СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАНООСТРОВКОВ ГЕРМАНИЯ НА ВИЦИНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ Российский патент 2003 года по МПК H01L21/203 

Описание патента на изобретение RU2210836C1

Изобретение относится к области наноэлектроники и может быть использовано для создания на основе структур с наноостровками (квантовыми точками) германия на кремнии полупроводниковых приборов со сверхвысоким быстродействием, а также некоторых оптоэлектронных устройств.

Наиболее перспективный метод формирования структур с наноостровками одного полупроводникового материала в матрице другого (квантовыми точками) в настоящее время основан на использовании эффекта самоорганизации поверхности в гетероэпитаксиальных системах вследствие релаксации упругих напряжений, обусловленных несоответствием параметров кристаллических решеток пленки и подложки. При этом для системы кремний-германий самоформирующиеся наноостровки германия характеризуются относительно большими латеральными размерами, что не позволяет в полной мере проявляться эффектам размерного квантования в подобных структурах. Кроме того, локализация островков в плоскости гетероперехода носит случайный характер. Уменьшение размеров островков как правило достигается за счет использования низких температур подложки в процессе осаждения пленки германия, что ухудшает кристаллическое совершенство самоорганизующихся наноостровков и приводит к увеличению их неоднородности по размерам. Примеры использования эффекта постоянного тока для влияния на размеры и степень упорядочения наноостровков в системе кремний-германий нам неизвестны.

При формировании структур с наноостровками германия на кремнии обычно используется следующая последовательность технологических операций (см., например, Н.В. Востоков, С.А. Гусев, И.В. Долгов и др./ФТП, т.34, вып. 1, с. 8-12 (2000); О. П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский и др. // ФТП, т.34, вып.11, с.1281-1299 (2000)):
1) для создания атомарно-чистой поверхности подложка кремния очищается от слоя естественных окислов косвенным прогревом при температуре 800-900oС в слабом потоке атомов кремния в условиях сверхвысокого вакуума;
2) выращивается буферный слой кремния толщиной 20-200 нм;
3) далее подложка с помощью косвенного источника нагревается до некоторой температуры (обычно 200-700oС), при которой будет осаждаться пленка германия;
4) производится осаждение пленки германия эффективной толщиной от 3 до 15 моноатомных слоев (1 ML =0,14 нм) при скорости роста пленки 0,01-0,05 нм/с;
5) в ряде случаев производится дополнительный (послеростовой) отжиг кристаллов после окончания осаждения германия при температурах подложки 500-700oС в течение 3-30 мин.

Формирующиеся в результате самоорганизации поверхности наноостровки германия имеют следующие существенные недостатки:
1) при относительно высоких температурах подложки в процессе осаждения германия (500-700oС), самоформирующиеся островки характеризуются большими латеральными размерами (150-300 нм), существенно превышающими длину волны де-Бройля для этой системы, что не позволяет проявляться эффектам размерного квантования в данных структурах;
2) уменьшения размеров островков возможно достичь за счет использования низких температур подложки в процессе осаждения пленки германия (200-300oС). Однако при этом характер морфологии поверхности определяется кинетическими ограничениями, что ухудшает кристаллическое совершенство наноостровков и приводит к существенной неоднородности островков по размерам;
3) и в первом, и во втором случае локализация островков в плоскости границы раздела пленка-подложка носит случайный характер.

Задачей настоящего изобретения является формирование высокоплотных, высокоупорядоченных и совершенных по структуре массивов наноостровков германия на вицинальной поверхности кремния (111).

Поставленная задача достигается за счет того, что нагрев вицинальной поверхности кремниевой подложки производится пропусканием постоянного тока в направлении, перпендикулярном фронту ступеней вицинальной грани кремния.

На фиг. 1 представлено АСМ-изображение топографии структуры с наноостровками германия на поверхности кремния (111), сформированной следующим образом: кремниевая подложка марки КЭС - 0.01 (111), представляющая собой прямоугольную полоску размером 0,3•4•15 мм, с двойной разориентацией от исходной плоскости, помещалась в вакуумную камеру. После достижения рабочего вакуума производилась очистка поверхности кремния от слоя естественных окислов и включений карбида кремния двухминутным отжигом кристалла прямым пропусканием постоянного тока в направлении нижних террас (фиг.2) при температуре 1250oС. При этом направление тока выбиралось таким образом, чтобы не происходило развитие системы эшелонов ступеней, а наоборот, неровности поверхности сглаживались. Далее направление тока менялось на противоположное, и осуществлялся 30-секундный отжиг кристалла при температуре 1220oС с целью формирования ступенчатой структуры подложки. Затем, за счет снижения плотности пропускаемого через образец постоянного тока (уменьшения напряженности электрического поля Е, приложенного к образцу), температура подложки понижалась до 500oС и производилось напыление пленки германия с эффективной толщиной, близкой к 6 ML (0,9 нм) при скорости роста 0,05 нм/с с дальнейшим послеростовым отжигом постоянным током в течение 10 минут. В результате на поверхности формировалась система высокоупорядоченных наноостровков германия, выстроенных строго вдоль фронта наноступеней подложки. Размеры основания островков не превышали 30 нм, плотность расположения островков близка к 1•1011 см-2.

Эффект упорядочения наноостровков имеет место вследствие того, что:
1) осаждение германия осуществляется на профилированную подложку, представляющую собой систему наноступеней, сформированных в результате отжига кристалла пропусканием постоянного тока в направлении, перпендикулярном фронту ступеней вицинальной грани кремния;
2) в качестве подложек используются вицинальные кристаллы с двойным отклонением от исходной плоскости, отжиг которых приводит к формированию ступеней с пилообразной геометрией фронта. Пилообразные края сформированных ступеней в дальнейшем являются центрами закрепления адатомов германия, образующих наноостровки;
3) для усиления направленного потока адатомов на стадиях напыления пленки и послеростового отжига используется эффект постоянного тока (электромиграции), выстраивающий наноостровки осажденного германия вдоль фронта наноступеней подложки.

Использование предлагаемого способа формирования наноостровков германия на вицинальной поверхности кремния обеспечивает по сравнению с существующими способами следующие преимущества:
1) делает возможным получение пространственно упорядоченных массивов наноостровков высокой плотности;
2) позволяет получать малые по размерам островки при относительно высокой температуре подложки (500oС), что снижает вероятность возникновения дефектов кристаллической структуры в подобных объектах.

Похожие патенты RU2210836C1

название год авторы номер документа
ЭЛЕКТРОД ЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРА 2000
  • Анисимов В.Ф.
  • Киселев Ю.В.
  • Круглова Е.В.
RU2176118C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА 2012
  • Галкин Николай Геннадьевич
  • Горошко Дмитрий Львович
  • Чусовитин Евгений Анатольевич
RU2485632C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА 2012
  • Галкин Николай Геннадьевич
  • Горошко Дмитрий Львович
  • Чусовитин Евгений Анатольевич
RU2485631C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА 2012
  • Галкин Николай Геннадьевич
  • Горошко Дмитрий Львович
  • Чусовитин Евгений Анатольевич
  • Шамирзаев Тимур Сезгирович
  • Гутаковский Антон Константинович
RU2488917C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА 2012
  • Галкин Николай Геннадьевич
  • Горошко Дмитрий Львович
  • Чусовитин Евгений Анатольевич
  • Шамирзаев Тимур Сезгирович
  • Гутаковский Антон Константинович
RU2488920C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА 2012
  • Галкин Николай Геннадьевич
  • Горошко Дмитрий Львович
  • Чусовитин Евгений Анатольевич
  • Шамирзаев Тимур Сезгирович
RU2488919C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ УСТРОЙСТВАХ НА АМОРФНЫХ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ 2002
  • Вихров С.П.
  • Вишняков Н.В.
  • Маслов А.А.
  • Мишустин В.Г.
  • Попов А.А.
RU2229755C2
СПОСОБ СОЗДАНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА 2012
  • Галкин Николай Геннадьевич
  • Горошко Дмитрий Львович
  • Чусовитин Евгений Анатольевич
  • Гутаковский Антон Константинович
RU2488918C1
РАЗРЯДНИК 2000
  • Анисимов В.Ф.
  • Киселев Ю.В.
  • Круглова Е.В.
RU2185698C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КОБАЛЬТА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК 2011
  • Иванов Юрий Павлович
  • Чеботкевич Людмила Алексеевна
  • Зотов Андрей Вадимович
  • Давыденко Александр Вячеславович
  • Ильин Алексей Игоревич
RU2465670C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 210 836 C1

Реферат патента 2003 года СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАНООСТРОВКОВ ГЕРМАНИЯ НА ВИЦИНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ

Использование: в области наноэлектроники для создания на основе структур с наноостровками (квантовыми точками) германия на кремнии полупроводниковых приборов со сверхвысоким быстродействием, а также некоторых оптоэлектронных устройств. Сущность изобретения: способ формирования наноостровков германия на вицинальной поверхности кремния заключается в том, что отжиг вицинальной поверхности кремниевой подложки на стадии предэпитаксиальной подготовки и в процессе напыления германия производится пропусканием постоянного тока в направлении, перпендикулярном фронту ступеней вицинальной грани кремния. Техническим результатом изобретения является формирование высокоплотных высокоупорядоченных и совершенных по структуре массивов наноостровков германия на вицинальной поверхности кремния (III). 2 ил.

Формула изобретения RU 2 210 836 C1

Способ формирования наноостровков германия на вицинальной поверхности кремния, заключающийся в отжиге в вакууме кремниевой подложки (III) с двойной разориентацией от исходной плоскости и последующем напылении германия, отличающийся тем, что отжиг кремниевой подложки производит путем пропускания постоянного тока перпендикулярно фронту ступеней вицинальной грани кремния в направлении, обеспечивающем сглаживание неровностей поверхности, последующий отжиг кремниевой подложки при изменении направления тока на противоположное для формирования ступенчатой структуры, снижение температуры, напыление германия с последующим послеростовым отжигом постоянным током.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2003 года RU2210836C1

ПЧЕЛЯКОВ О.П
и др
Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства
- ФТП, 2000, т
Нивелир для отсчетов без перемещения наблюдателя при нивелировании из средины 1921
  • Орлов П.М.
SU34A1
Походная разборная печь для варки пищи и печения хлеба 1920
  • Богач Б.И.
SU11A1
BOCTOKOB Н.В
и др
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
- ФТП, 2000, т
Нивелир для отсчетов без перемещения наблюдателя при нивелировании из средины 1921
  • Орлов П.М.
SU34A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Способ правки заготовок 1983
  • Адамович Ротарм Александрович
  • Бардин Виктор Петрович
  • Бобров Леонид Михайлович
  • Ганеев Юрий Михайлович
  • Лебедев Борис Михайлович
  • Рудельсон Лев Меерович
  • Слоним Александр Зосимович
  • Вахтанов Борис Федорович
  • Калинин Василий Иванович
  • Кац Михаил Соломонович
  • Позняков Эдуард Владимирович
SU1178522A1
US 5714765 А, 03.02.1998
US 6103600 А, 15.08.2000.

RU 2 210 836 C1

Авторы

Закурдаев И.В.

Садофьев С.Ю.

Даты

2003-08-20Публикация

2002-02-11Подача