ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ИМЕЮЩИЙ КАНАЛ, СОДЕРЖАЩИЙ ОКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ В СЕБЯ ИНДИЙ И ЦИНК Российский патент 2009 года по МПК H01L29/786 

Описание патента на изобретение RU2371809C1

Текст описания приведен в факсимильном виде.

Похожие патенты RU2371809C1

название год авторы номер документа
АМОРФНЫЙ ОКСИД И ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ 2008
  • Сано Масафуми
  • Накагава Кацуми
  • Хосоно Хидео
  • Камия Тосио
  • Номура Кендзи
RU2402106C2
АМОРФНЫЙ ОКСИД И ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ 2008
  • Сано Масафуми
  • Накагава Кацуми
  • Хосоно Хидео
  • Камия Тосио
  • Номура Кендзи
RU2399989C2
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО 2005
  • Ден Тору
  • Ивасаки Тацуя
  • Хосоно Хидео
  • Камия Тосио
  • Номура Кендзи
RU2358354C2
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР 2005
  • Сано Масафуми
  • Накагава Кацуми
  • Хосоно Хидео
  • Камия Тосио
  • Номура Кендзи
RU2358355C2
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ИСПОЛЬЗУЮЩИЙ ОКСИДНУЮ ПЛЕНКУ ДЛЯ ПЕРЕДАЧИ ИНФОРМАЦИИ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2007
  • Ивасаки Тацуя
  • Кумоми Хидея
RU2400865C2
ОКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК Р-ТИПА, КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ОКСИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА Р-ТИПА, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКСИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА Р-ТИПА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОМПОНЕНТ, ОТОБРАЖАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ И СИСТЕМА 2014
  • Абе Юкико
  • Уеда Наоюки
  • Накамура Юки
  • Мацумото Синдзи
  • Соне Юдзи
  • Саотоме Риоити
  • Арае Саданори
RU2660407C2
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ОТОБРАЖАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ И СИСТЕМА 2017
  • Уеда Наоюки
  • Накамура Юки
  • Абе Юкико
  • Мацумото Синдзи
  • Соне Юдзи
  • Саотоме Риоити
  • Арае Саданори
  • Кусаянаги Минехиде
RU2702802C1
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА 2014
  • Мацумото Синдзи
  • Уеда Наоюки
  • Накамура Юки
  • Такада Микико
  • Соне Юдзи
  • Саотоме Риоити
  • Арае Саданори
  • Абе Юкико
RU2631405C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА 2017
  • Мацумото Синдзи
  • Уеда Наоюки
  • Накамура Юки
  • Абе Юкико
  • Соне Юдзи
  • Саотоме Риоити
  • Арае Саданори
  • Кусаянаги Минехиде
RU2706296C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ И ПОДЛОЖКА 2011
  • Лаукканен, Пекка
  • Ланг, Йоуко
  • Пунккинен, Марко
  • Туоминен, Марьюкка
  • Туоминен, Вейкко
  • Дахль, Джонни
  • Вяйрюнен, Юхани
RU2576547C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 371 809 C1

Реферат патента 2009 года ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ИМЕЮЩИЙ КАНАЛ, СОДЕРЖАЩИЙ ОКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ В СЕБЯ ИНДИЙ И ЦИНК

Изобретение относится к тонкопленочным транзисторам, использующим оксидный полупроводник. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет не меньше, чем 35 атомных %, и не больше, чем 55 атомных %. Когда в материал введен Ga, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 30 атомных % или меньше. Данный транзистор имеет улучшенную S-величину и дрейфовую подвижность. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 25 ил.

Формула изобретения RU 2 371 809 C1

1. Полевой транзистор, содержащий канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, в котором атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет не меньше, чем 35 ат.%, и не больше чем 55 ат.%; причем Ga не вводят в упомянутый оксидный полупроводниковый материал или, в случае введения Ga, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 30 ат.% или меньше.

2. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 15 ат.% или меньше.

3. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 5 ат.% или меньше.

4. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет не меньше чем 5 ат.% и не больше чем 15 ат.%.

5. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет 40 ат.% или больше.

6. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет 50 ат.% или меньше.

7. Полевой транзистор, содержащий канал, сделанный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, где оксидный полупроводник имеет композицию в области, ограниченной Y, h, i и k, показанных в таблице 1.
Таблица 1

8. Полевой транзистор, содержащий канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, где оксидный полупроводник имеет композицию в области, ограниченной a, f, i и k, показанных в таблице 1 относительно In, Zn и Ga, и дополнительно включает в себя добавляемое туда Sn:
Таблица 1

9. Полевой транзистор по п.8, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Sn/(Sn+In+Zn), составляет 0,1 ат.% или больше и 20 ат.% или меньше.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2009 года RU2371809C1

Способ обработки целлюлозных материалов, с целью тонкого измельчения или переведения в коллоидальный раствор 1923
  • Петров Г.С.
SU2005A1
Способ обработки целлюлозных материалов, с целью тонкого измельчения или переведения в коллоидальный раствор 1923
  • Петров Г.С.
SU2005A1
Способ обработки целлюлозных материалов, с целью тонкого измельчения или переведения в коллоидальный раствор 1923
  • Петров Г.С.
SU2005A1
US 5744864 A, 28.04.1998
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР 1999
  • Берггрен Рольф Магнус
  • Густафссон Бенгт Йеран
  • Карльссон Йохан Рогер Аксель
RU2189665C2

RU 2 371 809 C1

Авторы

Ивасаки Тацуя

Ден Тору

Итагаки Нахо

Даты

2009-10-27Публикация

2006-09-05Подача