ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ СПОСОБ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ЗАРЯЖЕННЫХ ПРИМЕСЕЙ Российский патент 1999 года по МПК C22B9/00 

Описание патента на изобретение RU2126454C1

Изобретение относится к технологии получения чистых металлов и полупроводников.

Известны способы получения чистых металлов и полупроводников электролитическим рафинированием и зонной плавкой.

Сущность метода электролитического рафинирования заключается в том, что в электролитической ванне в процессе электролиза на одном из электродов выделяется чистый металл (Кнорозов Б.В. "Технология металлов".-М: Металлургия, 1978, с. 90).

Недостатком этого метода является то, то он не позволяет полностью очистить металл от примесей. Материал очищается до чистоты 99,95%.

Метод зонной плавки, преимущественно применяемый при очистке полупроводников, заключается в том, что примеси перемещаются к разным торцам слитка в зависимости от коэффициента сегрегации примесей в результате многократного прохождения по слитку расплавленной зоны (Брук В.А., Гаршекин В.В., Курносов А. И., "Производство полупроводниковых приборов".- М: Профтехиздат, 1963, с. 47).

Прототипом предлагаемого способа выбран вышеуказанный метод зонной очистки.

Недостатком метода зонной очистки является то, что и после многократного прохождения зоны в материале остаются в основном заряженные примеси. Кроме того, метод не позволяет очищать материал от примеси с одинаковым коэффициентом сегрегации как для твердой, так и для жидкой фазы.

Цель изобретения - получение материала высокой чистоты - достигается использованием известного гальваномагнитного явления, заключающегося в том, что в поперечном магнитном поле как положительные, так и отрицательные ионы примеси, движущиеся в постоянном электрическом поле в противоположные стороны, перемещаются в одну и ту же сторону при закороченном холловском поле в направлении, перпендикулярном электрическому току и магнитному полю.

Сущность предлагаемого способа заключается в том, что предварительно очищенная зонной плавкой часть слитка (1) помещается в кварцевую ампулу (2). В ампулу подведены две пары зондов. ПП-зонды для постоянного тока поперек слитка. XX-закороченные холловские зонды к торцам слитка.

Ампула с намотанным на нее нагревателем H(3) (см. фиг. 1) помещена в поперечное магнитное поле (магнит на чертеже не показан; пунктирный круг - область перпендикулярного плоскости чертежа - обозначенного значком (+) - магнитного поля). Включением нагревателя (3) доводят температуру слитка (1) до точки плавления.

После расплавления слитка включают ток по слитку (4) и поперечное магнитное поле (6,7,8 - амперметр, источник тока и сопротивление нагрузки соответственно). Поскольку холловское поле закорочено (5), то заряженные примеси обоих знаков скапливаются на одной половине расплавленного материала. После этого выключением нагревателя (3) при включенном токе (4) и поперечном магнитном поле доводят расплав до полной кристаллизации. При этом основная масса примеси, собранная на одной из половин, остается там, поскольку происходит равномерное охлаждение всего материала.

Лабораторное исследование было проведено на зонно- очищенном электронном германии.

На фиг. 2 приведены зависимости разностной концентрации доноров и акцепторов от длины каждой из половин слитка (A и B), полученные из измерений постоянной Холла через каждые 10 мм.

Как видно из фиг. 2, имеется существенная разница в концентрациях по длине половин A и B. Максимальная концентрация примесей имеет место в конце половины B.

Таким образом, этим методом можно полностью очистить часть слитка (в нашем случае половину A) от заряженных примесей.

Похожие патенты RU2126454C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ 1987
  • Даунов М.И.
  • Магомедов А.Б.
RU2032962C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДРЕЙФОВОЙ ПОДВИЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 2002
  • Абдуллаев А.А.
  • Алиев А.Р.
  • Камилов И.К.
RU2239913C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ ОКСИДА ЦИНКА НА НЕОРИЕНТИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ 1998
  • Атаев Б.М.
  • Камилов И.К.
  • Багамадова А.М.
  • Мамедов В.В.
  • Омаев А.К.
RU2139596C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ 1997
  • Гусейнов Г.Г.
RU2124717C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИКЕЛИДА ТИТАНА И СПЛАВОВ НА ЕГО ОСНОВЕ 1997
  • Шахназаров Т.А.
  • Камилов И.К.
  • Мирзаев Г.М.
  • Тахтарова Ю.А.
RU2132415C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАЗИБИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР ОКСИДА ЦИНКА 2000
  • Атаев Б.М.
  • Камилов И.К.
  • Багамадова А.М.
  • Мамедов В.В.
  • Омаев А.К.
  • Махмудов С.Ш.
RU2202138C2
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК 1995
  • Абдуев А.Х.
  • Камилов И.К.
RU2102814C1
ГЕНЕРАТОР СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 1993
  • Баширов Р.И.
  • Гаджиалиев М.М.
  • Мусаев А.М.
RU2084996C1
СПОСОБ ПОИСКА И РАЗВЕДКИ ЗАЛЕЖЕЙ ФЛЮИДНЫХ ПОЛЕЗНЫХ ИСКОПАЕМЫХ 1994
  • Курбанов А.А.
RU2117318C1
СПОСОБ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ 1996
  • Абдуев А.Х.
  • Магомедов А.М.
RU2114487C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 126 454 C1

Реферат патента 1999 года ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ СПОСОБ ОЧИСТКИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ЗАРЯЖЕННЫХ ПРИМЕСЕЙ

Способ может быть использован для получения чистых металлов и полупроводников и для очищения предварительно зонно - очищенного материала от заряженных примесей. В основу способа положен гальваномагнитный эффект, заключающийся в том, что заряженные примесные атомы, перемещающиеся в постоянном электрическом поле в противоположные стороны в зависимости от их знака, в поперечном магнитном поле при закороченном холловском поле отклоняются к одной и той же стороне в направлении, перпендикулярном магнитному полю и электрическому току. Последующее равномерное охлаждение жидкой фазы до полной кристаллизации при включенном токе и магнитном поле замораживает заряженные примеси у одного из торцов слитка. Многократное применение данного способа к одному и тому же материалу, когда каждый раз берут для повторного очищения более чистую половину слитка, дает возможность полного очищения материала от заряженных примесей. Способ можно применить и в случае, когда необходимо избирательно очищать материал именно от заряженных примесей, получается материал высокой чистоты, 2 ил.

Формула изобретения RU 2 126 454 C1

Способ очистки металлов и полупроводников, включающий зонную плавку слитка указанного материала, отличающийся тем, что очищенную зонной плавкой часть слитка материала помещают в кварцевую ампулу, которую вместе с нагревателем и токоподводом помещают в электромагнит, нагревают до точки плавления материала, при этом пропускают постоянный ток по расплаву слитка и накладывают поперечное внешнее магнитное поле, которые поддерживают неизменными до медленно наступающей после выключения нагревателя кристаллизации.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1999 года RU2126454C1

Брук В.А
и др
Производство полупроводниковых приборов.-М.: Профтехиздат, 1963, с.47
Способ очистки индия от примесей олова и свинца 1961
  • Чжан Цзу Лян
  • Большаков К.А.
  • Федоров П.И.
SU139844A1
СПОСОБ ОЧИСТКИ ИНДИЯ ОТ ПРИМЕСЕЙ 0
SU177620A1
US 3762912 A, 02.10.73
СПОСОБ ВЫРАБОТКИ КОНСЕРВОВ "КОТЛЕТЫ РЫБООВОЩНЫЕ В ТОМАТНОМ СОУСЕ" 2012
  • Квасенков Олег Иванович
  • Петров Андрей Николаевич
RU2512066C1

RU 2 126 454 C1

Авторы

Гаджиалиев М.М.

Даты

1999-02-20Публикация

1998-02-12Подача