СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕСТАБИЛЬНЫХ ТРАНЗИСТРОВ Российский патент 2005 года по МПК G01R31/26 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности транзисторов за счет определения потенциально нестабильных транзисторов. Изобретение может быть использовано на этапе серийного производства полупроводниковых изделий, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры.

Наиболее близким аналогом являются способ [1], применяемый для разделения партии транзисторов, состоящий в том, что на транзисторы в процессе испытаний воздействуют импульсом тока высокой плотности и проводят отбраковку транзисторов по величине токов утечки. Недостатки данного способа: необходимость испытания приборов током стрессовой плотности, приводящая к снижению надежности испытуемых транзисторов, и продолжительное время испытаний.

Изобретение направлено на устранение указанных недостатков, а именно: в предлагаемом способе отсутствует воздействие током стрессовой плотности, а время испытаний значительно сокращено.

Это достигается тем, что в предлагаемом способе определения потенциально нестабильных транзисторов измерения токов утечки до и после испытаний заменены неоднократным измерением коэффициента усиления по току h_21э в процессе испытаний.

Способ осуществляют следующим образом. В процессе испытаний транзисторов проводятся десятикратные измерения коэффициента усиления по току через 2 мин для маломощных и средней мощности транзисторов и через 5 мин для мощных транзисторов. Если коэффициент усиления h_21э при этих измерениях стабилен с точностью до ±2 единиц, то проводятся испытания в режиме контроля h_21э в течение 20-30 мин с регулярной фиксацией значения h_21э, по которым судят о стабильности транзисторов. Для каждого типа транзисторов предварительно устанавливают критерий стабильности по параметру h_21э при испытаниях.

В качестве примера приведем реализацию данного способа на партиях транзисторов типа КТ209Е (маломощный), КТ814Г (средней мощности) и КТ819Г (мощный). На первом этапе все транзисторы при десятикратном последовательном измерении параметра h_21э имеют стабильные значения (в пределах ±2 единиц). На втором этапе транзисторы испытывались в течение 20 мин и данные представлены в табл.1-3. Коэффициент стабильности значений параметра h_21э, определенный из формулы , представлен в табл.4.

Таблица 1№ тр-раЗначение h_21э у транзисторов типа КТ209Е при постоянном режиме измерений через 05 мин10 мин15 мин20 мин12101752102101752175175175175175317017017017017042002002002002005145145145145145622022022022022071651652002002008185185188185185Таблица 2№ тр-раЗначение h_21э У транзисторов типа КТ814Г при постоянном режиме измерений через 05 мин10 мин15 мин20 мин1250Отказ2350350430466466346046056062062045604666207006205350Отказ646646646646646674504004505605608440440545545545Таблица 3№ тр-раЗначение h_21э транзисторов типа КТ819Г при постоянном режима измерений через 05 мин10 мин15 мин20 мин11381401381381382104105104104104313013013013013041351351351351355137137137137137611411411411011071171171171171178108108108106108

Таблица 4№ тр-раКоэффициент нестабильности k для транзисторов типа КТ209ЕКТ814ГКТ819Г10,83Отказ1211,331311,341411,25-1,1151Отказ16110,9671,21,21811,231

Из табл. 4 видно, что для транзисторов КТ209Е можно установить величину k=1,0; для транзисторов КТ814Г - k=1,25; для транзисторов типа KT819r - k=1,0.

Видно, что наименьшую стабильность имеют транзисторы типа КТ814Г и при испытаниях имеются катастрофические отказы. По-видимому, партия транзисторов, из которой взята выборка, не прошла ЭТТ в процессе серийного производства.

ИСТОЧНИКИ ИНФОРМАЦИИ

1. Патент РФ №2098839 С2, G 01 R 31/26, 31/28, 1997.

2. Горлов М.И., Ануфриев Л.Н., Бордюжа О.Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства - Минск: Интеграл, 1997, 390 с.

Использование: в микроэлектронике на этапе серийного производства полупроводниковых изделий, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры. Сущность изобретения: в способе определения потенциально нестабильных транзисторов, после предварительных результатов испытаний для каждого типа транзисторов проводят испытания на стабильность в постоянном режиме измерения коэффициента усиления по току в течение 20-30 минут, по результатам которых судят о стабильности транзисторов. Техническим результатом изобретения является сокращение времени испытаний при отсутствии воздействия током стрессовой плотности. 4 табл.

Способ определения потенциально нестабильных транзисторов, заключающийся в измерении коэффициента усиления по току, отличающийся тем, что после предварительных результатов испытаний для каждого типа транзисторов проводят испытания на стабильность в постоянном режиме измерения коэффициента усиления по току в течение 20-30 мин, по результатам которых судят о стабильности транзисторов.