СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНКИ АЛЮМИНИЯ (Al) Российский патент 2009 года по МПК H01L21/306 

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к травлению алюминия в процессе формирования контакта базовой и эмиттерной областей.

Известны способы травления пленки алюминия, сущность которых состоит в травлении алюминия с контактных участков [1, 2].

Основным недостатком этого способа является неровный рельеф профиля, длительность процесса (30-40 минут), высокая температура травления (70-80°С).

Целью изобретения является получение ровного рельефа профиля и уменьшение времени и температуры травления.

Поставленная цель достигается использованием травителя, в состав которого входят следующие основные компоненты: азотная кислота, фосфорная кислота, уксусная кислота в соотношении 1: 50:12.

Сущность способа заключается в том, что на поверхности кремниевых пластин происходит достижение равномерности и скорости травления пленки алюминия за счет добавления уксусной кислоты и использования фосфорной кислоты (85%), полное стравливание алюминия с поверхности подложки, не защищенной слоем фоторезиста, и минимальное воздействие травителя на пленку фоторезиста.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки при соотношений компонентов:

HNO₃:Н₃РO₄:СН₃СООН=1:50:15.

Температура травителя 40±5°С, время травления 15±5 минут.

Разброс по толщине слоя алюминия составляет 6,5÷7,0%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:

HNО₃:Н₃РO₄:СН₃СООН=1:50:13.

Температура травителя 40±5°С, время травления 15±5 минут.

Разброс по толщине слоя алюминия составляет 5,5÷6,0%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:

HNО₃:Н₃РO₄:СН₃СООН=1:50:12.

Разброс по толщине слоя алюминия составляет 4,5÷5,0%.

Температура травителя 40±5°С, время травления 15±5 минут.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает равномерное и полное вытравливание алюминия при более низкой температуре и при меньшем времени процесса травления.

Литература

1. А.И.Курносов, В.В.Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: «Высшая школа». 1986. - С.166.

2. Е.З.Мазель, Ф.П.Пресс. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: «Энергия». 1974. - С.243.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ травления пленки алюминия включает травление пленки алюминия с поверхности кремниевых пластин путем обработки кремниевых пластин в травителе, состоящем из азотной, фосфорной и уксусной кислот при соотношении компонентов, соответственно равном 1:50:12, при температуре 40±5°С, в течение 15±5 минут, разброс по толщине слоя алюминия при этом составляет 4,5÷5,0%. Техническим результатом изобретения является получение ровного рельефа профиля и уменьшение времени и температуры травления.

Способ травления пленки алюминия, включающий травление пленки алюминия с поверхности кремниевых пластин путем обработки кремниевых пластин в травителе, состоящем из азотной, фосфорной и уксусной кислот, отличающийся тем, что обработку проводят при соотношении компонентов азотной, фосфорной и уксусной кислот, равном 1:50:12, при температуре 40±5°С, в течение 15±5 мин, разброс по толщине слоя алюминия составляет 4,5÷5,0%.