КРИСТАЛЛ ДВОЙНОГО МОЛИБДАТА ЦИНКА В КАЧЕСТВЕ СЕГНЕТОЭЛАСТИКА Российский патент 1996 года по МПК C30B29/32 C30B9/12 

Описание патента на изобретение RU2054497C1

Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано для создания управляемых функциональных устройств. Большинство сегнетоэластиков испытывает при определенной температуре (точка Кюри) переход из параупругой модификации в сегнетоупругую, обладающую спонтанной деформацией. Реориентация доменной структуры и изменение диэлектрических и оптических свойств кристаллов в сегнетоупругой фазе под воздействием механических напряжений позволяют сконструировать высокочувствительные датчики давления.

Получение и исследование новых кристаллов сегнетоэластиков важно не только для развития теории фазовых переходов и физики твердого тела, но и для расширения ассортимента материалов с полезными свойствами, используемыми в новой технике.

Известны кристаллы сегнетоэластиков на основе оксидов рубидия, калия и цинка Rb4Zn(MoO4)3 и K4Zn(MoO4)3, в которых температура фазовых переходов (точка Кюри) составляет 300оС Rb4Zn(MoO4)3 и 360оС K4Zn(MoO4)3 [1, 2]
Недостатком указанных сегнетоэластиков является высокая температура фазового перехода.

В практическом использовании температура фазового перехода в сегнетоэластиках должна приближаться к комнатной температуре.

Целью изобретения является получение сегнетоэластиков с фазовым переходом (точка Кюри) ниже, чем 300оС.

Цель достигается тем, что кристалл сегнетоэластика, включающий молибдаты цинка и щелочных металлов (S-элементов), содержит вместо молибдатов щелочных металлов молибдат одновалентного таллия (Р-элемент).

Кристаллы Tl4Zn(МoO4)3 получены спонтанной кристаллизацией из расплава и их свойства являются следствием структуры и состава этого соединения.

При комнатной температуре соединение обладает ромбической сингонией (Pn21n). Параметры элементарной ячейки следующие: a 10,78 (1); b 21,93 (2); c 6,09 (7).

В доменной структуре кристаллов этого соединения наблюдаются три ориентационных состояния, т.е. три типа доменов.

Основу структур образуют изолированные тетраэдры ЭО2-4

. Два таких тетраэдра связаны вершинами с тетраэдрами ZnO4, образуя линейный фрагмент, такие фрагменты соединяются с помощью тетраэдра ЭО4, имеющего общие вершины с двумя тетраэдрами ZnO4 из двух разных фрагментов и таким образом образуются бесконечные цепи. Атомы одновалентных элементов, располагаясь в пустотах, скрепляют цепи.

Выше температур фазовых переходов атомы цинка увеличивают свою координацию до пятерной за счет разворота лежащих с ними на одном уровне тетраэдров MoO4 [2]
Отличительной особенностью предлагаемого кристалла является наличие катиона таллия (Tl+), понижающего до 200оС температуру сегнетоэластического фазового перехода.

П р и м е р. Смесь 2 моль молибдата таллия 83,48 г и 1 моль молибдата цинка 16,52 г растирают в ступке в течение 30 мин и отжигают при температуре 400 и 450оС в течение 50 и 25 ч соответственно (выход 98% от теоретического). Платиновый тигель емкостью 150 см3 (диаметром 40 см3) с синтезированным соединением Tl4Zn(MoO4)3 в избытке Tl2MoO4 помещают в трубчатую печь кристаллизационной установки и нагревают со скоростью 2 град/ч. В охлажденном плаве обнаруживаются пластинчатые монокристаллы Tl4Zn(MoO4)3. Пластинки получаются за счет скола по плоскостям спайности, что исключает резку и полировку кристаллов. Оптические исследования монокристаллов показывают наличие доменов с тремя ориентационными соотношениями, которые переключаются под действием внешних механических напряжений.

Сопоставление некоторых параметров предлагаемого и известного сегнетоэластиков показывает, что предлагаемый сегнетоэластик отличается более низкой температурой сегнетоэластического перехода 200оС. В таблице представлены сравнительные данные по температуре фазового перехода для известного и предложенного состава кристалла, а также их пространственные группы.

Из таблицы следует, что кристаллы предлагаемого состава Tl4Zn(MoO4)3 обладают значительно меньшей температурой сегнетоэластического фазового перехода, что соответственно улучшает рабочие характеристики функциональных устройств, кроме того, с введением таллия появляется ярко выраженная спайность в кристаллах. Это позволяет легко получать пластины (рабочие элементы устройств) без предварительной резки и полировки.

Использование заявляемого изобретения позволит уменьшить рабочую температуру функциональных устройств; улучшить качество обработки элементов устройств за счет использования пластинок, получающих за счет естественных плоскостей спайности.

Похожие патенты RU2054497C1

название год авторы номер документа
ТРОЙНОЙ МОЛИБДАТ ТАЛЛИЯ, ЛИТИЯ И ГАФНИЯ В КАЧЕСТВЕ ТВЕРДОГО ЭЛЕКТРОЛИТА 2004
  • Базаров Б.Г.
  • Балсанова Л.В.
  • Федоров К.Н.
  • Базарова Ж.Г.
RU2266870C1
Преобразователь механических величин 1983
  • Кузенков Владимир Прокофьевич
  • Осипов Игорь Владимирович
  • Дудник Елена Федоровна
  • Мнушкина Ирина Евгеньевна
SU1091036A1
Преобразователь механических величин 1982
  • Осипов Игорь Владимирович
  • Кузенков Владимир Прокофьевич
  • Костюлин Николай Петрович
  • Плужников Виктор Михайлович
SU1041887A1
Способ получения двойного вольфрамата лития и одновалентного металла 1990
  • Мохосоев Маркс Васильевич
  • Базарова Жибзема Гармаевна
  • Архинчеева Светлана Иосифовна
  • Федоров Константин Никитич
SU1770283A1
НАНОРАЗМЕРНЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ ПЛАЗМЕННЫЙ КАТАЛИЗАТОР ДЛЯ СТАБИЛИЗАЦИИ ПЛАЗМЕННОГО ГОРЕНИЯ И СПОСОБСТВОВАНИЯ ЕМУ 2020
  • Нагорный Александер
  • Власов Александр
  • Тийк Кристьян
  • Вулси Питер Александер
RU2802621C1
(2S,3R)-N-(2-((3-ПИРИДИНИЛ)МЕТИЛ)-1-АЗАБИЦИКЛО[2.2.2]ОКТ-3-ИЛ)БЕНЗОФУРАН-2-КАРБОКСАМИД, НОВЫЕ СОЛЕВЫЕ ФОРМЫ И СПОСОБЫ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ 2008
  • Беншериф Меруан
  • Бенсон Лайза
  • Далл Гари Морис
  • Федоров Николай
  • Гатто Грегори Дж.
  • Дженус Джон
  • Джордан Кристен Г.
  • Мэтью Джейкоб
  • Мазуров Анатолий А.
  • Мяо Лань
  • Муньос Хулио А.
  • Пфайффер Иниго
  • Пфайффер Сондра
  • Филлипс Тереза И.
RU2476220C2
СОСТАВ ГЕЛЯ ДЛЯ ЛУЧЕВОЙ ТЕРАПИИ ПОД ВИЗУАЛЬНЫМ КОНТРОЛЕМ 2014
  • Андресен Томас Ларс
  • Йёльк Расмус Ирминг
  • Альбрехтсен Мортен
RU2703303C2
ПИРИДИНЫ, ПИРИМИДИНЫ И ПИРАЗИНЫ В КАЧЕСТВЕ ИНГИБИТОРОВ ТИРОЗИНКИНАЗЫ БРУТОНА И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ 2014
  • Лю-Буджалски Лесли
  • Нгуйен Нган
  • Цю Хой
  • Джоунс Рейналдо
  • Мочалкин Игорь
  • Колдвелл Ричард Д.
RU2712220C2
БИОЛОГИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МОДУЛЯЦИИ ИММУННЫХ ОТВЕТОВ 2017
  • Муни, Дэвид, Дж.
  • Ли, У., Эйлин
  • Али, Омар, Абдель-Рахман
  • Ших, Тин-Юй
RU2770060C2
СИСТЕМА (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ НАЛИЧИЯ АНАЛИТА В ЖИДКОМ ОБРАЗЦЕ 2011
  • Лоуэри Томас Джей
  • Ауде Марк Джон
  • Бланко Мэтью
  • Чепин Джеймс Франклин
  • Демас Василики
  • Дханда Рахул
  • Фрицемайер Мэрилин Ли
  • Кох Айзек
  • Кумар Сонья
  • Нили Лори Энн
  • Мозелески Брайан
  • Плаурд Даниэлла Линн
  • Риттершаус Чарльз Уильям
  • Уэллман Пэррис
RU2653451C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 054 497 C1

Реферат патента 1996 года КРИСТАЛЛ ДВОЙНОГО МОЛИБДАТА ЦИНКА В КАЧЕСТВЕ СЕГНЕТОЭЛАСТИКА

Использование: для управляемых функциональных устройств, в датчиках давления. Кристаллы двойного молибдата цинка имеют состав Tl4 Zn (MoO4)3. Температура фазового перехода 200oС, пространственная группа Pn 21a. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 054 497 C1

КРИСТАЛЛ ДВОЙНОГО МОЛИБДАТА ЦИНКА В КАЧЕСТВЕ СЕГНЕТОЭЛАСТИКА, отличающийся тем, что в качестве второго металла молибдат содержит таллий и имеет состав, соответствующий формуле
Tl4Zn(MoO4)3.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1996 года RU2054497C1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Дудник Е.Ф., Мнушкина И.Е
Доменная структура и фазовый переход в монокристаллах KZn(MoO)
- Физика твердого тела, 1976, т.18, в.110, с.3150-3151
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Солодовников С.Ф
и др
Синтез кристалла и структурное исследование RbZn(MoO) и CsZn(MoO)
- Кристаллография, т.3, 1988, в.6, с.1380-1386.

RU 2 054 497 C1

Авторы

Базарова Ж.Г.

Федоров К.Н.

Архинчеева С.И.

Мункуева С.Д.

Даты

1996-02-20Публикация

1991-07-15Подача