Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления тензорезисторов с широким диапазоном настройки.
Известен способ изготовления тензорезисторов, заключающийся в том, что создают на подложке резистивный слой, наносят на него слой металлизации с токовыводами, контролируют электрические параметры тензорезистора и удаляют часть резистивного слоя до получения заданных параметров.
Недостатком этого способа является узкий диапазон коррекции параметров тензорезистора.
Расширение диапазоне коррекции достигается тем, что вместо удаления части резистивного слоя удаляют часть слоя металлизации. При этом увеличивается рабочая площадь резистивного слоя и, соответственно, изменяются электрические параметры тензорезистора.
На фиг. 1 представлен терморезистор, изготовленный по предлагаемому способу; на фиг.2 сечение А-А на фиг.1.
На подложку 1 нанесен резистивный слой 2, а поверх него- слой 3 металлизации с токовыводами 4.
Способ осуществляют следующим образом.
На подложку 1 наносят резистивный слой 2, а поверх него любым из известных способов наносят слой металлизации с токовыводами. В зависимости от требуемого диапазона коррекции слой металлизации может покрывать всю поверхность резистивного слоя или образовывать отдельные участки, как связанные, так и не связанные между собой. Токовыводы 4 подсоединяют к схеме измерения электрических параметров тензорезистора (не показана). Путем удаления части слоя металлизации формируют не менее двух участков металлизации, электрически связанных через резистивный слой. В процессе удаления металла контролируют электрические параметры тензорезистора и при достижении заданных значений удаление прекращают. Для регулирования точности коррекции параметров тензорезистора резистивный слой 2 выполняют переменной ширины, а удаление слоя металлизации для грубой и точной коррекции производят на участках различной ширины. Выбор участка для удаления металлизации определяется требуемой точностью коррекции. Участков металлизации с токовыводами может быть сформировано несколько, тогда на одной подложке можно получить несколько тензорезисторов с заданными параметрами.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЕГИАЗАРЯНА | 1992 |
|
RU2054617C1 |
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК ПЕРЕПАДА ДАВЛЕНИЯ ЕГИАЗАРЯНА МДПД-Е И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1994 |
|
RU2107272C1 |
ТЕНЗОЭЛЕМЕНТ ЕГИАЗАРЯНА | 1990 |
|
RU2035689C1 |
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЕФОРМАЦИЙ ЕГИАЗАРЯНА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1988 |
|
SU1822245A1 |
МИКРОДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 1991 |
|
RU2010195C1 |
СЧЕТЧИК ЕГИАЗАРЯНА ДЛЯ ЖИДКОСТЕЙ И ГАЗОВ СЖГ-Е | 1999 |
|
RU2180166C2 |
Способ изготовления тензометрического чувствительного элемента | 1982 |
|
SU1060933A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ RFID-АНТЕНН, РАБОТАЮЩИХ В ДИАПАЗОНЕ УЛЬТРАВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ | 2012 |
|
RU2507301C1 |
УСТРОЙСТВО КЕРАМИЧЕСКОЙ ПЛАТЫ, КОМПОЗИЦИЯ ЕЕ ПОКРЫТИЯ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОСЛЕДНЕГО | 2003 |
|
RU2269181C2 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО Y-ОБРАЗНОГО ЗАТВОРА СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОГО ТРАНЗИСТОРА | 2019 |
|
RU2729510C1 |
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления тензорезисторов с широким диапазоном коррекции параметров. Расширение диапазона коррекции параметров достигается тем, что на созданный на подложке резистивный слой переменной ширины наносят слой металлизации, а затем путем удаления металла образуют не менее двух участков металлизации, электрически связанных через резистивный слой. Удаление металла прекращают после получения тензорезистора с заданными электрическими параметрами. 1 з. п. ф-лы, 2 ил.
Устройство для подгонки сопротивления пленочных резисторов | 1982 |
|
SU1048524A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1995-11-27—Публикация
1991-11-20—Подача