СПОСОБ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ МИКРОЛЕПТОННЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ Российский патент 1999 года по МПК H05H1/00 B01J19/08 H01J37/30 H01S4/00 

Описание патента на изобретение RU2138139C1

Изобретение относится к области технологии и техники обработки материалов микролептонным излучением.

Из патентной литературы известен способ плазменной обработки поверхности, включающий зажигание дуги, расположенной под углом к обрабатываемой поверхности и изменение формы дуги путем наложения на нее переменного магнитного поля, силовые линии которого перпендикулярны направлению тока дуги и наложены в прикатодной области разряда, формируемое в виде однополярных треугольных импульсов.

/См. Авторское свидетельство СССР N 1549464, H 05 H 1/00, 1988/.

Известна конструкции ВЧ плазменного генератора, включающего электромагнитную катушку, индуктор или электроды, подключенные к источнику ВЧ-энергии. Различают ВЧ-плазменные генераторы, индукционные, емкостные, факельные, а также СВЧ плазменные генераторы. / См. Плазменные генераторы, физический энциклопедический словарь, Москва, "Советская энциклопедия", 1984, с. 543, рис. 1,2/.

Достигаемый изобретениями технический результат заключается в повышении и изменении физико-химических свойств и технологических характеристик, обрабатываемых микролептонным излучением материалов.

Изобретение поясняется чертежом, где представлена принципиальная схема устройства.

Сущность изобретения.

Способ обработки материалов микролептонным излучением, включающий подачу ВЧ-генератором сигналов с частотой до 1,0 МГц и длиной в зависимости от обрабатываемого материала в накопитель и при достижении требуемой плотности сигналов преобразование в поток электронов, который подают в концентратор и далее преобразуют в микролептонное излучение, направляемое на обрабатываемый материал.

Устройство для обработки материалов микролептонным излучением снабжено ВЧ-генератором, накопителем, концентратором и электродом, при этом накопитель выполнен в виде контурной емкости с витками и связан с ВЧ-генератором и концентратором, выполненным в виде конической электромагнитной катушки, и направляет с помощью электрода микролептонное излучение на обрабатываемый материал.

Существует большой класс микрочастиц, масса которых в миллионы и миллиарды раз меньше электрона, которые в физике называют микролептонами. Микролептоны несут полную информацию о любом объекте, который их излучает. Все физические, химические и другие процессы, протекающие в живой и неживой природе, сопровождаются излучением и увеличением микролептонов.

Концентрация дополнительной /свободной/ энергии приводит к изменению физико-химических характеристик практически всех веществ и материалов.

С ВЧ-генератора сигналы определенной частоты до 1,0 МГц подаются в накопитель и при достижении требуемой плотности преобразуются в поток электронов, который подают в пирамидальный концентратор и далее в микроплептонное излучение, направляемое на обрабатываемый материал. Микролептонное излучение непосредственно контактирует с материалом, уплотняя микролептонное поле обрабатываемого материала.

В устройстве преобразуется и концентрируется энергия посредством организации направленного движения уплотненного потока электронов.

С ВЧ-генератора 1 сигналы определенной частоты и длины подаются в накопитель 2, выполненный в виде контурной емкости с малым количеством витков, и при достижении необходимой величины поток электронов подается в пирамидальный концентратор 3, выполненный в виде конической электромагнитной катушки и направляется в электрод 4, образуя на свободном его конце микролептонный сход - излучение. Микролептонное излучение непосредственно контактирует с материалом 5 /например с керамическим изделием/ и уплотняет микролептонное поле данного изделия.

Изобретение позволяет повысить основные эксплуатационные показатели и физико-химические характеристики веществ и материалов, используемых в различных областях деятельности человека.

Похожие патенты RU2138139C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ГЕНЕРАЦИИ МИКРОЛЕПТОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И ВОЗДЕЙСТВИЯ ИМ НА ВЕЩЕСТВА И МАТЕРИАЛЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1997
  • Машошин И.Ф.(Ru)
  • Охатрин А.Ф.(Ru)
  • Машошин Ю.Ф.(Ru)
  • Зубов Д.Л.(Ru)
  • Эглофф Эдвард
RU2135276C1
СПОСОБ ГЕНЕРАЦИИ МИКРОЛЕПТОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ВОЗДЕЙСТВИЯ НА УГЛЕВОДОРОДЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1999
  • Машошин И.Ф.
  • Машошин Ю.Ф.
RU2164022C2
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ГЕОФИЗИЧЕСКИХ СТРУКТУР ОБЪЕКТОВ, ОБРАЗУЕМЫХ ПОЛЯМИ МИКРОЛЕПТОНОВ, И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ 1997
  • Охатрин Ф.А.(Ru)
  • Охатрин А.Ф.(Ru)
  • Машошин Ю.Ф.(Ru)
  • Зубов Д.Л.(Ru)
  • Лобанов В.П.(Ru)
  • Шахмин М.Ф.(Ru)
  • Эглофф Эдвард
RU2138036C1
СПОСОБ ПОИСКА МЕСТОРОЖДЕНИЙ ПОЛЕЗНЫХ ИСКОПАЕМЫХ ПО ИНДУЦИРОВАННОМУ ИЗЛУЧЕНИЮ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2000
  • Охатрин А.Ф.
  • Охатрин А.А.
  • Шевалдин С.В.
  • Ярош В.В.
RU2169386C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НЕЙТРАЛИЗАЦИИ ВЫХЛОПНЫХ ГАЗОВ ТРАНСПОРТНЫХ СРЕДСТВ 1999
  • Машошин Ю.Ф.
  • Шахмин М.Ф.
  • Варава С.Н.
RU2156375C1
СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ МИКРОЛЕПТОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ 1999
  • Машошин Ю.Ф.
  • Шахмин М.Ф.
  • Чайка Г.С.
RU2164680C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ПРОДУКТИВНЫЙ ПЛАСТ НЕФТЕГАЗОКОНДЕНСАТНОГО МЕСТОРОЖДЕНИЯ 2001
  • Темерко А.В.
RU2201501C1
Ионный ракетный двигатель космического аппарата 2018
  • Цыбин Олег Юрьевич
  • Макаров Сергей Борисович
RU2682962C1
СПОСОБ РАЗРАБОТКИ НЕФТЕГАЗОКОНДЕНСАТНЫХ МЕСТОРОЖДЕНИЙ 2002
  • Темерко А.В.
RU2208141C1
ВЧ-ИСТОЧНИК ПЛАЗМЫ С ПЛАНАРНЫМ ИНДУКТОРОМ ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 600 мм 2022
  • Аверкин Сергей Николаевич
  • Антипов Александр Павлович
  • Лукичев Владимир Федорович
  • Мяконьких Андрей Валерьевич
  • Руденко Константин Васильевич
  • Рылов Алексей Анатольевич
  • Семин Юрий Федорович
RU2785367C1

Реферат патента 1999 года СПОСОБ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ МИКРОЛЕПТОННЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

Использование: в области технологии и техники обработки материалов микролептонным излучением. Технический результат - в изменении физико-химических свойств и технологических характеристик обрабатываемых материалов. Сущность изобретения: ВЧ-генератором подают сигналы с частотой до 1,0 МГц и длиной в зависимости от обрабатываемого материала в накопитель и при достижении требуемой плотности сигналов преобразуют их в поток электронов, который подают в концентратор и далее преобразуют в микролептонное излучение, направляемое на обрабатываемый материал. Для осуществления способа используется устройство, которое снабжено ВЧ-генератором, накопителем, концентратором и электродом, при этом накопитель выполнен в виде контурной емкости с витками и связан с ВЧ-генератором и концентратором, выполненным в виде конической электромагнитной катушки. С помощью электрода микролептонное излучение направляется на обрабатываемый материал. 2 c.п.ф-лы, 1 ил.

Формула изобретения RU 2 138 139 C1

1. Способ обработки материалов микролептонным излучением, включающий подачу ВЧ-генератором сигналов с частотой до 1,0 МГц и длиной в зависимости от обрабатываемого материала в накопитель и при достижении требуемой плотности сигналов преобразование в поток электронов, который подают в концентратор и далее преобразуют в микролептонное излучение, направляемое на обрабатываемый материал. 2. Устройство для обработки материалов микролептонным излучением, снабженное ВЧ-генератором, накопителем, концентратором и электродом, при этом накопитель выполнен в виде контурной емкости с витками и связан с ВЧ-генератором и концентратором, выполненным в виде конической электромагнитной катушки, и направляющее с помощью электрода микролептонное излучение на обрабатываемый материал.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1999 года RU2138139C1

Ковалев Р.П
Микролептонные технологии - в практику конструирования
- Самолет, 1997, N 1, с.20-23
0
SU161088A1
КВАНТОВОМЕХАНИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПУЧКЕ АТОМОВ 1964
  • Крюков Г.М.
SU247410A1
Способ плазменной обработки поверхности 1988
  • Волокитин Г.Г.
  • Шишковский В.И.
  • Дедюхин Р.О.
SU1549464A1
US 5444260 A, 22.08.95.

RU 2 138 139 C1

Авторы

Шевалдин С.В.(Ru)

Охатрин А.Ф.(Ru)

Машошин Ю.Ф.(Ru)

Зубов Д.Л.(Ru)

Эглофф Эдвард

Даты

1999-09-20Публикация

1997-09-19Подача