Текст описания приведен в факсимильном виде.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| АМОРФНЫЙ ОКСИД И ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ | 2008 |
|
RU2402106C2 |
| АМОРФНЫЙ ОКСИД И ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ | 2008 |
|
RU2399989C2 |
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР | 2005 |
|
RU2358355C2 |
| СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 2005 |
|
RU2358354C2 |
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ИСПОЛЬЗУЮЩИЙ ОКСИДНУЮ ПЛЕНКУ ДЛЯ ПЕРЕДАЧИ ИНФОРМАЦИИ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2007 |
|
RU2400865C2 |
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА | 2014 |
|
RU2631405C2 |
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР | 2006 |
|
RU2390072C2 |
| ОКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК Р-ТИПА, КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ОКСИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА Р-ТИПА, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКСИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА Р-ТИПА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОМПОНЕНТ, ОТОБРАЖАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ И СИСТЕМА | 2014 |
|
RU2660407C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА | 2017 |
|
RU2706296C1 |
| МОЩНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ | 2021 |
|
RU2781044C1 |
Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора. Сущность изобретения: аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 1012/см3 до 1018/см3, содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой. Техническим результатом изобретения является получение аморфного оксида, который функционирует как полупроводник для использования его в активном слое тонкопленочного транзистора. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 8 ил.
1. Аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 1012/см3 до 1018/см3, причем упомянутый аморфный оксид содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой.
2. Аморфный оксид по п.1, в котором аморфный оксид выбирают из группы, состоящей из: оксида, содержащего In, Zn и Sn; оксида, содержащего In и Zn; оксида, содержащего In и Sn; и оксида, содержащего In.
3. Аморфный оксид по п.1, содержащий In, Ga и Zn.
4. Аморфный оксид по п.1, в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей.
5. Полевой транзистор, содержащий активный слой из аморфного оксида, содержащего по меньшей мере один микрокристалл и электрод затвора, сформированный таким образом, что он обращен к активному слою через изолятор затвора, причем упомянутый аморфный оксид содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой.
6. Полевой транзистор по п.5, причем транзистор представляет собой транзистор нормально выключенного типа.
| Способ и приспособление для нагревания хлебопекарных камер | 1923 |
|
SU2003A1 |
| JP 2000044236 A, 15.02.2000 | |||
| J.R.BILLINGHAM et all, Electrical and optical properties of amorfous indium oxide | |||
| J | |||
| Phys | |||
| Condens | |||
| Matter | |||
| Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МАТРИЦ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭКРАНОВ | 1994 |
|
RU2069417C1 |
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР | 1999 |
|
RU2189665C2 |
