ПРОВЕРКА АЛМАЗА Российский патент 2001 года по МПК G01N21/87 G01N21/64 

Изобретение относится к способу проверки наличия нанесенного на природный алмаз слоя синтетического алмаза и к устройству для реализации способа. Это имеет особенное значение при проверке, является ли алмаз полностью природным или какая-то часть его содержит химически осажденный из паровой фазы алмазный материал, и его обнаружении.

Синтетический алмазный материал может быть нанесен на неразрезанный или частично обработанный природный алмаз, который затем обрабатывают, например, в граненый со всех сторон бриллиант. И наоборот, покрытие из синтетического алмазного материала может быть нанесено на полностью сформированный бриллиантовый камень после обработки камня. Толщина слоя синтетического алмазного материала может быть очень тонкой (она может составлять примерно 5-10 мкм), однако настоящее изобретение можно использовать также для обнаружения более толстых слоев.

Стоимость алмаза зависит частично от его веса. Поэтому синтетический алмазный материал может быть нанесен на природный ювелирный алмаз до или после огранки алмаза для увеличения веса конечного изделия.

Однако стоимость алмаза определяется также его подлинностью и уникальностью, а также тем, что он является полностью природным (добытым) алмазом. Таким образом, алмаз, который не был увеличен с помощью наложения слоя синтетического алмазного материала, имеет большую стоимость, чем алмаз, увеличенный с помощью такого слоя.

В течение многих лет разработан ряд способов синтезирования алмазного материала. Одним из этих способов является способ химического осаждения из газовой фазы (CVD), который использует технологию низкого давления, состоящую в нанесении синтетического алмаза (называемый в данном описании "алмазным материалом CVD") из газа на подложку. Химическое осаждение из газовой фазы является наиболее вероятным способом нанесения синтетического алмаза на алмаз, хотя предложены альтернативные технологии, например физическое осаждение из газовой фазы. Алмаз, искусственно увеличенный нанесением химически осажденного из газовой фазы алмазного материала или аналогичного алмазного материала, называется в этом описании "дублетом CVD/природный алмаз".

Алмазный материал CVD может быть нанесен не на алмазную и алмазную подложку. В последнем случае алмазный материал CVD может копировать структуру алмазной подложки (это называют "гомоэпитаксиальным ростом"). Образованный дублет CVD/природный алмаз может быть идентичным по внешнему виду, плотности и другим обычным физическим свойствам полностью природному камню, а идентификация такого дублета CVD/природный алмаз может быть проблематичной.

Целью настоящего изобретения является создание способа проверки, имеет ли алмаз слой из синтетического алмаза, нанесенного на него, а также устройство для реализации способа.

Желательно, чтобы устройство было простым и могло быть использовано относительно малоподготовленным человеком. Способ и устройство должны позволять использовать их надежно и непротиворечиво ювелиром-практиком, который не обучен способам лабораторного анализа ювелирных изделий. Способ и устройство должны быть пригодными для проверки большого количества камней вручную и должны быть пригодными для автоматизации.

В GB 2275788 A раскрыт способ определения, имеет ли алмаз слой синтетического алмаза, нанесенного на него, при котором алмаз приводят в состояние люминесценции с помощью электронов или ультрафиолетового излучения высокой энергии и наблюдают результирующий узор люминесценции для обнаружения зон нанесенного синтетического алмаза. Облучают, предпочтительно, весь алмаз, а узор изучают с помощью увеличительных средств или на экране с помощью камеры на элементах с зарядовой связью.

Часть предмета изобретения, согласно GB 2275788 А, относится к проверке, имеет ли природный алмаз слой нанесенного на него синтетического алмаза. Алмаз облучают, предпочтительно, катодным или электронным лучом и слой синтетического алмаза идентифицируют по его специальным поясам роста, хотя это и требует значительного умения.

В EP-A-0425426 A раскрыт способ идентификации драгоценного камня (в частности алмаза) для определения отличия данного драгоценного камня от других драгоценных камней. Таким образом, этот способ позволяет определить "отпечатки пальцев" данного драгоценного камня. Драгоценный камень приводят в состояние люминесценции и измеряют уровень люминесценции на множестве предварительно выбранных длинах волн.

В GB 2293236 A раскрыто использование интегрирующей сферы и ультрафиолетового излучения с длиной волны 230-320 нм для проверки, имеет ли природный алмаз слой нанесенного на него синтетического алмаза, при этом алмаз лежит на полке из кварцевого стекла внутри интегрирующей сферы и облучается через ее стол.

Сущность изобретения
Настоящее изобретение предлагает способ проверки наличия нанесенного на природный алмаз слоя синтетического алмаза, включающий облучение алмаза лучами высокой энергии для возбуждения эмиссии люминесценции алмазом, сканирование для раздельной оценки люминесценции, эмитируемой множеством различных зон поверхности алмаза, и определение, имеется ли существенное изменение люминесценции от одной зоны к другой, с целью определения наличия нанесенного на алмаз слоя синтетического алмаза.

Настоящее изобретение предлагает также устройство для определения наличия нанесенного на природный алмаз слоя синтетического алмаза, содержащее: опору для крепления алмаза, средства для облучения алмаза, закрепленного на опоре, излучением высокой энергии для возбуждения эмиссии люминесценции алмазом; сканирующие средства для получения раздельных сигналов, зависящих от люминесценции, эмитируемой множеством соответствующих различных зон поверхности алмаза; и средства для индикации на основе указанных сигналов наличия на алмазе нанесенного на него слоя синтетического алмаза. Если средства для облучения облучают алмаз неподвижным лучом, что является предпочтительным, который может быть меньше, чем алмаз, так что облучается только часть лицевой поверхности алмаза, то сканирующие средства могут обеспечить относительное перемещение алмаза и луча, так что луч последовательно облучает различные зоны алмаза. Сканирование при неподвижном луче может осуществляться с помощью средств для приведения в движение или перемещения опоры по отношению к опорам всего устройства, при этом облучающие средства расположены неподвижно по отношению к опорам устройства.

Изобретатели установили, что поиск существенных различий в люминесценции различных зон алмаза является особенно простым способом обнаружения поверхностных слоев синтетического алмазного материала. Нет необходимости в изображении и визуальной интерпретации сложного изображения оператором, как в GB 2275788 A.

Под люминесценцией понимается эмитируемое излучение с длиной волны, в целом отличной от облучающего излучения, которое его вызывает.

Измеряют предпочтительно интенсивность люминесценции. Создают предпочтительно сигнал, зависящий от интенсивности люминесценции каждой зоны. В качестве альтернативы можно сканировать поверхность алмаза лучом облучающего излучения, определяя существенное изменение в интенсивности люминесценции между одной зоной и следующей зоной.

Алмаз можно облучать ультрафиолетовым излучением с подходящей длиной волны. В основном все природные алмазы будут люминесцировать при облучении излучением с длиной волны менее 225 нм. Соответственно предпочтительно использовать излучение с длиной волны менее или приблизительно равной 225 нм. Облучающее излучение может быть, в основном, монохроматическим или может содержать диапазон или набор длин волн.

Предпочтительно, чтобы преобладало облучение только поверхностной области алмаза и ее люминесценция. Это обусловлено тем, что слои синтетического алмаза могут быть относительно тонкими. Если облучающее излучение проникает на глубину, существенно большую, чем толщина тонкого слоя синтетического алмазного материала, то будет вызвана люминесценция расположенного ниже природного алмазного материала, которая может исказить или поглотить люминесценцию слоя синтетического алмаза.

По этой причине предпочтительно облучать алмаз излучением с длиной волны менее или примерно равной 225 нм, которое очень сильно поглощается всеми типами алмазов. Более детально это описано в GB 2275788 A.

Облучающее излучение может включать излучение с длинами волн более 225 нм. Определенные диапазоны излучения с длиной волны более 225 нм имеют различные характеристики поглощения в различных типах алмазов. В соответствии с этим, такое излучение может проникать через теоретически излучаемый слой и вызывать люминесценцию в других областях алмаза, что может исказить результаты. Облучающее излучение с длиной волны намного больше 225 нм может быть спутано с люминесцентным излучением. Желательно, чтобы такое излучение с длиной волны больше, чем 225 нм должно иметь достаточно низкую интенсивность, так чтобы люминесценция от частей алмаза, отличных от излучаемой зоны, не убирала или не уменьшала контраст наблюдаемой люминесценции.

Предпочтительно, чтобы по меньшей мере 50% энергии облучения находилось в излучении с длиной волны менее 225 нм. Однако предпочтительно, чтобы излучение с длиной волны более 225 нм было исключено с помощью соответствующего фильтра.

В качестве альтернативного решения алмаз можно облучать лучом электронов подходящей энергии, однако устройство в этом случае становится сложнее.

Облучающее излучение должно иметь интенсивность, достаточную для создания люминесценции, достаточной для наблюдения.

Облучающее излучение можно создать с помощью любых пригодных для этого средств, например с помощью лазера или других источников. Облучающее излучение можно направлять на драгоценный камень с помощью любых пригодных для этого средств. Однако ослабление коротких длин волн ультрафиолетового излучения нормальной оптикой высоко, и предпочтительно использовать оптическое оборудование, которое имеет высокую пропускную способность на коротких ультрафиолетовых длинах волн.

Излучение с длиной волны менее 180 нм ослабляется нормальной ультрафиолетовой оптикой и кислородом в воздухе и эффективно отфильтровывается устройством.

Излучение предпочтительно фокусируют на алмазе. Более предпочтительным является фокусирование излучения на некоторой зоне алмаза, которая меньше, чем общая площадь поверхности алмаза. Особенно предпочтительно фокусировать излучение в небольшое пятно и сканировать по поверхности алмаза.

Как показано более детально в GB 2275788 A, излучение с длиной волны менее 225 нм поглощается большей частью в указанной зоне поверхности алмаза. Это помогает настоящему изобретению тем, что люминесценция, наблюдаемая при облучении данной зоны, будет в основном зависеть от состава поверхности облучаемой зоны.

Диапазоны люминесценции, наблюдаемой для различных типов алмазов (природных и синтетических), попадают в широкий диапазон длин волн, обычно в видимую часть спектра. Можно образовать сигнал, зависящий от интенсивности люминесценции, имеющей относительно узкий диапазон или относительно широкий диапазон длин волн. В последнем случае предпочтительно предусмотреть отсекающий фильтр для исключения облучающего излучения.

Слой синтетического алмаза, нанесенный на природный алмаз, может быть обнаружен, если люминесценция от него имеет другой цвет по сравнению с люминесценцией от природной части алмаза, или, что более важно, другую интенсивность по сравнению с люминесценцией от природной части алмаза. Соответственно при проверке множества зон существенное различие (например, более слабый сигнал составляет примерно 80%, предпочтительно 50% или менее от более сильного) интенсивности люминесценции, создаваемой различными зонами алмаза, позволяет предполагать дублет CVD/природный алмаз. Возможно, что различие в интенсивности люминесценции не вызвано наличием слоя синтетического алмаза. Настоящее изобретение указывает полезное направление. Однако может быть полезной дальнейшая проверка.

Может быть достаточным проверить только немного зон (может быть, только две) для обнаружения различия в люминесценции различных зон. Однако проверяют предпочтительно большое число зон.

Интенсивность излучения в способе согласно изобретению может быть оценена глазом. В этом случае должны быть обеспечены средства для исключения попадания потенциально опасного ультрафиолетового излучения на наблюдателя. Если люминесценцию оценивают глазом, то нет необходимости создавать изображение облученной зоны, если облучающее излучение можно ограничить интересующей зоной и предотвратить облучение других зон. В этом случае рассмотрению подвергают в конечном счете люминесценцию, а не алмаз.

Предпочтительно, чтобы наблюдаемое излучение не содержало облучающего излучения. Небольшое количество облучающего излучения можно допустить в наблюдаемом облучении, если оно не размывает люминесценцию.

Люминесцентное излучение может быть обнаружено с помощью любых подходящих средств. Например, на пути облучающего излучения можно поместить делитель луча, выполненный так, что он направляет люминесцентное излучение от алмаза к детектору. Детектор может быть снабжен фильтром для фильтрации облучающего излучения.

В качестве альтернативного решения алмаз можно поместить в интегральную оболочку и облучать зону алмаза облучающим излучением. Интегрирующая оболочка снабжена детектором для выдачи сигнала, зависящего от интенсивности люминесценции в интегрирующей оболочке, создаваемой при облучении данной зоны. Дектор может содержать фильтр для фильтрации облучающего излучения.

Интегрирующая оболочка выполнена предпочтительно в виде сферы.

При использовании интегрирующей оболочки должна быть облучена интересующая зона алмаза и в основном не облучены другие зоны.

Можно облучать алмаз с использованием луча ограниченных размеров, который может быть создан с помощью диафрагмы, расположенной между алмазом и источником излучения.

Предпочтительно одновременно облучают одну зону алмаза и последовательно облучают множество таких зон. Однако можно независимо друг от друга облучать множество различных зон алмаза одновременно и создавать сигналы, зависящие от интенсивности люминесценции каждой соответствующей зоны последовательно или одновременно, при этом результаты сравнивают последовательно. Алмаз может быть помещен интересующей зоной в контакте с диафрагмой для снижения доли света от других частей алмаза. Это расположение особенно пригодно при расположении разделителя луча на пути облучения для направления люминесценции к детектору.

Ограниченный луч может иметь переменные или фиксированные размеры. Его размеры могут соответствовать грани обработанного алмаза или части грани. Ограниченный луч предпочтительно меньше максимального размера алмаза, или размер можно регулировать для достижения этого. Диафрагма может иметь поперечный размер в 1-15 мм, предпочтительно 5-10 мм. Может быть предусмотрена ирисовая диафрагма, регулируемая по размеру для достижения наилучших результатов.

Более предпочтительным является фокусирование луча до небольшого пятна размером 1 мкм - 1 мм в поперечнике, предпочтительно 5-100 мкм, которым сканируют предпочтительно по алмазу.

Эмитируемое алмазом излучение может проходить к детектору через фильтр. Фильтр является предпочтительно отсекающим фильтром для отфильтровывания облучающего излучения. Кроме того, могут быть предусмотрены другие фильтры для пропускания выбранных диапазонов люминесценции. Можно использовать, например, несколько сменных фильтров, каждый из которых пропускает свет с различной длиной волны.

Лучом предпочтительно сканируют (т.е. перемещают непрерывно или полунепрерывно) поверхность алмаза. Могут быть предусмотрены средства для сканирования луча в виде средств для перемещения луча относительно алмаза. Например, можно вращать алмаз относительно оси, не совпадающей с лучом излучения. Предпочтительно, чтобы ось была перпендикулярна лучу излучения. Могут быть предусмотрены средства для линейного перемещения алмаза относительно луча излучения, например, в двух направлениях, перпендикулярных лучу излучения.

Могут быть предусмотрены средства, которые выдают сигнал, если интенсивность эмитируемого алмазом излучения изменяется на величину, превышающую заданное значение. Это особенно полезно, если алмаз сканируют непрерывно. Это позволяет легко идентифицировать изменения в составе поверхности. Например, средства выдачи сигнала могут содержать средства, образующие сигнал в зависимости от интенсивности излучения, и средства генерации сигнала для выдачи сигнала изменения, если интенсивность излучения изменяется на заданное значение. Например, сигнал изменения может выдаваться при изменении измеряемой интенсивности излучения на 5%, предпочтительно на более чем 10%, предпочтительно на более чем 20%.

Средство генерации сигнала может содержать таймер, так что сигнал изменения выдается, только если интенсивность излучения изменяется на заданную величину в течение заданного периода времени. Могут быть предусмотрены средства для изменения периода времени и/или величины, на которую должен измениться сигнал, прежде чем будет выдан сигнал изменения.

В одном варианте выполнения изобретения алмаз помещают на вращаемый держатель и вращают непрерывно, одновременно измеряя интенсивность люминесценции. Если за шумовым или модулированным сигналом постоянного тока (при этом вариации интенсивности люминесценции обусловлены естественно возникающими небольшими локальными различиями в составе алмаза и внутренним отражением и преломлением) следует намного более широкий импульс более высокой или меньшей интенсивности, то можно предполагать, что имеет место дублет CVD/природный алмаз.

Алмаз вращают предпочтительно большое количество раз для получения множества результатов, которые могут быть статистически скомпонованы для получения статистически улучшенного результата.

Изобретение используют предпочтительно с флуоресценцией, т.е. с люминесценцией, создаваемой практически мгновенно зоной алмаза при облучении ее электронным лучом или ультрафиолетовым излучением высокой энергии.

Устройство согласно изобретению заключено предпочтительно в легкий, непроницаемый корпус. Это необходимо для предотвращения попадания излучения внешних источников на детектор и для предотвращения выхода потенциально вредного ультрафиолетового излучения высокой энергии и вызывания повреждения кожи и глаз.

Изобретение поясняется подробней на примере выполнения с помощью чертежей, на которых изображено:
фиг. 1 - схематичное изображение устройства для выполнения изобретения согласно первому варианту,
фиг. 2 - схематичное изображение устройства для выполнения изобретения согласно второму варианту,
фиг. 3 - диаграмма получаемого выходного сигнала.

Подробное описание изобретения
В устройстве 1, показанном на фиг. 1, алмаз 2 размещен в или на держателе 3, который выполнен с возможностью поворота и который прозрачен для коротковолнового ультрафиолетового излучения и для видимого света. Алмаз облучают ультрафиолетовым излучением с длиной волны менее 225 нм. Излучение создается источником 4 (например, ксеноновой лампой-вспышкой, дейтериевой лампой или лазером ультрафиолетового излучения). Облучающее излучение фильтруют отсекающим фильтром 5, который удаляет видимое излучение для улучшения контраста наблюдаемой люминесценции. Излучение фокусируют на небольшой зоне алмаза с помощью линзы 6. В небольшой зоне алмаза вызывают люминесценцию, при этом интенсивность и цвет возбуждаемой люминесценции зависит от местного состава облученной зоны. Часть этой люминесценции проходит назад в направлении облучения к разделителю 7 луча, который пропускает люминесценцию через линзовую систему 8, имеющую фильтр 9 для удаления излучения с длиной волны менее 225 нм, при этом люминесценцию фокусируют на фотоэлектронном умножителе 10. Фотоэлектронный умножитель 10 соединен с процессором 11 и монитором 12 для отображения сигнала, зависящего от созданной люминесценции.

В предпочтительном варианте выполнения способа согласно изобретению облучают множество зон алмаза посредством закрепления алмаза относительно вращаемого держателя 3 и вращения держателя (и алмаза) относительно остального устройства, так что точка контакта излучения перемещается по поверхности алмаза. Держатель выполнен также с возможностью перемещения в направлении, перпендикулярном лучу и к оси вращения, так что можно сканировать полную высоту при повторении вращения.

Алмаз 2 на фиг. 1 представляет собой дублет CVD/природный алмаз со слоем синтетического алмазного материала CVD на поверхности алмаза. Сигнал с фотоэлектронного умножителя 10, отображенный на мониторе 12 при вращении алмаза, представляет собой шумовой сигнал, когда облучающее излучение проходит по естественной части камня, за которым следует относительно широкий провал в сторону более низкого (или более высокого) шумового сигнала, когда сфокусированный луч облучающего излучения перемещается по синтетической части камня, вызывая люминесценцию другой интенсивности.

Шум вызывается локальными вариациями состава алмаза, внешними и внутренними отражением и преломлением и т.д.

Устройство по фиг. 1 не предназначено для обнаружения цвета люминесценции, хотя оно может быть модифицировано для этой цели добавлением нескольких сменных цветовых фильтров перед детектором.

Используемая по фиг. 1 оптика является оптикой для ультрафиолетового излучения, изготовляемой, например, фирмой Шпиндлер и Хойер.

На фиг. 2 схематично изображено устройство для реализации второго варианта способа согласно изобретению. В устройстве алмаз 13, который представляет собой дублет CVD/природный алмаз, установлен на вращаемом держателе, аналогичном держателю 3 по фиг. 1. Держатель и алмаз помещены внутри интегрирующей сферы 15, которая покрыта материалом с хорошей отражательной способностью в видимом диапазоне. Алмаз облучают с использованием источника 16 ультрафиолетового излучения. Свет от источника проходит через фильтр 17, который удаляет свет с длиной волны больше, чем 225 нм, и фокусируется линзой 18 на поверхности или вблизи поверхности алмаза 13. Облучающее излучение имеет длину волны менее 225 нм и поэтому вызывает люминесценцию. Устройство для определения плотности потока света на длине волны (длинах волн) люминесценции представляет собой фотоэлектронный умножитель 19. Предусмотрен фильтр 20 для фильтрации облучающего излучения и экран 21 в интегрирующей сфере 15 для обеспечения того, что излучение, попадающее на фотоэлектронный умножитель 19, соответствует плотности светового потока в сфере. Предусмотрены процессор 22 и монитор 23 для отображения сигнала, создаваемого фотоэлектронным умножителем 19.

Так как алмаз 13 является дублетом CVD/природный алмаз, то создаваемый фотоэлектронным умножителем 19 сигнал при вращении держателя 14 и алмаза 13 аналогичен сигналу, отображаемому монитором по фиг. 1.

На фиг. 3 более детально показан сигнал, создаваемый фотоэлектронным умножителем 19 или 10 соответственно по фиг. 2 или 1. Флуктуации сигнала (шум), обусловленные естественными вариациями алмаза, отличаются от изменений сигнала, обусловленных наличием слоев синтетического алмаза, тем, что флуктуации меньше по интенсивности и распространяются на меньший диапазон углов вращения.

В альтернативном варианте выполнения процессор 22 или 11 может быть запрограммирован на измерение степени изменения сигнала, полученного c фотоэлектронного умножителя 19 или 10. Процессор 11 или 22 может быть соединен со средством для вращения соответственно держателя 3 или 14. Таким образом, можно измерять степень изменения сигнала относительно времени или относительно положения держателя 3 или 14. Процессоры 11 и 22 могут быть запрограммированы на выдачу сигнала, если степень изменения сигнала с фотоэлектронного умножителя 10 или 19 превышает заданное значение. В этом случае сигнал выдается, например, на мониторе 12 или 23 для индикации скачка в эмиссии алмаза. Такой скачок в эмиссии может быть коррелирован с наличием слоя синтетического алмаза.

Настоящее изобретение описано выше только в качестве примера, и возможны модификации с соблюдением идеи изобретения.

Для проверки наличия нанесенного на природный алмаз слоя синтетического алмаза его облучают ультрафиолетовым излучением высокой энергии для возбуждения эмиссии люминесценции, при этом измеряют и сравнивают интенсивность люминесценции, создаваемой различными зонами алмаза. В одном варианте выполнения используют интегрирующую оболочку и устанавливают алмаз на вращаемый держатель. Технический результат - упрощение и ускорение способа проверки алмаза. 2 с. и 18 з.п. ф-лы, 3 ил.

1. Способ проверки наличия на природном алмазе нанесенного на него слоя синтетического алмаза, включающий облучение алмаза излучением высокой энергии для возбуждения эмиссии люминесценции алмазом, отличающийся тем, что осуществляют сканирование для раздельного определения люминесценции, эмитируемой различными зонами поверхности алмаза, определяют наличие существенных изменений в люминесценции от одной зоны к другой для определения наличия слоя синтетического алмаза, нанесенного на алмаз, причем сканирование осуществляют посредством облучения алмаза лучом, который меньше, чем алмаз, так что облучают только зону лицевой поверхности алмаза посредством относительного перемещения алмаза и луча, так что луч последовательно облучает различные зоны алмаза. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что алмаз облучают излучением, содержащим излучение с длиной волны 225 нм. 3. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что в нем формируют сигналы, зависящие от люминесценции, эмитируемой соответствующими различными зонами. 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что сигналы зависят от интенсивности люминесценции. 5. Способ по одному из пп.3 или 4, отличающийся тем, что автоматически обнаруживают различия в отдельных сигналах люминесценции и создают индикаторный сигнал для автоматической классификации алмаза как имеющего слой нанесенного на него слоя синтетического алмаза, если различия превышают заданное значение. 6. Способ по п.5, отличающийся тем, что индикаторный сигнал генерируют, если интенсивность люминесценции от одной зоны к другой изменяется на заданную величину в течение заданного периода времени. 7. Способ по одному из пп.1-4, отличающийся тем, что наличие существенного изменения в люминесценции от одной зоны к другой определяют глазом. 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что луч неподвижен и перемещают алмаз. 9. Способ по п.1, отличающийся тем, что луч неподвижен и вращают алмаз. 10. Способ по одному из пп.1, 8 и 9, отличающийся тем, что алмаз установлен внутри интегрирующей оболочки. 11. Способ по одному из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что алмаз облучают лучом, образующим пятно с поперечным размером 2-100 мкм. 12. Устройство для проверки наличия нанесенного на алмаз слоя синтетического алмаза, содержащее опору для установки алмаза, средства для облучения алмаза, установленного на опору, излучением высокой энергии для возбуждения эмиссии люминесценции алмазом, отличающееся тем, что устройство содержит сканирующие средства для обеспечения получения различных сигналов, зависящих от люминесценции, эмитируемой множеством соответствующих различных зон поверхности алмаза, средства для индикации на основе указанных сигналов наличия нанесенного на алмаз слоя синтетического алмаза, причем предусмотрено облучающее средство для облучения алмаза лучом, который меньше, чем алмаз, так что облучению подвергается только зона лицевой поверхности алмаза, и сканирующее средство обеспечивает относительное перемещение алмаза и луча, так что луч последовательно облучает различные зоны алмаза. 13. Устройство по п.12, отличающееся тем, что предусмотрено средство для облучения алмаза излучением, содержащим излучение с длиной волны менее 225 нм. 14. Устройство по одному из пп.12 или 13, отличающееся тем, что сигналы зависят от интенсивности люминесценции. 15. Устройство по одному из пп.12-14, отличающееся тем, что содержит средства для автоматического обнаружения различий в раздельных сигналах люминесценции и для генерирования индикаторного сигнала для автоматической классификации алмаза на наличие нанесенного на него слоя синтетического алмаза, если различия превысили заданное значение. 16. Устройство по п.15, отличающееся тем, что генерирующее средство генерирует индикаторный сигнал, если интенсивность люминесценции изменяется от одной зоны к другой на заданную величину в течение заданного периода времени. 17. Устройство по п.12, отличающееся тем, что предусмотрены облучающие средства для облучения алмаза неподвижным лучом и средства для перемещения опоры. 18. Устройство по п.12, отличающееся тем, что предусмотрены облучающие средства для облучения алмаза неподвижным лучом и средства для вращения опоры. 19. Устройство по одному из пп.12, 17 и 18, отличающееся тем, что опора алмаза находится в интегрирующей оболочке. 20. Устройство по одному из пп.12-19, отличающееся тем, что предусмотрено облучающее средство для облучения алмаза лучом, создающим на алмазе пятно с поперечным размером 5-100 мкм.