СПОСОБ ЛЕЧЕНИЯ ОНИХОДИСТРОФИИ Российский патент 1997 года по МПК A61N5/06 

Иобретение относится к области медицины, а именно дерматологии.

Известно, что импульсное излучение лазера на углекислом газе может быть успешно использовано для поверхностного нагрева и эффективного послойного удаления на заданную глубину биоткани, а в дерматологии может быть использовано при лечении дерматофитии стоп.

Известен способ лечения ониходистрофии, включающий удаление пораженной ногтевой пластины путем наложения на нее кератолитического средства. (Практикум по дерматовенерологии. Под ред. Л. Д. Тищенко. М. УДН, 1990, с. 41). Способ широко распространен в клинической практике. Для удаления ногтей назначают кератолитическое средство, накладываемое после содовой ванночки на 48 ч. Затем повторяют содовую ванночку и очищают лизированную часть ногтя. Данная терапия проводится до полного удаления ногтевой пластины и продолжается во времени от одной до нескольких недель. Недостатком данного способа является частое осложнение процесса репаративной регенерации пластин побочными явлениями в форме субституции, а также большая продолжительность процесса лечения болезни.

Целью изобретения является улучшение клинического результата при лечении ониходистрофии, включающем удаление пораженных ногтевых пластин. Улучшение клинического результата заключается в уменьшении болевого ощущения пациентом в процессе удаления пораженных пластин, увеличения эффективности процесса удаления, в сокращении сроков лечения и отсутствии осложнений побочными процессами.

Поставленная цель достигается за счет того, что удаление пораженной ногтевой пластины осуществляют путем облучения ее излучением импульсного лазера на углекислом газе при плотности энергии лазерного излучения на поверхности ногтевой пластины 3-50 Дж/см² и длительности импульса лазерного излучения 1-100 мкс. При облучении биологических тканей излучением импульсного лазера на углекислом газе (длина волны лазерного излучения около 10,6 мкм) с указанными условиями облучения реализуется процесс взрывного испарения, обеспечивающий послойное удаление ткани. Режим является высокоэффективным, управляемым и контролируемым. Толщина удаляемого слоя увеличивается пропорционально плотности энергии лазерного излучения и числу импульсов излучения, направляемых в один и тот же участок поверхности. Длительность импульса изменяется за счет изменения состава газовой смеси в лазерном излучателе. При плотности энергии менее 3 Дж/см² процесс взрывного испарения ногтевой пластины является неэффективным, так как облучаемый материал не нагревается до температуры испарения. При плотности энергии более 50 Дж/см² процесс воздействия сопровождается интенсивной лазерной плазмой, образующейся в парах удаляемого материала. Плазма экранирует прохождение лазерного излучения и существенно уменьшает эффективность процесса удаления. Оптимальным, с точки зрения эффективности процесса удаления, диапазоном значений плотности энергии является 3-50 Дж/см².

При этом удельная энергия процесса удаления составляет около 5 кДж/г и определяет возможность снимать ногтевую пластину послойно на глубину 0,01-0,5 мм каждым импульсом излучения. Ранее было показано, что эффективный процесс удаления реализуется и при более длинных импульсах (до 100 мкс).

Дополнительным преимуществом данного способа лечения ониходистрофии является отсутствие в необходимости контактного удаления продуктов разрушения пластины. Продукты испарения удаляются из зоны за счет избыточного импульсного давления в парах, сопровождающего процесс взрывного испарения.

Если лазерная установка, используемая для реализации предлагаемого способа удаления ногтевых пластин, обеспечивает генерацию лазерных импульсов с энергией около 10 Дж и более, то возможно облучение всей поверхности ногтевой пластины каждым импульсом излучения с обеспечением на ее поверхности необходимой плотности энергии. Однако этот режим облучения связан с повышенным болевым ощущением пациента. К тому же лазерная установка, обеспечивающая генерацию импульсов около 10 Дж и более, может быть выполнена с большими массой и габаритными размерами. С целью дополнительного ослабления болезненного ощущения пациентом и обеспечения возможности снижения массы и габаритных размеров лазерной установки используют лазер, обеспечивающий генерацию лазерных импульсов с энергией менее 10 Дж, облучают часть поверхности пластины, затем направляют лазерное излучение последовательно на соседние участки пластины до достижения обработки всей ее поверхности.

Например, при энергии лазерного импульса, равной 1 Дж, плотность энергии 10 Дж/см² обеспечивается на участке поверхности, площадь которого равна 0,1 см². Облучают этот участок по меньшей мере одним импульсом или несколькими импульсами, затем осуществляют облучение соседнего участка. Количество участков облучения определяется размерами пластины и при площади пластины 0,5-2 см² будет составлять в данном случае 5-20 участков. Удаление ногтевой пластины выполняется последовательно с небольших участков поверхности, что дополнительно снижает болевое ощущение у пациента. Лазерная установка, обеспечивающая генерацию импульсов с энергией около 1 Дж, может быть выполнена компактной.

В лазерных медицинских установках используют обычно для доставки лазерного излучения от лазера к облучаемой поверхности специальные зеркально-линзовые оптические системы. Дистальный элемент системы (зеркало или линза) элемент, находящийся вблизи зоны облучения, может загрязняться продуктами разрушения пластины и за счет этого проходить в негодность.

Основная часть продуктов разрушения улетает с обрабатываемой поверхности в направлении, перпендикулярном к поверхности, а распределение продуктов по направлению, отсчитываемому от перпендикулярного направления, пропорционально значению cos²Φ, где v угол между перпендикуляром к поверхности и рассматриваемым направлением. Следовательно, чем больше угол v, т.е. чем более направление отклонено от перпендикуляра, тем меньше продуктов разрушения летит в данном направлении. С целью уменьшения загрязнения оптической системы продуктами удаления ногтевой пластины лазерное излучение направляют на поверхность ногтевой пластины таким образом, что угол между направлением излучения и перпендикуляром к поверхности пластины составляет от 0^o до 45^o. Скорость загрязнения дистального элемента системы уменьшается до двух раз.

Наклонное облучение поверхности пластины при облучении ее несколькими импульсами, направляемыми на один и тот же участок поверхности, может приводить к неравномерной по глубине выборке участка поверхности и снижать эффективность предлагаемого способа удаления ногтевых пластин. С целью увеличения эффективности способа удаления ногтевой пластины угол наклонного падения лазерного излучения на поверхность пластины варьируют в процессе облучения в диапазоне 0-45^o от импульса к импульсу.

Пример. Больная Н, 45 лет. Поступила с диагнозом ониходистрофия в виде руброфитии единичной ногтевой пластины стопы. Для удаления пластины ее облучили излучением экспериментального импульсного СО₂-лазера с энергией импульса около 1 Дж и длительностью импульса 1,5 мкс. Диаметр луча на поверхности пластины составил около 3 мм, что соответствует плотности энергии около 15 Дж/см². Лазерное излучение направлялось в один участок поверхности до прохождения 5-15 импульсов с последующим облучением соседнего участка поверхности. Пораженная ногтевая пластина удалена путем обучения излучения импульсов в количестве около 300 шт. Угол наклонного падения лазерного излучения на поверхность пластины варьировали в процессе облучения в диапазоне от 0 до 45^o. Далее лечение включало только местную фунгицидную терапию. Ногтевая пластина восстановлена в здоровом виде через 5 месяцев. Трудоспособность сохранялась полностью в процессе лечения.

Способ проверен на группе больных ониходистрофией из 15 человек в ЦКВИ (г. Москва). У 7 больных наступило клиническое излечение, у 3 значительное улучшение, у 3 улучшение, у 2 лечение было безуспешным. В результате установлено, что данный способ лечения ониходистрофии является высокоэффективным. Дополнительное преимущество способа проявляется в фунгистатическом и фунгицидном действии интенсивного излучения импульсного лазера на углекислом газе.

Способ может быть использован при лечении и других заболеваний, процесс лечения которых должен включать импульсный нагрев поверхности патологического очага или послойное удаление патологического образования.

Изобретение относится к дерматологии, а именно к способам лечения ониходистрофии. Сущность изобретения: пораженную ногтевую пластину удаляют импульсным излучением СО₂-лазера с плотностью энергии лазерного излучения на поверхности ногтевой пластины 3-50 Дж/см² и длительностью импульса лазерного излучения 1-100 мкс. 3 з. п. ф-лы.

1. Способ лечения ониходистрофии, включающий удаление пораженной ногтевой пластины, отличающийся тем, что удаление осуществляют за счет излучения импульсного CO₂ лазера с плотностью энергии лазерного излучения на поверхности ногтевой пластины 3 50 Дж/см² и длительностью импульса 1 100 мкс. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что удаление осуществляют лазерными импульсами с энергией менее 10 Дж, при этом облучают часть поверхности ногтевой пластины, затем направляют лазерное излучение последовательно на соседние участки пластины до достижения обработки всей ее поверхности. 3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что лазерное излучение направляют на поверхность ногтевой пластины таким образом, что угол между направлением излучения и перпендикуляром к поверхности пластины составляет 0 - 45^o. 4. Способ по пп.1 3, отличающийся тем, что угол наклонного падения лазерного излучения на поверхность пластины варьируют в процессе облучения в диапазоне 0 45^o от импульса к импульсу.