СПОСОБ ВЫДЕЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ ПОВЫШЕННОЙ НАДЕЖНОСТИ Российский патент 2009 года по МПК G01R31/26 

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации транзисторов, и может быть использовано для выделения из партии транзисторов повышенной надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Известен способ [1] выборочного контроля надежности транзисторов в партии, по которому на транзисторы подают импульсы электростатических разрядов (ЭСР) напряжением, в два раза превышающим допустимое по техническим условиям (ТУ), после чего проводят отжиг в две стадии (при 25°С в течение 3-7 дней и при 100-125°С в течение 1 часа), а вывод о степени надежности транзисторов делают по величине рассчитанного коэффициента для измеренного информативного параметра.

Недостатками данного способа являются: выборочный контроль, превышение напряжения ЭСР допустимой нормы, длительный период отжига.

Из техники известно [2], что предварительный отжиг полупроводниковых изделий (ППИ) может повышать их стойкость к ЭСР.

В предлагаемом способе партию транзисторов подвергают температурному отжигу дважды: до и после воздействия ЭСР при максимально допустимой температуре кристалла, в течение 4-8 часов. По величине изменения информативного параметра до, после отжига, после ЭСР и после второго отжига судят о степени надежности транзисторов. При равенстве информативного параметра у транзистора при всех измерениях считают, что транзистор стабилен и будет обладать повышенной надежностью. Воздействие ЭСР осуществляют потенциалом U_ЭСР, предельно допустимым по ТУ для данного вида транзисторов.

Предлагаемый способ был апробирован на 15 транзисторах типа КТ312 (маломощные биполярные транзисторы n-p-n-типа). В качестве информативного параметра использовался обратный ток эмиттера I_ЭБО, измерение которого проводилось с точностью 0,001 мкА. Максимально допустимое значение этого параметра по ТУ составляет 10 мкА. Воздействие ЭСР осуществлялось на переход эмиттер-база (ЭБ) пятью импульсами в прямом и обратном смещении, напряжением

U_ЭСР=1000 В. Результаты измерений представлены в таблице.

Таблица Номер транзистора Значения I_ЭБО, мкА начальное отжиг №1 после ЭСР отжиг №2 1 0,001 0,001 0,001 0,001 2 0,002 0,001 0,215 0,161 3 0,002 0,002 0,800 0,370 4 0,002 0,002 0,002 0,002 5 0,001 0,001 0,166 0,100 6 0,001 0,001 0,033 0,015 7 0,001 0,001 0,544 0,193 8 0,001 0,001 0,001 0,001 9 0,005 0,002 0,337 0,182 10 0,017 0,001 0,123 0,097 11 0,006 0,006 0,006 0,006 12 0,001 0,001 0,035 0,026 13 0,001 0,001 0,001 0,001 14 0,012 0,010 0,170 0,095 15 0,003 0,002 0,150 0,004

На основании данных, представленных в таблице, видно, что у транзисторов №1, 4, 8, 11, 13 значения I_ЭБО после каждого измерения не изменилось. Поэтому можно сделать вывод, что данные транзисторы будут иметь повышенную надежность.

Источники информации

1. Патент РФ №2204142, 2003.

2. Горлов М.И., Емельянов А.В., Плебанович В.И. Электростатические заряды в электронике. - Мн.: Бел. Наука. 2006. - 295 с.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации транзисторов, и может быть использовано для выделения транзисторов повышенной надежности из партии в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в измерении значений информативного параметра - обратного тока эмиттера - до, после отжига, после воздействия импульсами электростатического разряда и после второго отжига. При этом на выводы испытуемых транзисторов подают несколько импульсов электростатического разряда обеих полярностей потенциалом, допустимым по техническим условиям. Отжиг проводят при максимально допустимой температуре кристалла. Транзисторы выделяют на основании оценки стабильности значения информативного параметра. Технический результат: более короткий отжиг, отсутствие превышения напряжения электростатического разряда. 1 табл.

Способ выделения транзисторов повышенной надежности из партии, в соответствии с которым измеряют значения информативного параметра - обратного тока эмиттера - до, после отжига, после воздействия импульсами электростатического разряда и после второго отжига, при этом на выводы испытуемых транзисторов подают несколько импульсов электростатических разрядов обеих полярностей потенциалом, допустимым по техническим условиям, температурный отжиг проводят при максимальной допустимой температуре кристалла, а транзисторы выделяют на основании оценки стабильности значения информативного параметра.