СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР InGaAs/InP Российский патент 2014 года по МПК H01L31/18 

Описание патента на изобретение RU2530458C1

Изобретение относится к технологии изготовления многоэлементных фотоприемников и может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения.

Известен способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе InGaAs [Marshall J.Cohen et al. Commercial and Industrial Applications of Indium Gallium Arsenide Near Infrared Focal Plane Arrays, описанный в Part of the SPIE Conference on Infrared Technology and Applications XXV Orlando, Florida, April 1999 SPIE Vol.3698], пo меза-планарной технологии с использованием эпитаксиальной структуры n-InP/n-In 0,53 Ga 0,47 As/n+-InP, разработанный фирмой Sensor Unlimited, Inc. (США). Единичные фотодиоды являются планарными, и все процессы диффузии проводятся с маской из пассивирующей пленки нитрида кремния (Si3N4). Фотодиодная матрица изолируется с помощью меза-травления эпитаксиальных слоев n-InP и n-In 0,53 Ga 0,47 As до подложки +-InP, при этом формируется электрический контакт к n+-InP, т.н. общий вывод. Технология способа изготовления включает в себя следующие процессы:

- пластину покрывают пленкой Si3N4 для хорошей пассивации поверхности;

- фотолитографическим способом в пленке вскрывают окна под диффузию с помощью плазмохимического травления;

- p-n-переход формируют диффузией цинка в замкнутой трубе из источника ZnAs. Время и температура диффузии подбираются так, чтобы диффузионный фронт находился на глубине около 2500А в активном слое InGaAs;

- пластины покрывают вторым слоем пленки Si3N4;

- во втором слое Si3N4 вскрывают контактные окна и создают омические контакты металлизацией золото/цинк (Au/Zn);

- фотодиодную матрицу изолируют меза-травлением, и образуется контакт к подложки n+-InP;

- омический контакт золото/германий (Au/Ge) наносят на подложку и, таким образом, формируют оба контакта на пластине;

- с обратной стороны наносят антиотражающее покрытие;

- металлизацию золото/титан (Au/Ti) наносят в качестве верхнего слоя как на омические контакты к р-области, так и на омические контакты к подложке n+-InP;

- индиевые столбики наносят на контакты как к р-области, так и на контакты к подложке n+-InP;

- пластины разбраковывают и режут на кристаллы.

Недостатком указанного способа является то, что при меза-планарной технологии изготовления фотоприемника и засветке кристалла с обратной стороны (при эксплуатации в составе фотоэлектронного модуля) существует большая вероятность боковой засветки вне области пространственного заряда (ОПЗ), что приводит к фотоэлектрической взаимосвязи соседних каналов и снижению быстродействия фоточувствительного элемента за счет диффузионной составляющей собирания генерированных светом носителей заряда из объема примыкающего к периметру p-i-n-перехода. Длина диффузии неосновных носителей может составлять 60 мкм.

Одним из решений проблемы является сформированная на освещаемой стороне подложки n+-InР диафрагма, которая устраняет возможность боковой засветки периферийной необедненной n-области при планарной технологии изготовления кристалла многоэлементного фотоприемника[RU 2318272 С1, Чинарева И.В., Огнева О.В., Забенькин О.Н., Мищенкова Т.Н. «Способ изготовления быстродействующего многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур InGaAs/InP»]. Недостатком этого способа являются большие темновые токи элементов, величина которых пропорциональна объему области, примыкающей к периметру p-i-n-перехода, из которой собираются неосновные носители, и это снижает пороговые характеристики прибора. Кроме этого, на диафрагме отражается часть падающего излучения, что приводит к потере полезного сигнала. Дифракционное рассеяние на диафрагме уменьшает быстродействие из-за наличия диффузионной составляющей тока носителей, генерированных в области тени диафрагмы.

Наиболее близким к настоящему изобретению является техническое решение, описанное в статье [High Uniformity InGaAs Linear Mesa-type SWIR Focal Plane Arrays» Tang Hengjing*a, b, Wu Xiaoli a, b, Zhang Kefeng a, b, Ye Liping a, Wang Nili a, Li Xue a, Gong Haimei a aState Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China 200083; bGraduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing, China 100039]. Линейные четырехрядные матрицы фотодиодов с размером пикселя 56×56 мкм2 и шагом в линейке фотодиодов 112 мкм сформированы химическим травлением эпитаксиальной структуры с p-i-n-переходом до подложки n+-InP. В такой структуре при условии полного стравливания слоя n-In 0,53 Ga 0,47 As за пределами проекции периметра p-i-n-перехода отсутствуют области, из которых собираются избыточные неосновные носители. Однако по мнению авторов коэффициент фотоэлектрической взаимосвязи соседних элементов составляет 7% из-за неполного стравливания слоя n-In 0,53 Ga 0,47 As. Из-за неоднородного травления по площади трудно изготовить матрицы элементов с одинаковой глубиной травления. В случае прямого травления эпитаксиального слоя до подложки через маску фоторезиста процесс растворения идет изотропно. Поэтому минимальное расстояние между пикселями обычно превышает толщину эпитаксиального слоя. При необходимой глубине травления 4 мкм и шаге в матрице 15 мкм получим площадь фоточувствительного элемента не более 13×13 мкм2. Потеря светового потока составит (1-13×13/15×15)×100%=25%.

Известен способ изготовления индиевых микроконтактов ионным травлением [Болтарь К.О., Корнеева М.Д., Мезин Ю.С., Седнев М.В. Прикладная физика. 2011 г., №1]. Метод травления ионами инертного газа позволяет воспроизводить с прецизионной точностью размеры маски, нанесенной на поверхность любого материала. При этом процесс травления идет анизотропно в направлении падения ионов рабочего газа. Недостатком известного способа является возможность переосаждения распыляемых атомов поверхности на вертикальные стенки формируемой структуры. Это может приводить к образованию слоя, шунтирующего p-i-n-переход.

Задачей настоящего изобретения является создание многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур InGaAs/InP с минимальными потерями регистрируемого излучения без фотоэлектрической взаимосвязи элементов и увеличение его быстродействия.

Технический результат предлагаемого изобретения достигается тем, что в способе изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n-структур InGaAs/InP на поверхность р+-In 0,53 Ga 0,47 As фотолитографическим способом наносят маску фоторезиста и ионным травлением до подложки n+-InР и финишным химическим травлением формируют множество одинаковых несвязанных р-i-n-областей на проводящем основании, изолированных друг от друга промежутком, ширина которого меньше, чем в аналоге. Финишное химическое травление поверхности проводят для удаления слоя, образовавшегося при ионном травлении и шунтирующего p-n-переходы. Далее выполняют стандартные процессы: удаление фоторезиста, нанесение пленки нитрида кремния, вскрывают окна в нитриде кремния, изготавливают контакты к n- и p-областям. Ширина промежутка между несвязанными областями составляет 1 мкм. При этом потеря светового потока в матрице с шагом 15 мкм составит (1-14,5x14,5/15x15)х100%=6,5%, что в четыре раза меньше, чем при жидкостном способе формирования отдельных p-i-n-диодов. Глубина травления меза-структуры задается временем и скоростью травления ионами аргона с энергией 1 кэВ и плотностью тока 0,2 мА/см2 до подложки n+-InP через маску фоторезиста, что позволяет останавливать процесс травления на требуемой глубине, разделяя элементы матрицы по обедненному носителями n-слою, и, таким образом, устраняет фотоэлектрическую взаимосвязь между отдельными элементами. В изготовленной предлагаемым способом матрице фоточувствительных элементов отсутствуют области за пределами проекции периметра p-i-n-перехода, что способствует увеличению быстродействия фотоприемника.

Схематическое изображение фрагмента матрицы, изготовленной по предлагаемому способу, иллюстрируется на фиг.1.

Похожие патенты RU2530458C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР InGaAs/InP 2006
  • Чинарева Инна Викторовна
  • Огнева Ольга Викторовна
  • Забенькин Олег Николаевич
  • Мищенкова Татьяна Николаевна
RU2318272C1
Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/AlInAs/InP 2016
  • Яковлева Наталья Ивановна
  • Болтарь Константин Олегович
  • Седнев Михаил Васильевич
RU2627146C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2022
  • Потапович Наталия Станиславовна
  • Хвостиков Владимир Петрович
  • Малевская Александра Вячеславовна
RU2791961C1
Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке 2018
  • Самсоненко Борис Николаевич
  • Ханов Сергей Георгиевич
RU2672760C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА УТОНЯЕМОЙ ГЕРМАНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ 2021
  • Шварц Максим Зиновьевич
  • Малевская Александра Вячеславовна
  • Нахимович Мария Валерьевна
RU2781508C1
КАСКАДНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С НАНОСТРУКТУРНЫМ ПРОСВЕТЛЯЮЩИМ ПОКРЫТИЕМ 2010
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Малевская Александра Вячеславовна
  • Гудовских Александр Сергеевич
  • Задиранов Юрий Михайлович
RU2436191C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ ФОТОДЕТЕКТОРА 2018
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Калиновский Виталий Станиславович
  • Малевская Александра Вячеславовна
RU2676185C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОПЕРЕХОДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА 2015
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Шварц Максим Зиновьевич
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
  • Малевская Александра Вячеславовна
  • Калюжный Николай Александрович
RU2589464C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧИПОВ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И ТРАВИТЕЛЬ 2012
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Гребенщикова Елена Александровна
  • Калиновский Виталий Станиславович
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
  • Малевская Александра Вячеславовна
  • Усикова Анна Александровна
  • Задиранов Юрий Михайлович
RU2485628C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА 2014
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
  • Малевская Александра Вячеславовна
  • Калиновский Виталий Станиславович
  • Контрош Евгений Владимирович
  • Лебедева Наталья Михайловна
RU2575974C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 530 458 C1

Реферат патента 2014 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР InGaAs/InP

Изобретение может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения. Согласно изобретению изготовление многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n-структур InGaAs/InP на поверхность р+-In 0,53 Ga 0,47 As осуществляют путем нанесения фотолитографическим способом маски фоторезиста, ионного травления до подложки n+-InР и финишным химическим травлением, которым формируют множество одинаковых несвязанных p-i-n-областей на проводящем основании, изолированных друг от друга промежутком, ширина которого составляет 1 мкм. При этом потеря светового потока в матрице с шагом 15 мкм составит 6,5%, что в четыре раза меньше, чем при жидкостном способе формирования отдельных p-i-n-диодов. Глубина травления меза-структуры задается временем и скоростью травления ионами аргона с энергией 1 кэВ и плотностью тока 0,2 мА/см2 до подложки n+-InР через маску фоторезиста, что позволяет останавливать процесс травления на требуемой глубине, разделяя элементы матрицы по обедненному носителями n-слою, и, таким образом, устраняет фотоэлектрическую взаимосвязь между отдельными элементами. Таким образом, изобретение обеспечивает создание технологии изготовления матриц фоточувствительных элементов с минимальными потерями светового потока, без фотоэлектрической взаимосвязи и высоким быстродействием. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 530 458 C1

Способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n-структур InGaAs/InP, состоящий в том, что множество одинаковых фотоэлектрически несвязанных p-i-n-областей в матрице фотодиодов формируют травлением эпитаксиальной структуры с p-i-n-переходом до подложки n+-InP, отличающийся тем, что множество одинаковых фотоэлектрически несвязанных p-i-n-областей на проводящем основании формируют ионным травлением ионами аргона с энергией 1 кэВ и плотностью тока 0,2 мА/см2 p-i-n-структуры р+-In 0,53 Ga 0,47 As, p-InP, n-In 0,53 Ga 0,47 As на подложке n+-InP до подложки n+-InP через маску фоторезиста и финишным химическим травлением.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2014 года RU2530458C1

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР InGaAs/InP 2006
  • Чинарева Инна Викторовна
  • Огнева Ольга Викторовна
  • Забенькин Олег Николаевич
  • Мищенкова Татьяна Николаевна
RU2318272C1
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ИК-ПРИЕМНИК НА ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЯХ С ДЛИННОВОЛНОВОЙ ГРАНИЦЕЙ 0,2 ЭВ 1993
  • Рязанцев И.А.
  • Двуреченский А.В.
RU2065228C1
Устройство для электрической проблесковой сигнализации 1928
  • Нурдюмов Е.В.
SU10877A1
US2010148216A1, 17.06.2010
JP2007165359A, 28.06.2007
Система дистанционного управления главной судовой дизельной установкой 1982
  • Николаев Виктор Александрович
  • Васильев Лелий Петрович
  • Голубев Владимир Павлович
SU1063709A1
US6005266A, 21.12.1999
JP62090926A, 25.04.1987
JP61191063A, 25.08.1986

RU 2 530 458 C1

Авторы

Болтарь Константин Олегович

Седнев Михаил Васильевич

Шаронов Юрий Павлович

Смирнов Дмитрий Валентинович

Киселева Лариса Васильевна

Савостин Александр Викторович

Даты

2014-10-10Публикация

2013-04-23Подача