КАТОДНЫЙ УЗЕЛ ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ Российский патент 1994 года по МПК C23C14/35 

Описание патента на изобретение RU2023744C1

Изобретение относится к нанесению тонких диэлектрических пленок путем ионного распыления материала в вакууме.

Известен катодный узел преимущественно для ионно-плазменного нанесения диэлектрических пленок в вакууме, содержащий катод, мишень, анод, магнитную систему. Такой катодный узел позволяет получить высокие скорости нанесения пленок и, следовательно, значительно снизить время получения толстых слоев [1].

Недостатками известного катодного узла являются низкое качество диэлектрических пленок и высокая неравномерность покрытия ввиду пассивации анода и катода.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является катодный узел преимущественно для ионно-плазменного нанесения диэлектрических пленок в вакууме, содержащий катод, мишень, анод, магнитную систему, нагреватель, расположенный со стороны анода, противолежащей рабочей поверхности катода [2].

Недостатками прототипа являются также низкое качество диэлектрических пленок и высокая неравномерность покрытия за счет того, что магнитное поле, создаваемое постоянным магнитом, имеет непостоянную напряженность от центра к периферии магнита, в центре она больше, а на периферии меньше. Это приводит к неравномерной бомбардировке мишени и неравномерному распределению распыленного материала на подложке.

Цель изобретения - повышение качества диэлектрических пленок при уменьшении неравномерности покрытия.

Цель достигается тем, что магнитная система выполнена в виде постоянных магнитов в форме швеллеров, установленных относительно друг друга одноименными полюсами, а внутри швеллеров расположены другие постоянные магниты с загнутыми краями, установленные относительно друг друга также одноименными полюсами, причем магнитные поля швеллеров и других постоянных магнитов пересекаются под углом 90о.

Введение в катодный узел магнитов в форме швеллеров и с загнутыми краями обеспечивает равномерное распределение напряженности магнитного поля, что и позволяет повысить качество диэлектрических пленок при уменьшении неравномерности покрытия.

На фиг. 1 показан катодный узел; на фиг. 2 - магнитная система.

Катодный узел (фиг. 1) содержит катод 1, мишень 2, анод 3, магнитную систему 4, нагреватель 5, расположенный со стороны 6 анода 3, противолежащей рабочей поверхности 7 катода 1. Магнитная система 4 (фиг. 2) выполнена в виде постоянных магнитов в форме швеллеров 8, установленных относительно друг друга одноименными полюсами. Внутри швеллеров 8 расположены постоянные магниты 9 с загнутыми краями 10, установленные относительно друг друга также одноименными полюсами. Магнитные поля швеллеров 8 и постоянных магнитов 9 пересекаются под углом 90о. Подложкодержатель 11 установлен в камере 12. Источник 13 питания установлен вне камеры 12.

Катодный узел работает следующим образом.

При проведении ионно-плазменного нанесения диэлектрических пленок в вакууме в соответствии с заданным технологическим процессом в откаченную камеру 12 напускается рабочий газ. Подложкодержатель 11 и анод 3 прогреваются. К катоду 1 прикладывается отрицательный потенциал, и в камере 12 зажигается разряд. Ионы рабочего газа бомбардируют и распыляют металлическую мишень 2. Продукты химической реакции распыленного материала и рабочего газа, осаждаясь на подложке, закрепленной на подложкодержателе 11, формируют диэлектрический слой. При этом за счет равномерности распределения магнитного поля над всей поверхностью магнитной системы 4 обеспечивается высокое качество покрытия и уменьшается его неравномерность.

Применение предлагаемого катодного узла позволяет повысить качество диэлектрических пленок и уменьшить неравномерность покрытия.

Похожие патенты RU2023744C1

название год авторы номер документа
КАТОДНЫЙ УЗЕЛ ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ 1992
  • Ивашов Евгений Николаевич
  • Кондрашов Павел Евгеньевич
  • Оринчев Сергей Михайлович
  • Слепцов Владимир Владимирович
  • Степанчиков Сергей Валентинович
RU2074904C1
Катодный узел 1980
  • Мочалов Борис Федорович
  • Фомин Алексей Александрович
  • Кузнецов Владимир Иванович
SU910843A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ 1993
  • Левченко Георгий Тимофеевич[Ua]
  • Маишев Юрий Петрович[Ru]
  • Парфененок Михаил Антонович[Ua]
  • Исаев Олег Юрьевич[Ua]
RU2075539C1
Устройство для реактивного магнетронного нанесения покрытий в вакууме 1991
  • Колосов Вячеслав Викторович
  • Наянов Владимир Иванович
SU1808024A3
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ И НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК 2013
  • Исаев Алексей Алексеевич
RU2540318C2
СПОСОБЫ, ИСПОЛЬЗУЮЩИЕ УДАЛЕННУЮ ПЛАЗМУ ДУГОВОГО РАЗРЯДА 2013
  • Гороховский, Владимир
  • Грант, Вильям
  • Тейлор, Эдвард, У.
  • Хьюменик, Дэвид
  • Брондум, Клаус
RU2640505C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОК В ПЛАЗМЕ 1992
  • Колосов В.В.
  • Наянов В.И.
RU2019576C1
КАТОДНЫЙ УЗЕЛ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ПУЧКОВО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ 1993
  • Ивашов Евгений Николаевич
  • Кондрашов Павел Евгеньевич
  • Оринчев Сергей Михайлович
  • Слепцов Владимир Владимирович
  • Степанчиков Сергей Валентинович
RU2046154C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК В ПЛАЗМЕ 1992
  • Колосов В.В.
  • Наянов В.И.
RU2039846C1
Устройство для нанесения покрытий в вакууме 1991
  • Семенов Александр Петрович
  • Батуев Буда-Ширап Чимитович
SU1832134A1

Иллюстрации к изобретению RU 2 023 744 C1

Реферат патента 1994 года КАТОДНЫЙ УЗЕЛ ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ

Изобретение относится к нанесению тонких диэлектрических пленок путем ионного распыления материала в вакууме. Сущность изобретения: магнитная система выполнена в виде основных постоянных магнитов в форме швеллеров, установленных относительно друг друга одноименными полюсами, а внутри швеллеров расположены дополнительные постоянные магниты в форме швеллеров, установленные относительно друг друга также одноименными полюсами, причем магнитные поля основных и дополнительных магнитов пересекаются под углом 90°. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 023 744 C1

КАТОДНЫЙ УЗЕЛ ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ преимущественно диэлектрических пленок, содержащий катод-мишень и магнитную систему, включающую по меньшей мере пару постоянных магнитов, согласно намагниченных, выполненных в форме швеллеров и установленных встык боковыми стенками один относительно другого, отличающийся тем, что магнитная система дополнительно снабжена по меньшей мере двумя парами магнитов, которые выполнены и соединены в паре идентично основным магнитам и установлены попарно в полости каждого из основных магнитов с соблюдением перпендикулярности намагниченности основных и дополнительных магнитов.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1994 года RU2023744C1

Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Данилин Б.С
Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок
М.:Энергоатомиздат, 1989, с.78
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1

RU 2 023 744 C1

Авторы

Ивашов Е.Н.

Левый А.С.

Оринчев С.М.

Степанчиков С.В.

Даты

1994-11-30Публикация

1991-02-28Подача