СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИКМОП СТРУКТУР Российский патент 1998 года по МПК H01L21/8248 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления комплементарных вертикальных NPN и PNP биполярных транзисторов и комплементарных полевых транзисторов на общей подложке.

Из анализа "жизненных циклов" технологий следует, что в настоящее время на смену КМОП технологии приходит БиКМОП технология, сочетающая достоинства одновременно биполярных транзисторов.

Наиболее прогрессивным вариантом БиКМОП технологии является КБиКМОП технология, сочетающая высокую экономичность по мощности потребления при сверхвысоком быстродействии с простотой КМОП.

Ключевым элементом комплементарной БиКМОП структуры является комплементарный PNP транзистор с вертикальной структурой с параметрами по усилению, быстродействию и степени интеграции такого же высокого уровня, как и NPN транзистор.

Известны многочисленные способы изготовления биполярных и плевых транзисторов на одной подложке [1,2]
Известен способ изготовления комплементарных БиКМОП структур с изолированной вертикальной структурой PNP транзистора [3] обеспечивающий получение на одной подложке изолированных комплементарных вертикальных PNP и NPN транзисторов и комплементарных полевых транзисторов, включающий формирование в подложке p-типа проводимости открытого слоя n-типа проводимости, осаждение эпитаксиального слоя p-типа проводимости, формирования в эпитаксиальном слое карманов n-типа проводимости для создания РМОП, NPN и коллектора PNP-транзисторов, создание скрытого коллектора PNP транзистора в кармане n-типа проводимости, формирование базовых областей биполярных транзисторов, создание эмиттерных областей биполярных транзисторов и сток - истоковых областей КМОП транзисторов.

Недостатком данного способа изготовления является большая площадь, занимаемая биполярными транзисторами, когда в базовой области с большими интервалами друг от друга, учитывающими точность совмещения и исполнения отдельных слоев на литографии, размещаются контакт к базе и область эмиттера. Большие размеры транзисторов не позволяют достигнуть высокой степени интеграции и ограничивают быстродействие ИС, делают ИС, ьиз-за большой площади занимаемой транзисторами, критичными к поражению дефектами, что снижает процент выхода годных.

В последнее время появились технические решения, позволяющие существенно снизить размеры транзисторов благодаря использованию самосовмещенной технологии (self-aligned Technology SST, Aspect) формирования биполярных транзисторов, согласованной с технологией КМОП.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является способ изготовления БиКМОП прибора [4] включающий формирование высокоомного эпитаксиального слоя первого типа проводимости на высоколегированной подложке первого типа проводимости, создание скрытых слоев первого и второго типов проводимости, термическое окисление кремния над открытым слоем второго типа проводимости, удаление окисленного кремния, формирование эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование в нем изолированных карманов первого и второго типа проводимости, создание в карманах охранных областей первого и второго типа проводимости, формирование полевого диэлектрика, подлегирование карманов первого и второго типа проводимости примесью соответствующего типа проводимости, формирование подзатворного диэлектрика, осаждение первого слоя поликремния, удаление первого слоя поликремния с областей расположения биполярных транзисторов, формирование локальных скрытых коллекторов и базовых областей первого и второго типа проводимости, удаление подзатворного диэлектрика, осаждение второго слоя поликремния, легирование второго поликремния через маску фоторезиста в местах расположения затворов полевых и эмиттеров биполярных транзисторов примесью соответствующего типа проводимости, формирование слоя силицида металла на поверхности второго поликремния, осаждения слоя диэлектрика, формирование через маску фоторезиста травлением поликремниевых затворов и поликремниевых контактов к эмиттерам, легирование примесью с одновременным типом проводимости базовых областей и областей стока и истока первого и второго типа проводимости, формирование второго диэлектрика на боковых стенках поликремниевых затворов и контактов к эмиттерам, формирование в кремнии коллекторных контактов, областей внешних баз и областей истока и стока имплантацией через маску фоторезиста примесями соответствующего типа проводимости.

На фиг. 1-6 представлены основные этапы изготовления БиКМОП структур по способу в соответствии с прототипом со структурой типа Aspect [4]
На фиг. 1 представлен разрез структуры после формирования на подложке первого типа проводимости 1 высокоомного эпитаксиального слоя первого типа проводимости 2, создания скрытых слоев 3 и 4 второго и первого типа проводимости, термически образованной двуокиси кремния 5 над скрытым слоем 3.

На фиг. 2 представлен разрез структуры после удаления двуокиси кремния 5 с образованием ступени рельефа, осаждения эпитаксиального слоя второго типа проводимости 6, формирования двух типов изолированных карманов 6 и 7, создания в них двух типов охранных областей 8 и 9, формирования полевого диэлектрика 10, подлегирования карманов соответствующим типом примеси.

На фиг. 3 представлен разрез структуры после формирования подзатворного диэлектрика 11, осаждения первого слоя поликремния 12, удаления первого слоя поликремния с областей расположения биполярных транзисторов, формирования скрытых локальных коллекторов двух типов проводимости 13 и 14, создания базовых областей двух типов проводимости 15 и 16.

На фиг. 4 представлен разрез структуры после удаления подзатворного диэлектрика с областей расположения биполярных транзисторов, осаждения второго слоя поликремния, легирования второго поликремния через маску фоторезиста в местах расположения затворов и эмиттеров 18 и 19 соответствующим типом примеси.

На фиг. 5 представлен разрез структуры после формирования на втором поликремнии пленки силицида металла 21, осаждения слоя первого диэлектрика 20, формирования поликремниевых затворов 23 и поликремниевых контактов к эмиттерам 22 вертикальным травлением, подлегирования имплантацией базовых областей и областей стока и истока одноименной с областями примесью первого 24 и второго 25 типа проводимости.

На фиг. 6 представлен разрез структуры после формирования второго диэлектрика на боковых стенках поликремниевых затворов и контактов к эмиттерам 26, формирование в кремнии коллекторных контактов, областей внешних баз 32 и областей истока 30 и стока 31 имплантацией через маску фоторезиста примесями соответствующего типа проводимости 27 и 28 и областей обоих эмиттеров 29 диффузией примеси из второго поликремния в результате общего термического отжига, определяющего параметры всей структуры.

Однако указанный способ не полностью решает проблему получения комплементарных пар биполярных транзисторов на одной пластине.

Принципиальным недостатком данного способа является формирование в одном процессе термического отжига одновременно обоих эмиттеров комплементарных биполярных NPN и PNP транзисторов, что приводит к оптимальным условиям получения необходимых электрических параметров только для одного из двух типов биполярных транзисторов, в то время как второй тип транзистора требует дополнительной подгонки, неизбежно ухудшает первый тип транзистора. В [5] показано, что формирование эмиттера является наиболее критической операцией процесса создания комплементарных биполярных транзисторов. Установлено, что глубина перехода эмиттер база в PNP транзисторах чувствительна к температуре отжига вследствие быстрой диффузии бора (примеси образующей эмиттер), в то время как сопротивление эмиттера и ток насыщения базы не имеют значительных различий для разных температур отжига, что требует снижения температур печного отжига до 800-850^oC в сочетании с быстрым термическим отжигом (RTA). Последнее контрастирует с поликремниевым эмиттером в NPN транзисторах с мышьяковистым эмиттером, в которых как эмиттерное сопротивление, так и базовый ток очень чувствительны к эмиттерному отжигу из-за распределения для примеси мышьяка на границе кремний поликремний и требуют повышенных температур печного отжига до 900-950^oC.

В результате в одном процессе отжига двух эмиттеров не получаются равноценные предельные параметры по быстродействию и усилению для обоих комплементарных транзисторов.

Вместе с тем разделить операции отжига эмиттеров NPN и PNP транзисторов в способе, приведенном в прототипе, с помощью известных технических решений не удается, так как отжиг структуры должен выполняться по завершению всех операций в конце маршрута, в то время как формирование источника диффузии примеси во втором слое поликремния для создания эмиттеров обоих типов транзисторов NPN и PNP производится на раннем этапе.

Введение в способе, являющимся прототипом, отжига эмиттера последовательно для одного, а затем для другого типа биполярного транзистора приводит к существенному увеличению числа операций литографии и главное к деградации структуры одного из транзисторов.

Так при последовательном формировании транзисторов необходимо начинать с легирования второго слоя поликремния (для создания источника диффузии одного эмиттера) примесью, имеющей меньшей коэффициент диффузии в кремнии и требующей более высокой температуры отжига.

Далее необходимо вертикальным травлением формировать поликремниевый контакт к одному эмиттеру, подлегировать базовые области одноименной примесью, формировать боковой диэлектрик на стенках поликремниевого контакта к одному эмиттеру, легировать внешнюю базу данного транзистора и выполнять первый высокотемпературный отжиг. Затем необходимо легировать второй слой поликремния в месте расположения второго эмиттера, формировать поликремниевый контакт к второму эмиттеру, подлегировать базовые области и приступать к формированию бокового диэлектрика на стенках поликремниевого контакта ко второму эмиттеру. При этом по классической технологии формирования бокового диэлектрика (осаждение диэлектрика с последующим стравливанием его с горизонтальных поверхностей) одновременно будет формироваться уже повторно боковой диэлектрик у первого эмиттера, что приводит к увеличению вдвое толщины бокового диэлектрика и к неоптимальной структуре транзистора и ухудшению параметров транзистора. Толщина бокового диэлектрика в структуре транзистора, выполненного по самосовмещенной технологии, тождественно определяет расстояние между контактами к базе и эмиттеру и является ключевым параметром самосовмещенной технологии, обеспечивающим снижение размеров транзистора и его быстродействия.

В результате все это приводит к неоптимальному процессу получения комплементарных биполярных транзисторов, к ухудшению параметров одного из транзисторов по быстродействию и коэффициенту усиления и в результате всей БиКМОП структуры.

Целью изобретения является повышение качества комплементарных БиКМОП структур, сочетающих высокую экономичность по мощности потребления с предельной частотой переключения, за счет раздельного формирования эмиттеров комплементарных транзисторов в оптимальных режимах для каждого транзистора, изготавливаемых по самосовмещенной технологии со структурой Aspect, используемой в прототипе, единой для затворов полевых и эмиттеров биполярных транзисторов.

Цель достигается за счет того, что в способе изготовление вертикальных NPN и PNP биполярных транзисторов и комплементарных полевых транзисторов на общей подложке первого типа проводимости, включающем формирование создание открытого слоя второго типа проводимости, создание скрытого слоя первого типа проводимости, термическое окисление кремния над скрытым слоем второго типа проводимости, удаление окисленного кремния, формирование эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование в нем изолированных карманов первого и второго типа проводимости, создание в карманах охранных областей первого и второго типа проводимости, формирование полевого диэлектрика, подлегирование карманов первого и второго типа проводимости примесью соответствующего типа проводимости, формирование подзатворного диэлектрика, осаждение первого слоя поликремния, удаление первого слоя поликремния, удаление первого слоя поликремния с областей расположения биполярных транзисторов, формирование локальных скрытых коллекторов и базовых областей первого и второго типа проводимости, удаление подзатворного диэлектрика, осаждение второго слоя поликремния, легирование второго поликремния через маску фоторезиста в местах расположения затворов полевых и эмиттеров биполярных транзисторов примесью соответствующего типа проводимости, формирование слоя силицида металла на поверхности второго поликремния, осаждения слоя первого диэлектрика, формирование через маску фоторезиста травлением поликремниевых затворов и поликремниевых контактов к эмиттерам, легирование примесью с одноименным типом проводимости базовых областей и областей стока и истока первого и второго типа проводимости, формирование второго диэлектрика на боковых стенках поликремниевых затворов и контактов к эмиттерам, формирование в кремнии коллекторных контактов, областей внешних баз и областей истока и стока имплантацией через маску фоторезиста примесями соответствующего типа проводимости и областей обоих эмиттеров диффузией примеси из второго поликремния в результате общего термического отжига, перед созданием скрытого слоя первого типа проводимости в месте его расположения формируют скрытый слой второго типа проводимости с большими размерами и глубиной чем он сам, формируют эпитаксиальный слой второго типа проводимости, формируют в нем изолированные карманы первого и второго типа проводимости, создают в карманах охранные области первого и второго типа проводимости, формируют полевой диэлектрик, подлегируют карманы первого и второго типа проводимости примесью соответствующего типа проводимости, формируют подзатворный диэлектрик, осаждают первый слой поликремния, удаляют первый слой поликремния с областей расположения биполярных транзисторов, формируют базовые области первого и второго типа проводимости, удаляют подзатворный диэлектрик, осаждают второй слой поликремния, легируют второй поликремний через маску фоторезиста в местах расположения затворов полевых транзисторов примесью соответствующего типа проводимости и один из эмиттеров биполярных транзисторов типом примеси, имеющей меньший коэффициент диффузии в кремнии, чем легирующая примесь второго эмиттера, осаждают первый диэлектрик на поверхности второго поликремния, формируют через маску фоторезиста травлением поликремниевые затворы и поликремниевые контакты к эмиттерам, легируют примесью с одноименным типом проводимости базовые области и области стока и истока первого и второго типа проводимости, формируют второй диэлектрик на боковых стенках поликремниевых затворов и контактах к эмиттерам, формируют в кремнии коллекторные контакты, области внешних баз и области истока и стока имплантацией через маску фоторезиста примесями соответствующего типа проводимости, отжигают структуру при первой высокой температуре, после чего удаляют второй диэлектрик с поверхности второго поликремния, легируют поликремниевый контакт ко второму эмиттеру и окружающую его область внешней базы примесью другого типа проводимости, имеющей больший коэффициент диффузии в кремнии, чем легирующая примесь в первом эмиттере, с уровнем поверхностной концентрации в кремнии меньшей, чем поверхностная концентрация примеси во внешней базовой области биполярного транзистора, после чего отжигают структуру при второй меньшей температуре.

Таким образом, отличительными признаками предполагаемого изобретения является то, что перед созданием скрытого слоя первого типа проводимости в месте его расположения формируют скрытый слой второго типа проводимости с большими размерами и глубиной чем он сам, формируют эпитаксиальный слой второго типа проводимости, формируют в нем изолированные карманы первого и второго типа проводимости, создают в карманах охранные области первого и второго типа проводимости, формируют полевой диэлектрик, подлегируют карманы первого и второго типа проводимости примесью соответствующего типа проводимости, формируют подзатворного диэлектрика, осаждают первый слой поликремния, удаляют первый слой поликремния с областей расположения биполярных транзисторов, формируют базовые области первого и второго типа проводимости, удаляют подзатворный диэлектрик, осаждают второй слой поликремния, легируют второй поликремний через маску фоторезиста в местах расположения затворов полевых примесью соответствующего типа проводимости и один из эмиттеров биполярных транзисторов типом примеси, имеющей меньший коэффициент диффузии в кремнии, чем легирующая примесь второго эмиттера, осаждают первый диэлектрик на поверхности второго поликремния, формируют через маску фоторезиста травлением поликремниевые затворы и поликремниевые контакты к эмиттерам, легируют примесью с одноименным типом проводимости базовые области и области стока и истока первого и второго типа проводимости, формируют второй диэлектрик на боковых стенках поликремниевых затворов и контактах к эмиттерам, формируют в кремнии коллекторные контакты, области внешних баз и области истока и стока имплантацией через маску фоторезиста примесями соответствующего типа проводимости, отжигают структуру при первой высокой температуре, после чего удаляют второй диэлектрик с поверхности второго поликремния, легируют поликремниевый контакт ко второму эмиттеру и окружающую его область внешней базы примесью другого типа проводимости, имеющей больший коэффициент диффузии в кремнии, чем легирующая примесь в первом эмиттере, с уровнем поверхностной концентрации в кремнии меньшей, чем поверхностная концентрация примеси во внешней базовой области биполярного транзистора, после чего отжигают структуру при второй меньшей температуре.

Проведенные патентные исследования показали, что совокупность признаков предполагаемого изобретения является новой, что доказывает новизну заявляемого способа. Кроме того, патентные исследования показали, что в литературе отсутствуют данные, показывающие влияние отличительных признаков заявляемого изобретения на достижение технического результата, что подтверждает изобретательский уровень предлагаемого способа.

Данная совокупность отличительных признаков позволяет решить поставленную задачу.

Указанное выполнение предлагаемого способа приводит к тому, что получение требуемых параметров эмиттера одного транзистора достигается независимо от другого транзистора.

Это позволяет осуществлять оптимизацию параметров каждого комплементарного биполярного транзистора до требуемой величины, не боясь ухудшить параметры другого транзистора.

На фиг. 7-13 представлены основные этапы изготовления БиКМОП структуры.

На фиг. 7 представлен разрез структуры после формирования в подложке первого типа проводимости 1 открытого слоя второго типа проводимости 3, высокоомного скрытого слоя второго типа проводимости 33, охватывающего по размерам и глубине скрытый слой первого типа проводимости 4.

На фиг. 8 представлен разрез структуры осаждения эпитаксиального слоя второго типа проводимости 6, формирования двух типов изолированных карманов 6 и 7, разделяемых щелевой изоляцией 34, создания в них двух типов охранных областей 8 и 9, формирования полевого диэлектрика 10, подлегирования карманов соответствующим типом примеси.

На фиг. 9 представлен разрез структуры после формирования подзатворного диэлектрика 11, осаждения первого слоя поликремния 12, удаления первого слоя поликремния с областей расположения биполярных транзисторов, создания базовых областей двух типов проводимости 15 и 16.

На фиг. 10 представлен разрез структуры после удаления подзатворного диэлектрика с областей расположения биполярных транзисторов, осаждения второго слоя поликремния 17, легирования второго поликремния через маску фоторезиста в местах расположения затворов 18 и 19 соответствующим типом примеси и одного из эмиттеров типом примеси, имеющим меньший коэффициент диффузии в кремний.

На фиг. 11 представлен разрез структуры после осаждения на второй поликремний первого диэлектрика 20, формирования поликремниевых затворов 22 и поликремниевых контактов к эмиттерам 23 вертикальным травлением, подлегирования имплантацией базовых областей и областей стока и истока одноименной с областями примесью первого и второго типа проводимости 24 и 25.

На фиг. 12 представлен разрез структуры после формирования второго диэлектрика на боковых стенках поликремниевых затворов и контактов к эмиттерам 26, формирования в кремнии контактов к коллектору, областей внешних баз 32 и областей истока и стока 30 и 31 имплантацией через маску фоторезиста примесями соответствующего типа проводимости 27 и 28 и одного из эмиттеров 29 диффузией из второго поликремния после первого высокотемпературного отжига структуры.

На фиг. 13 представлен разрез структуры удаления второго диэлектрика с поверхности поликремния, легирования поликремниевого контакта ко второму эмиттеру примесью противоположного типа проводимости 18, чем первый эмиттер (при этом легируются прилегающие области к эмиттеру) и второго низкотемпературного отжига структуры.

Пример. В монокристаллической подложке p-типа проводимости (rv=100 Ом•см) формируют первый скрытый слой диффузией сурьмы из твердого источника с поверхностным сопротивлением 35 ОМ/кв при температуре 1200^oC, в месте последующего расположения скрытого слоя p+ типа формируют скрытый слой n-типа проводимости имплантацией фосфора с дозой 1 мккул/см² с последующей разгонкой при 1200^oC с большими размерами и глубиной, чем p+ скрытый слой, формируют p+ скрытый слой с поверхностным сопротивлением 200 Ом/кв имплантацией бора с дозой 30 мккул/см².

Наращивают эпитаксиальный слой n-типа проводимости толщиной 1,75 мкм и сопротивлением 0,3 Ом•см, формируют в нем изолированные карманы p-типа проводимости имплантацией бора с дозой 1 мккул/см² с разгонкой при 1100^oC в течение 2 ч, с помощью щелевой изоляции формируют изолированные карманы n-типа проводимости, создают в карманах охранные области первого и второго типа проводимости, формируют термическим окислением полевой диэлектрик толщиной 0,4 мкм, подлегируют карманы бором с дозой 0,3 мккул/см² для получения требуемых порогов, формируют подзатворный диэлектрик толщиной 250 осаждают первый слой поликремния толщиной 0,15 мкм, удаляют первый слой поликремния с областей расположения биполярных транзисторов, формируют базовые области PNP транзистора ионным легированием мышьяка с дозой 3 мккул/см² и разгонкой на глубину 0,15 мкм при 1000^oC и базовые области NPN транзистора ионным легированием бора с дозой 3 мккул/см², удаляют подзатворный диэлектрик в растворе плавиковой кислоты, осаждают второй слой поликремния толщиной 0,2 мкм, легируют второй поликремний через маску фоторезиста в местах расположения затворов РМОП транзисторов и эмиттер NPN транзисторов мышьяком с дозой 1500 мккул/см², имеющим меньший коэффициент диффузии в кремнии, чем легирующая примесь бора для второго эмиттера, осаждают нитрид кремния толщиной 0,2 мкм на поверхности второго поликремния, формируют через маску фоторезиста анизотропным травлением поликремниевые затворы и поликремниевые контакты к эмиттерам, легируют области базы NPN транзистора и сток и истоковые области РМОП транзистора бором с дозой 3 мккул/см², а области базы PNPP транзистора и сток и истоковые области NМОП транзистора мышьяком с дозой 3 мккул/см², осаждают слой двуокиси кремния толщиной 0,3 мкм, плазмохимическим травлением удаляют осажденный диэлектрик с горизонтальных поверхностей, формируют диэлектрик на боковых стенках поликремниевых затворов и контактах к эмиттерам, поочередно имплантацией бора с дозой 800 мккул/см² через маску фоторезиста формируют в кремнии коллекторные контакты к PNP, области внешних без NPN и области истока и стока PМОП транзисторов и имплантацией мышьяка с дозой 1000 мккул/см² через маску фоторезиста коллекторные контакты к NPN, области внешних баз PNP и области истока и стока NМОП транзисторов, отжигают структуру при первой высокой температуре 950^oC в течение 30 мин в атмосфере азота, после чего удаляют нитрид кремния в ортофосфорной кислоте с поверхности второго поликремния, легируют поликремниевый контакт ко второму эмиттеру и окружающую его область внешней базы бором с дозой 800 мккул/см², имеющей больший коэффициент диффузии в кремнии, чем легирующая примесь в первом эмиттере, с уровнем поверхностной концентрации в кремнии меньшей, чем поверхностная концентрация примеси во внешней базовой области биполярного транзистора, после чего отжигают структуру при второй меньшей температуре 850 ^oC в течение 30 мин.

Пример, описанный выше, является частным случаем, в котором используется предлагаемый способ.

Предлагаемый способ может использоваться для создания БиКМОП структур с другими методами создания изолированных карманов, с другими режимами окисления и отжига, не выходя за пределы патентных исследований.

Литература
1. JP, заявка 6097661, кл. H 01 L 27/06, 1985.

2. US, патент 5034338, кл. H 01 L 21/285, 1991.

3. EP, заявка 0325342, кл. H 01 L 21/82, 1989.

4. US, патент 4868135, кл. H 01 L 21/265, 1989.

5. Pong-Fei Lu, James D. Warnock "The Design at. ol. Optimizaati on of High Performance Doble Poly self-aligned pnp Technology". IEEE Transactions on Electron Devises. vol 38, No 6, 1991.

Использование: микроэлектронника, технология изготовления комплементарных вертикальных NPN и PNP транзисторов и комплементарных полевых транзисторов на общей подложке с использованием самосовмещенной структуры биполярного транзистора типа Aspekt, согласованной с технологией КМОП. Сущность изобретения: способ включает изготовление на общей подложке скрытых слоев двух типов проводимости и эпитаксиальной пленки, формирование в ней изолированных карманов двух типов проводимости, размещение в них комплементарных биполярных и полевых транзисторов, легирование одного из эмиттеров биполярных транзисторов примесью, имеющей меньший коэффициент диффузии в кремнии, чем легирующая примесь второго эмиттера, отжиг структуры при первой высокой температуре, затем легирование второго эмиттера и окружающую его область внешней базы примесью другого типа проводимости, с уровнем концентрации в кремнии меньшим, чем уровень легирования во внешней базовой области биполярного транзистора, после чего отжигают структуру при второй меньшей температуре. 13 ил.

Способ изготовления вертикальных NPN и PNP биполярных транзисторов и комплементарных полевых транзисторов на общей подложке первого типа проводимости, включающий формирование скрытого слоя второго типа проводимости, создание скрытого слоя первого типа проводимости, осаждение эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование в нем изолированных карманов первого и второго типа проводимости, создание в карманах охранных областей первого и второго типа проводимости, формирование полевого диэлектрика, подлегирование карманов первого и второго типа проводимости примесью соответствующего типа проводимости, формирование подзатворного диэлектрика, осаждение первого слоя поликремния, удаление первого слоя поликремния с областей расположения биполярных транзисторов, формирование базовых областей второго и первого типа проводимости, удаление подзатворного диэлектрика, осаждение второго слоя поликремния, легирование второго поликремния через маску фоторезиста в местах расположения затворов полевых и эмиттеров биполярных транзисторов примесью соответствующего типа проводимости, осаждение диэлектрика на поверхности второго поликремния, формирование через маску фоторезиста травлением поликремниевых затворов и поликремниевых контактов к эмиттерам, легирование примесью с одноименным типом проводимости базовых областей и областей стока и истока первого и второго типа проводимости, формирование диэлектрика на боковых стенках поликремниевых затворов и контактов к эмиттерам, формирование в кремнии коллекторных контактов, областей внешних баз и областей истока и стока имплантацией через маску фоторезиста примесями соответствующего типа проводимости, отличающийся тем, что перед созданием скрытого слоя первого типа проводимости в месте его расположения формируют скрытый слой второго типа проводимости большей, чем предыдущий, глубины, осаждают эпитаксиальный слой второго типа проводимости, формируют в нем изолированные карманы первого и второго типа проводимости, поочередно создают в них охранные области первого и второго типа проводимости, формируют полевой диэлектрик, подлегируют карманы первого и второго типа проводимости примесью соответствующего типа проводимости, формируют подзатворный диэлектрик, осаждают первый слой поликремния, удаляют первый слой поликремния с областей расположения биполярных транзисторов, формируют базовые области второго и первого типа проводимости, удаляют подзатворный диэлектрик, осаждают второй слой поликремния, легируют второй поликремний через маску фоторезиста места расположения затворов полевых транзисторов примесью соответствующего типа проводимости и один из эмиттеров биполярных транзисторов типом примеси, имеющей меньший коэффициент диффузии в кремнии, чем легирующая примесь второго эмиттера, осаждают диэлектрик на поверхности второго поликремния, формируют через маску фоторезиста поликремниевые затворы и поликремниевые контакты к эмиттерам, легируют примесью с одноименным типом проводимости базовые области и области стока и истока первого и второго типа проводимости, формируют диэлектрик на боковых стенках поликремниевых затворов и контактов к эмиттерам, формируют в кремнии коллекторные контакты области внешних баз, а также области истока и стока имплантацией через маску фоторезиста примесей соответствующего типа проводимости, отжигают структуру при первой высокой температуре, удаляют диэлектрик с поверхности второго поликремния, после чего легируют поликремниевый контакт к второму эмиттеру и окружающую его область внешней базы примесью другого типа проводимости, имеющей больший коэффициент диффузии в кремнии, чем легирующая примесь первого эмиттера, с уровнем поверхностной концентрации в кремнии меньшей, чем поверхностная концентрация примеси во внешней базовой области биполярного транзистора, после чего отжигают структуру при второй меньшей температуре.