-. женности нестационарного магнитного поля в полосковых линиях, основанш).- му на сравнении действия измеряемого поля на сигнал импульсного намагничивания тонкой магнитной пленки с действием калиброванного постоянного магнитного поля, параллельного измеряемому полю, в полосковую линию подают

15 импульс тока; один раз через заданный промежуток времени после поступления перепада тока, другой - при .отключенном перепаде тока, но в присутствии постоянного поля.

20

На фиг. 1 представлены временные диаграммы, поясняющие сущность способа, на фиг. 2 - блок- схема устройства, реализующего способ.

Устройство содержит источник пе25репадов тока 1 с парсшлельно подсоединенным источником дополнительных импульсов 2, тонкую одноосную пермаллоевую пленку 3, помещенную в исследуемую полосковую линию 4, Пермал30лоевая пленка 3 охвачена съемным витком 5, выходное напряжение с которого поступает на блок регистрации сигнала 6. Сущность способа измерения напряженности нестационарного магнитного поля Нр в попосковых , линиях заключается в следующем. В исследуемую область полосковой линии А помещается пермаллоевая плен ка 3 со съемным витком 5. С источника перепадов тока 1. в полосковую линию 4 подается перепад тока (фиг. 1а), с№«шитуда которого выбирается из условия, чтобы поле Н) внутри полосковой линии 4 было недос таточным для полного насыщения перМсшлоевой пленки 3. Для измерения мгновенного значения напряженности магнитного поля в -требуемый момент времени Т (фиг. 16 s полосковую линию 4 подается дополнительный импуль тока (фиг. 1). Сигнсш в (фиг. 1 ), считываемый с пермаллоевой пленки 3 в момент, времени С t пропорционален сумме измеряемого магни ного поля Н„ и дополнительного магнитного поля НА.Затем перепад тока отключают , и включа от постоянное калиброванное поле Н Ч фиг. 1) г при этом амплиту да сигнала, считываемого с пермаллое вой пленки 3., отличается от амплитуды сигнала (фиг. Ll), зарегистрированного блоком регистрации сигнала 6 при включенном перепаде тока. Постепенным изменением постоянного магнит ного поля Н сигналу придают прежнюю 1мплитуду, которая имела место при включенном исследуемом магнитном поле Н,. В этом случае сигнал, считы. ваемый с пермаллоевой пленки 3, пропорционален сумме постоянного магнит ного поля Hfi и дополнительного магнитного поля Нд, причем амплитуда до полнительного магнитного поля Нд в обоих случаях Измерений одинакова. Таким образом, соответствующее значение йапряженности постоянного магнитного поля Н,| можно положить равным напряженности исследуемого магнитного поля Н в момент времени-г при условии, что собственное характерное время реакции пленки на изменение магнитного поля существенно меньше длительности исследуемого процесса (). Пленки имеют feicTродействие , так что при использовании способа достижимо временное разрешение порядка нескольких наносекунд. Предлагаемый епособ обеспечивает возможность измерения мгновенного значения напряженности нестационарного магнитного поля в nonOCKOBialX линиях с точностью не хуже 1% при временном разрешении , что недостижимо при использовании других известных способов исследования магнитных полей, у которых точность 10-20%. Предл гаемый способ применим для изучения влияния вихревых токов и потерь на время установления поля, для кгшибровки импульсных магнитных полей, необходимых для прецизионных измерений временных параметров широкого класса магнитных материалов. Формула изобретения Способ измерения напряженности нестационарного магнитного поля в полосковых линиях,основанный на сравнении действия измеряемого поля на сигнал импульсного намагничивания тонкой магнитной пленки с действием калиброванного постоянного магнитного поля, параллельного .измеряемому полю, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения мгновенного значения Нсшряженности нестационарного магнитного поля, в полосковую линию подают импульс тока: один раз через заданный промежуток времени после поступления перепада тока, другой - при отключенном перепаде тока, но в присутствии по- стоянного поля. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР 618705, кл. G01R 33/02, 1976. 2.Крайдер и Хэмфри. Наносекундная фотоустановка для излучения перемагничивания тонких пленок. - Приборы для научных исследований, 1969, I 6, с. 86-87.

i

i

г