РЕЗИСТОРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ Российский патент 1998 года по МПК H01C7/00 H01C1/14 

Описание патента на изобретение RU2105372C1

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода воздуха, газообразных и жидких сред.

Известные резисторные элементы вышеуказанного типа имеют плоскую или цилиндрическую форму диэлектрической опоры, например керамической, сформированный на этой опоре электрический резистивный элемент, соединенный токопроводящим компонентом с двумя электрическими цилиндрическими выводами, закрепленными в диэлектрической опоре [1, 2, 3].

Наиболее близким техническим решением, выбранным в качестве прототипа, является конструкция резисторного элемента (фиг.1), содержащая цилиндрическую трубку 1 с нанесенным на нее тем или иным известным методом платиновым резистивным слоем спиралеобразной формы 2. В торцевых отверстиях трубки 1 смонтированы металлические проводники 3, покрытые тонким слоем платины 4. Крепление проводников 3 в трубке 1 и электрический контакт между резистивным слоем 2 и проводниками 3 осуществляется клеевой массой 5, содержащей платину. От агрессивных воздействий среды резистивный слой 2 защищен тонким слоем стекла 6 [1].

Недостатком этой конструкции является то, что проводники 3 изготовлены из металла, имеющего значительно более высокую теплопроводность, чем керамика (например, коэффициенты теплопроводности некоторых материалов составляют следующие значения, Вт/(м•град): керамика 22XC (95% Al2O3) - 10, медь - 346, алюминий - 209, никель - 62, платина - 65), а так как в данной конструкции масса проводников 3 соизмерима с массой керамической трубки 1, то значительная часть тепла, выделяемого резистивным слоем 2, будет передаваться на проводники 3 и арматуру датчика, на которую крепится резисторный элемент, что, в свою очередь, снижает точность и быстродействие измерения, поскольку время установления температуры резисторного элемента в определенных случаях больше времени изменения скорости потока из-за утечек тепла по проводникам 3.

Целью настоящего изобретения является увеличение точности и быстродействия измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных или жидких сред за счет устранения утечек тепла по проводникам в известной конструкции резисторного элемента.

Поставленная задача достигается тем, что в известной конструкции резисторного элемента, содержащей диэлектрическую опору с нанесенным на нее каким-либо известным методом платиновым резистивным слоем, защищенным от агрессивных воздействий среды тонким слоем стекла, и металлические проводники, покрытые тонким слоем платины, в металлических проводниках под слоем платины сформирован слой диэлектрика, например, Al2O3, теплопроводность которого на порядок меньше, чем у металлов.

Применение в металлических проводниках резисторного элемента дополнительного слоя диэлектрика, сформированного каким-либо известным способом под слоем платины и имеющего теплопроводность значительно меньше, чем теплопроводность материала проводника, позволяет существенно снизить утечки тепла по телу проводника и тем самым повысить точность и быстродействие измерения скорости или расхода потока.

На фиг.1 представлена конструкция резисторного элемента - прототипа. На фиг. 2, 3, 4, 5 представлены практические варианты конструктивного исполнения резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред.

Резисторный элемент (вариант 1, фиг.2) содержит керамическую трубку 1, на поверхность которой нанесена химическим методом или вакуумным напылением тонкая пленка платины толщиной 0,2-0,5 мкм спиралеобразной формы 2 с необходимым значением сопротивления, защищенная от агрессивных воздействий среды тонким слоем стекла 7. В торцевых глухих отверстиях трубки 1 смонтированы анодированные алюминиевые или титановые проводники 3 со слоем диэлектрика 4 (Al2O3 или TiO2) толщиной 10-30 мкм, которые для электрического контакта покрыты тонким слоем платины 5 толщиной 0,2-0,5 мкм. Крепление проводников 3 в трубке 1 и электрический контакт с резистивным слоем 2 осуществляется припойной пастой 6.

Резисторный элемент (вариант 2, фиг.3) содержит анодированную определенным образом алюминиевую проволоку 1 со слоем диэлектрика Al2O3 2, на поверхность которого нанесена тонкая пленка платины 3 толщиной 0,2-0,5 мкм. Над сплошным слоем Al2O3 лазерной подрезкой из платиновой пленки сформирован спиралеобразный резистивный элемент 4 с необходимым значением сопротивления, защищенный от агрессивных воздействий среды тонким слоем стекла 5.

Резисторный элемент (вариант 3, фиг.4) содержит плоскую, прямоугольного сечения керамическую опору 1, на верхней и нижней поверхностях которой химическим методом или вакуумным напылением сформированы резистивные элементы в виде меандра 2 из тонкой пленки платины толщиной 0,2-0,5 мкм с необходимым значением сопротивления, защищенной от агрессивных воздействий среды тонким слоем стекла 7. В сквозных отверстиях опоры 1 смонтированы анодированные алюминиевые или титановые проводники 3 со слоем диэлектрика 4 (Al2O3 или Ti2) толщиной 30-50 мкм, которые для электрического контакта покрыты тонким слоем платины 5 толщиной 0,2-0,5 мкм. Крепление проводников 3 на керамической опоре 1 и электрический контакт с резистивными слоями 2 осуществляется припойной пастой 6.

Резисторный элемент (вариант 4, фиг.5) содержит плоскую, прямоугольного сечения керамическую опору (подложку) 1, на поверхности которой закреплен монокристаллический кремниевый терморезистор 2 П-образной формы, выполненный методами планарной технологии микроэлектроники и анизотропного травления. Для осуществления электрического контакта кремниевый терморезистор 2 имеет металлические контактные площади 3. От агрессивных воздействий среды тело терморезистора 4 защищено тонкой пленкой термического окисла (SiO2) 5. В сквозных отверстиях опоры 1 смонтированы анодированные алюминиевые или титановые проводники 6 со слоем диэлектрика 7 (Al2O3 или TiO2) толщиной 30-50 мкм, которые для электрического контакта покрыты тонким слоем платины 8 толщиной 0,2-0,5 мкм. Крепление проводников 6 на керамической опоре 1 и электрический контакт с кремниевым терморезистором 2 осуществляется припойной пастой 9.

Похожие патенты RU2105372C1

название год авторы номер документа
ТЕРМОАНЕМОМЕТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК МАССОВОГО РАСХОДА ЖИДКОСТЕЙ И ГАЗОВ 2004
  • Березкин Валерий Алексеевич
  • Матвеева Надежда Константиновна
  • Мушта Виктор Михайлович
  • Певгов Вячеслав Геннадьевич
  • Шкуропат Иван Георкиевич
RU2276775C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕРМОРЕЗИСТОРА 1994
  • Крячков В.А.
  • Хряпенков С.Е.
  • Санжарлинский Н.Г.
  • Самойлович М.И.
RU2084032C1
ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СТРУКТУРА 1980
  • Темнов А.М.
RU2076475C1
Способ изготовления тонкопленочных платиновых терморезисторов на диэлектрической подложке и устройство терморезистора (варианты) 2022
  • Гончар Игорь Иванович
  • Кадина Лариса Евгеньевна
RU2791082C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ 2008
  • Борыняк Леонид Александрович
  • Непочатов Юрий Кондратьевич
RU2384027C2
ЗОНД ДЛЯ ЛОКАЛЬНОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ 2009
  • Мешков Георгий Борисович
  • Синицына Ольга Валентиновна
  • Яминский Игорь Владимирович
RU2383078C1
ПЕРВИЧНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ РАСХОДА ТЕКУЧИХ СРЕД 2011
  • Березкин Валерий Алексеевич
  • Путилин Виктор Михайлович
RU2486476C2
СОСУД ДЛЯ ВЫРАБОТКИ СТЕКЛЯННОГО ВОЛОКНА 2002
  • Шкарупа И.Л.
  • Капитов Г.М.
  • Ромашин А.Г.
  • Викулин В.В.
RU2212379C1
СПОСОБ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛАТИНОВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ В СИСТЕМЕ ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК КРИСТАЛЛОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 2019
  • Рогозин Никита Владимирович
  • Побединский Виталий Владимирович
RU2717264C1
ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СТРУКТУРА 1982
  • Темнов А.М.
  • Темнова С.Л.
  • Крутов А.В.
RU2067361C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 105 372 C1

Реферат патента 1998 года РЕЗИСТОРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред. Резистивный элемент содержит цилиндрическую или плоскую прямоугольную керамическую опору с нанесением на нее каким-либо известным методом платиновым резистивным слоем, защищенным от агрессивных воздействий среды тонким слоем стекла, или кремниевым монокристаллическим терморезистором, металлические проводники с тонкой пленкой платины, закрепленные припойной пастой в керамической опоре. В металлических проводниках под слоем платины нанесен дополнительный слой диэлектрика, например Al2O3, теплопроводность которого на порядок меньше, чем у металлов. Изобретение направлено на увеличение точности и быстродействия измерения скорости или расхода потока за счет устранения утечек тепла по проводникам в конструкции резисторного элемента. 5 ил.

Формула изобретения RU 2 105 372 C1

Резисторный элемент, содержащий цилиндрическую или плоскую прямоугольную керамическую опору с нанесенным на нее методом химического осаждения или вакуумного напыления платиновым резистивным слоем, защищенным тонким слоем стекла, или кремниевым монокристаллическим терморезистором, металлические проводники с тонкой пленкой платины, закрепленные электропроводной припойной пастой в керамической опоре, отличающийся тем, что в металлических проводниках под слоем платины сформирован слой диэлектрика с низким значением теплопроводности.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1998 года RU2105372C1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
EP, патент, 0536880, кл.H 01 C 1/14, 1992
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
US, патент, 4903001, кл.B 05 D 5/12, 1990
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
US, патент, 4908599, кл.H 01 C 7/10, 1990.

RU 2 105 372 C1

Авторы

Тиняков Ю.Н.

Михайленко В.А.

Ефимова Г.И.

Рудковский А.И.

Даты

1998-02-20Публикация

1995-04-26Подача