СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ Российский патент 1997 года по МПК G03F7/16 

Описание патента на изобретение RU2079865C1

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках при изготовлении волноводов, микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.д.

Известен способ получения рельефа в диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку защитной металлической пленки, формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски [1]
Однако данный способ имеет существенные недостатки. При осаждении металлической маски возможно проникновение материала маски в подложку и ухудшение при этом работоспобности изготавливаемых приборов. Кроме того, в ряде случаев материал маски не должен убираться, и в то же время он не должен шунтировать электрические цепи приборов. Поэтому металлическую маску необходимо удалять после получения рельефа, что увеличивает трудоемкость изготовления приборов.

Наиболее близким по технической сущности и совокупности признаков является способ получения рельефа в диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку диэлектрического слоя оксида кремния, формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски [2] При этом возможно при изготовлении ряда приборов диэлектрическую маску не удалять с поверхности подложки.

Однако данный способ не пригоден для получения глубокого рельефа в подложках на основе стекол, содержащих двуокись кремния из-за травления маски в травителях на основе плавиковой кислоты.

Задачами, на которые направлено изобретение, являются увеличение процента выхода годных приборов за счет устранения влияния травителей на основе плавиковой кислоты на диэлектрическую маску и удешевление конечной продукции за счет устранения операции удаления диэлектрической маски.

Решение поставленных задач заключается в том, что в качестве материала защитной маски используется диэлектрическая пленка моноалюмината неодима.

Сопоставительный анализ показывает, что заявляемое техническое решение отличается от прототипа тем, что защитная маска представляет собой диэлектрическую пленку моноалюмината неодима.

Предлагаемый способ получения рельефа в диэлектрической подложке реализован следующим образом. На поверхность диэлектрической подложки методом вакуумного осаждения (термическим или магнетронным) осаждали слой моноалюмината неодима. Затем методом фотолитографии формировали заданную конфигурацию защитной маски. Конфигурацию защитной маски возможно формировать и в процессе осаждения слоя моноалюмината при помощи свободных масок. Затем проводили травление диэлектрической подложки на необходимую глубину в травителе на основе плавиковой кислоты. Диэлектрическую пленку после травления не убирали.

Результаты экспериментов показали, что использование пленок моноалюмината неодима позволяет воспроизводимо получать качественные микромеханические преобразователи давления, вибродатчики и кварцевые резонаторы. При этом пленки моноалюмината неодима способны выдерживать травление в течение нескольких часов в агрессивном травителе на основе плавиковой кислоты.

При этом выявлено, что отсутствие сквозных пор и разрывов в защитном слое обеспечивается при толщине пленок моноалюмината неодима не менее 1 мкм.

Сформированные таким образом маски позволяют протравить диэлектрические подложки на глубину до 1 мм.

Таким образом, использование предлагаемой диэлектрической защитной маски позволяет проводить травление стеклянных подложек, содержащих двуокись кремния, в растворах плавиковой кислоты на большую глубину.

Похожие патенты RU2079865C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ 1992
  • Столетов И.С.
  • Корж И.А.
  • Дорохина Г.С.
RU2054747C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ 2005
  • Корж Иван Александрович
RU2318268C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ АТ-СРЕЗА 1995
  • Кибирев С.Н.
  • Ярош А.М.
RU2117382C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ Z-СРЕЗА 2012
  • Нетесин Николай Николаевич
  • Короткова Галина Петровна
  • Корзенев Геннадий Николаевич
  • Поволоцкий Сергей Николаевич
  • Карпова Маргарита Валерьевна
  • Аксенова Ольга Владимировна
  • Королев Олег Валентинович
  • Аладышева Наталья Николаевна
  • Шильников Антон Александрович
RU2475950C1
Способ получения рельефа в диэлектрической подложке 2018
  • Пауткин Валерий Евгеньевич
  • Абдуллин Фархад Анвярович
  • Петрин Владимир Алексеевич
  • Мишанин Александр Евгеньевич
RU2687299C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ 1989
  • Кибирев С.Н.
  • Филимендикова Т.С.
  • Ярош А.М.
RU1739826C
СПОСОБ НАСТРОЙКИ НА ЦЕНТРАЛЬНУЮ ЧАСТОТУ СВЕРХУЗКОПОЛОСНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 2000
  • Зима В.Н.
  • Марина Т.Н.
RU2190922C2
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР 1992
  • Кибирев С.Н.
  • Колесников В.Н.
  • Ярош А.М.
RU2047267C1
Раствор для стравливания пленок алюминия 1980
  • Корж Иван Александрович
  • Одинцова Людмила Алексеевна
  • Панасенко Элеонора Григорьевна
  • Петрова Валентина Захаровна
SU956620A1
ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР 1994
  • Кибирев С.Н.
  • Ярош А.Н.
  • Колесников В.Н.
RU2107987C1

Реферат патента 1997 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках при изготовлении волноводов, микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.п. Сущность изобретения: на подложку наносят диэлектрическую пленку, и формируют конфигурацию защитной маски, после чего проводят травление подложки. В качестве материала маски используется диэлектрическая пленка моноалюмината неодима толщиной не менее 1 мкм.

Формула изобретения RU 2 079 865 C1

Способ получения рельефа в диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку диэлектрической пленки и формирование в диэлектрической пленке конфигурации защитной маски, травление подложки, отличающийся тем, что в качестве материала диэлектрической пленки используют пленку моноалюмината неодима, толщиной не менее 1 мкм.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1997 года RU2079865C1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Мокеев О.К
и др
Химическая обработка и фотолитография в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- М.: Высшая школа, 1979, с
Способ исправления пайкой сломанных алюминиевых предметов 1921
  • Касаткин П.М.
SU223A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Пресс Ф.П
Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- М.: Энергия, 1978, с
Способ смешанной растительной и животной проклейки бумаги 1922
  • Иванов Н.Д.
SU49A1

RU 2 079 865 C1

Авторы

Корж И.А.

Даты

1997-05-20Публикация

1994-05-11Подача