СПОСОБ ЕГИАЗАРЯНА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ Российский патент 1995 года по МПК G01B7/16 H01C17/24 

Описание патента на изобретение RU2049306C1

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления тензорезисторов с широким диапазоном настройки.

Известен способ изготовления тензорезисторов, заключающийся в том, что создают на подложке резистивный слой, наносят на него слой металлизации с токовыводами, контролируют электрические параметры тензорезистора и удаляют часть резистивного слоя до получения заданных параметров.

Недостатком этого способа является узкий диапазон коррекции параметров тензорезистора.

Расширение диапазоне коррекции достигается тем, что вместо удаления части резистивного слоя удаляют часть слоя металлизации. При этом увеличивается рабочая площадь резистивного слоя и, соответственно, изменяются электрические параметры тензорезистора.

На фиг. 1 представлен терморезистор, изготовленный по предлагаемому способу; на фиг.2 сечение А-А на фиг.1.

На подложку 1 нанесен резистивный слой 2, а поверх него- слой 3 металлизации с токовыводами 4.

Способ осуществляют следующим образом.

На подложку 1 наносят резистивный слой 2, а поверх него любым из известных способов наносят слой металлизации с токовыводами. В зависимости от требуемого диапазона коррекции слой металлизации может покрывать всю поверхность резистивного слоя или образовывать отдельные участки, как связанные, так и не связанные между собой. Токовыводы 4 подсоединяют к схеме измерения электрических параметров тензорезистора (не показана). Путем удаления части слоя металлизации формируют не менее двух участков металлизации, электрически связанных через резистивный слой. В процессе удаления металла контролируют электрические параметры тензорезистора и при достижении заданных значений удаление прекращают. Для регулирования точности коррекции параметров тензорезистора резистивный слой 2 выполняют переменной ширины, а удаление слоя металлизации для грубой и точной коррекции производят на участках различной ширины. Выбор участка для удаления металлизации определяется требуемой точностью коррекции. Участков металлизации с токовыводами может быть сформировано несколько, тогда на одной подложке можно получить несколько тензорезисторов с заданными параметрами.

Похожие патенты RU2049306C1

название год авторы номер документа
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЕГИАЗАРЯНА 1992
  • Егиазарян Эдуард Людвикович
RU2054617C1
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК ПЕРЕПАДА ДАВЛЕНИЯ ЕГИАЗАРЯНА МДПД-Е И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1994
  • Егиазарян Эдуард Людвикович
RU2107272C1
ТЕНЗОЭЛЕМЕНТ ЕГИАЗАРЯНА 1990
  • Егиазарян Эдуард Людвикович
RU2035689C1
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЕФОРМАЦИЙ ЕГИАЗАРЯНА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1988
  • Егиазарян Э.Л.
SU1822245A1
МИКРОДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 1991
  • Егиазарян Э.Л.
RU2010195C1
СЧЕТЧИК ЕГИАЗАРЯНА ДЛЯ ЖИДКОСТЕЙ И ГАЗОВ СЖГ-Е 1999
  • Егиазарян Э.Л.
RU2180166C2
Способ изготовления тензометрического чувствительного элемента 1982
  • Зеленцов Юрий Аркадьевич
  • Стрельцин Вячеслав Петрович
  • Козин Сергей Алексеевич
  • Афанасьев Константин Иванович
  • Ульянов Владислав Викторович
SU1060933A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ RFID-АНТЕНН, РАБОТАЮЩИХ В ДИАПАЗОНЕ УЛЬТРАВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ 2012
  • Сафронов Юрий Валерьевич
RU2507301C1
УСТРОЙСТВО КЕРАМИЧЕСКОЙ ПЛАТЫ, КОМПОЗИЦИЯ ЕЕ ПОКРЫТИЯ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОСЛЕДНЕГО 2003
  • Гаврилов Андрей Юрьевич
  • Буданов Хабибулла Гарифуллович
RU2269181C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО Y-ОБРАЗНОГО ЗАТВОРА СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОГО ТРАНЗИСТОРА 2019
  • Васильевский Иван Сергеевич
  • Виниченко Александр Николаевич
  • Номоев Сергей Андреевич
  • Каргин Николай Иванович
RU2729510C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 049 306 C1

Реферат патента 1995 года СПОСОБ ЕГИАЗАРЯНА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления тензорезисторов с широким диапазоном коррекции параметров. Расширение диапазона коррекции параметров достигается тем, что на созданный на подложке резистивный слой переменной ширины наносят слой металлизации, а затем путем удаления металла образуют не менее двух участков металлизации, электрически связанных через резистивный слой. Удаление металла прекращают после получения тензорезистора с заданными электрическими параметрами. 1 з. п. ф-лы, 2 ил.

Формула изобретения RU 2 049 306 C1

1. Способ изготовления тензорезисторов, заключающийся в том, что создают на подложке резистивный слой, наносят на него слой металлизации с токовыводами, контролируют электрические параметры тензорезистора и изменяют его геометрию до получения заданных параметров, отличающийся тем, что изменение геометрии осуществляют путем формирования не менее двух участков слоя металлизации удалением металла. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что создают резистивный слой переменной ширины, участки металлизации формируют перекрывающими резистивный слой по ширине, а удаление металла производят на участке металлизации с шириной резистивного слоя, соответствующей заданной точности коррекции параметров тензорезистора.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года RU2049306C1

Устройство для подгонки сопротивления пленочных резисторов 1982
  • Чернявский Александр Дмитриевич
SU1048524A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

RU 2 049 306 C1

Авторы

Егиазарян Эдуард Людвикович

Даты

1995-11-27Публикация

1991-11-20Подача