МИКРОПАЯЛЬНИК Российский патент 2001 года по МПК B23K3/03 

Описание патента на изобретение RU2175282C1

Изобретение относится к области пайки, а именно к устройству электропаяльников для пайки микросхем.

Известен электропаяльник, содержащий медный сердечник, установленный в металлическом (чугунном) кожухе с образованием между ними пространства, которое заполнено графитовым порошком, служащим нагревательным элементом (а. с. СССР N 1181964, МКИ H 05 В 3/10,1965 г.).

Однако указанное устройство не отличается высоким быстродействием в работе, что не обуславливает создание энергетически экономного электропаяльника.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является микропаяльник, в котором используют нагревательный элемент, выполненный из материала, содержащего углеродную фазу (см. а.с. СССР N 1142240, МПК 7 B 23 K 3/02, 28.02.1985).

Недостатком такого электропаяльника является необходимость дополнительных трудоемких операций при изготовлении нагревательного элемента, используемого в паяльнике, его тепловая инерционность, высокая потребляемая мощность, не обеспечивается достаточное быстродействие устройства.

Технической задачей предлагаемого изобретения является создание быстродействующего, энергетически экономного микропаяльника.

Поставленная техническая задача решается за счет того, что в микропаяльнике, содержащем размещенный в токопроводящем корпусе наконечник (жало) и нагревательный элемент, выполненный из материала, содержащего углеродную фазу, с токовводами, в качестве нагревательного элемента используют монокристалл синтетического полупроводникового алмаза с размером ребра куба до 1 мм, припаянный припоем одной стороной к токопроводящей поверхности металлического наконечника, одновременно являющегося токовводом, а другой токоввод расположен непосредственно на стороне монокристалла.

Сопоставительный анализ с прототипом и другими известными техническими решениями показывает, что отличительными признаками данного устройства является то, что в качестве нагревательного элемента используют монокристалл синтетического полупроводникового алмаза с размером ребра куба до 1 мм, припаянный припоем одной стороной к токопроводящей поверхности наконечника, являющегося токовводом, а другой токоввод расположен непосредственно на стороне монокристалла.

Использование в качестве нагревательного элемента синтетического полупроводникового алмаза позволяет довести коэффициент полезного действия нагревательного элемента до 98%. Размер применяемого алмаза в качестве нагревателя влияет на быстродействие устройства. Оптимальная величина монокристалла синтетического алмаза, используемая в паяльнике с ребром куба до 1 мм, выбрана опытным путем, что дает желаемое быстродействие устройства в необходимом интервале температур. Использование в качестве нагревателя в паяльнике монокристаллов алмаза с размером ребра куба более 1 мм экономически нецелесообразно, а также снижается быстродействие устройства. А указанное соединение нагревательного элемента с источником тока через токовводы, одним из которых является токопроводящая поверхность наконечника, к которой одной стороной припаян монокристалл алмаза, обеспечивает минимальное тепловое сопротивление и омический контакт на границе раздела металл жала - алмаз, что также обуславливает достижение поставленной технической задачи. При этом достигается высокая механическая прочность крепления нагревателя к жалу.

На чертеже представлен пример конкретного выполнения микропаяльника.

Микропаяльник состоит из металлического корпуса 1 с низкой теплопроводностью, металлического наконечника (жала) 2 с высокой теплопроводностью и смачиваемостью припоями и одновременно являющегося одним из токовводов для нагревательного элемента 3 в виде синтетического полупроводникового монокристалла алмаза с ребром куба до 1 мм, припаянного специальным высокотемпературным припоем к токопроводящей поверхности наконечника 2, и вторым токовводом 4, находящимся непосредственно на стороне монокристалла синтетического полупроводникового алмаза (нагревательного элемента) 3. Пайку алмаза к нагреваемой поверхности и электроду производят многокомпонентным эвтектическим припоем и осуществляют в вакууме 1,33 • 10-2 Па при температуре 950oC.

Устройство работает следующим образом.

От источника питания через корпус 1 наконечник 2 и токоввод 4 электрический ток пропускают через нагревательный элемент 3, который нагревает наконечник 2 паяльника. Использование в качестве нагревательного элемента - монокристалла синтетического полупроводникового алмаза, позволяет достичь быстродействия нагревателя (алмаза) в интервале температур 25-400oC до 0,05 сек. А также сделать его энергетически экономным и более дешевым в изготовлении.

Похожие патенты RU2175282C1

название год авторы номер документа
Микропаяльник 1982
  • Ротнер Юрий Михайлович
  • Ротнер Сергей Михайлович
  • Кириченко Георгий Степанович
SU1142240A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО НЕЛИНЕЙНОГО РЕЗИСТОРА В СТЕКЛЯННОМ КОРПУСЕ 2001
  • Дороговин Б.А.
  • Лаптев В.А.
  • Мартынов С.А.
  • Полянский Е.В.
  • Помчалов А.В.
RU2197032C1
СПОСОБ РЕЗКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ДРУГИХ ХРУПКИХ МАТЕРИАЛОВ 1999
  • Дороговин Б.А.
  • Мазулев В.В.
  • Филиппов И.М.
RU2167055C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КВАРЦА 1996
  • Дороговин Б.А.
  • Верин В.И.
  • Сопелева Е.Г.
  • Муханова Н.Г.
  • Мареева Т.В.
RU2120502C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КВАРЦА 1999
  • Дороговин Б.А.
  • Хаджи В.Е.
  • Евсеева И.Б.
  • Романов Л.Н.
  • Сопелева Е.Г.
  • Шванский П.П.
RU2181796C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПАЛОВИДНОГО КВАРЦА 1994
  • Хаджи В.Е.
  • Дикк Е.В.
RU2064979C1
СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ 1991
  • Нефедов В.А.
  • Заднепровский Б.И.
  • Нефедов П.В.
  • Коржик М.В.
  • Суворов В.М.
RU2031987C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОТЕПЛОВАЯ ЛИНИЯ 1990
  • Крячков В.А.
  • Детчуев Ю.А.
  • Хряпенков С.Е.
  • Носухин С.А.
  • Самойлович М.И.
  • Санжарлинский Н.Г.
  • Куваев К.Г.
SU1797422A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО 1998
  • Дороговин Б.А.
  • Степанов С.Ю.
  • Цеглеев А.А.
  • Лаптева Г.А.
  • Дубовский А.Б.
  • Горохов В.П.
  • Царева Н.Б.
  • Курочкин В.И.
RU2147632C1
УСТАНОВКА С СИЛИЦИДМОЛИБДЕНОВЫМИ НАГРЕВАТЕЛЯМИ В СРЕДЕ ГАЗООБРАЗНЫХ ФТОРИДОВ 1990
  • Андреев М.Е.
  • Ванышев В.А.
  • Голенко В.П.
  • Полянский Е.В.
  • Яроцкая Е.Г.
  • Яроцкий В.Г.
RU2037763C1

Реферат патента 2001 года МИКРОПАЯЛЬНИК

Изобретение может быть использовано при изготовлении электропаяльников для пайки микросхем. В качестве нагревателя использован монокристалл синтетического полупроводникового алмаза с размером ребра куба до 1 мм. В качестве одного токоввода использована токопроводящая поверхность металлического наконечника. Упомянутая поверхность припаяна к одной стороне монокристалла. Другой токоввод расположен непосредственно на другой стороне монокристалла. Микропаяльник является быстродействующим, энергетически экономным. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 175 282 C1

Микропаяльник, содержащий токопроводящий корпус, установленные в нем наконечник и выполненный из материала, содержащего углеродную фазу, нагревательный элемент с токовводами, отличающийся тем, что наконечник выполнен металлическим, нагревательный элемент выполнен в виде монокристалла синтетического полупроводникового алмаза с размером ребра куба до 1 мм, в качестве одного токоввода которого использована токопроводящая поверхность наконечника, припаянная к одной стороне монокристалла, а другой токоввод расположен непосредственно на другой стороне монокристалла.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2001 года RU2175282C1

Микропаяльник 1982
  • Ротнер Юрий Михайлович
  • Ротнер Сергей Михайлович
  • Кириченко Георгий Степанович
SU1142240A1
Состав материала для керамического микронагревателя 1986
  • Маслов Владимир Петрович
  • Новиков Владимир Николаевич
  • Павлюченков Борис Викторович
SU1368124A1
Электрический паяльник 1979
  • Слюсарь Владимир Никитич
  • Рузин Сергей Миронович
  • Касман Яков Аврамович
SU1039663A1
US 3584190, 08.06.1971.

RU 2 175 282 C1

Авторы

Детчуев Ю.А.

Санжарлинский Н.Г.

Хряпенков С.Е.

Дороговин Б.А.

Даты

2001-10-27Публикация

2000-02-29Подача