СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО p-i-n ФОТОДИОДА Российский патент 2015 года по МПК H01L31/18 

Описание патента на изобретение RU2541416C1

Заявляемое изобретение относится к технологии изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,9-1,06 мкм. Они предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 нс).

Одними из основных параметров таких ФД являются: величина темнового тока при рабочем напряжении, определяющая уровень шума ФД, и, следовательно, его пороговую чувствительность, а также величина коэффициентов фотоэлектрической связи между фоточувствительными площадками в многоэлементных ФД.

Известно авторское свидетельство [а.с. №680538 с приоритетом от 19.02.1976 г. Климанов Е.А., Кулыманов А.В., Лисейкин В.П. «Способ изготовления p-i-n фотодиода»], в котором описан способ изготовления ФД, где для снижения темновых токов используется геттерирование электрически активных дефектов с помощью диффузионного n+-слоя, создаваемого на пассивных поверхностях пластины.

Известен патент США [US 4127932 с приоритетом от 06.08.1976 г. A.R. Hartman, H. Melhior, D.P. Schinke, R.G. Smith, «Method of fabricating silicon photodiodes»], в котором для снижения темновых токов также используется геттерирование диффузионным слоем дефектов в объеме образцов и отжиг структур с изготовленной контактной системой в форминг-газе при 300° для снижения плотности поверхностных состояний.

Известен кремниевый p-i-n фотодиод большой площади [патент на полезную модель РФ №56069 U1 с приоритетом 21.11.2005 г., Филачев A.M., Кравченко Н.В., Хакуашев П.Е., Огнева О.В., Чинарева И.В., заявитель ФГУП «НПО «Орион»], чувствительный на длинах волн 1,06 мкм и 0,9 мкм, способ изготовления которого принят в качестве ближайшего аналога. В подложке из монокристаллического кремния р-типа проводимости с помощью диффузии фосфора через пленку двуокиси кремния (SiO2) сформированы области n+-типа проводимости: фоточувствительная область и область охранного кольца. На другой стороне подложки диффузией бора сформирован слой р-типа проводимости. Создание двухслойных омических контактов к фоточувствительной области, области охранного кольца и контактному слою р-типа проводимости осуществляется путем нанесения пленки золота с подслоем титана.

Недостатком указанных методов изготовления ФД является снижение процента выхода годных изделий по значениям темновых токов фоточувствительных площадок и охранного кольца, а также значениям коэффициентов фотоэлектрической связи между фоточувствительными площадками из-за образования инверсионных и конверсионных слоев с высокой концентрацией неосновных носителей заряда - электронов в приповерхностных областях кремния р-типа с низкой концентрацией основных носителей (порядка 1012 см-3). Образование этих слоев приводит к большому вкладу поверхностных токов утечки в темновые токи фоточувствительных площадок и охранного кольца и снижению сопротивления между ними. Указанные слои возникают во время высокотемпературных процессов из-за образования положительного встроенного заряда на границе окисел-кремний и диффузии загрязняющих примесей, приводящих к изменению типа проводимости с р-типа на n-тип в приповерхностной области кремния.

Задачей предлагаемого изобретения является снижение уровня темнового тока фоточувствительных площадок и охранного кольца, снижение значений коэффициентов взаимосвязи между фоточувствительными площадками многоэлементных ФД и увеличение процента выхода годных приборов.

Поставленная цель обеспечивается устранением инверсионных и конверсионных слоев в приповерхностных областях ФД, что достигается тем, что после проведения всех высокотемпературных операций (окисление, диффузия фосфора, геттерирование, диффузия бора) проводят стравливание диэлектрической пленки двуокиси кремния с поверхности пластины и травление приповерхностного слоя кремния на глубину меньше одного микрона с последующим осаждением пленки двуокиси кремния одним из низкотемпературных методов (например, разложение тетраэтоксисилана, окисление моносилана) при температуре, не превышающей 800°С. Затем известными методами проводят формирование двухслойных омических контактов к фоточувствительной области, области охранного кольца и контактному слою р+-типа проводимости.

Предлагаемый способ изготовления позволяет снизить токи охранного кольца и получать значения сопротивлений поверхностных каналов между фоточувствительными площадками, фоточувствительными площадками и охранным кольцом на уровне десятков мгОм, что обеспечивает низкие значения поверхностных токов утечки фоточувствительных площадок, охранного кольца и коэффициентов взаимосвязи между фоточувствительными площадками.

Низкие значения поверхностных токов утечки и коэффициентов взаимосвязи достигаются за счет того, что большие значения сопротивления поверхностного канала между охранным кольцом и фоточувствительными площадками приводят к протеканию периферийных токов утечки по цепи охранного кольца, препятствуя их ответвлению в цепи фоточувствительных площадок.

Одновременно увеличение сопротивления поверхностного канала между фоточувствительными площадками уменьшает перетекание фототоков между ними, что снижает коэффициент фотоэлектрической взаимосвязи между площадками.

Таким образом, технический результат - снижение уровня темнового тока фоточувствительных площадок и охранного кольца, снижение значений коэффициентов взаимосвязи между фоточувствительными площадками многоэлементных ФД и увеличение процента выхода годных приборов, достигается тем, что после проведения высокотемпературных термодиффузионных процессов для создания структуры ФД:

- термического окисления;

- диффузии фосфора для создания областей n+-типа проводимости (фоточувствительных площадок и охранного кольца);

- диффузии фосфора в тыльную поверхность пластины для геттерирования загрязняющих примесей;

- диффузии бора в тыльную поверхность пластины после стравливания геттерирующего n+-слоя для создания слоя р+-типа проводимости,

перед операцией создания омических контактов проводят стравливание диэлектрической пленки с поверхности кремния и травление кремния на глубину менее одного микрона с последующим осаждением пленки двуокиси кремния одним из низкотемпературных методов (например, разложение тетраэтоксисилана, окисление моносилана) при температуре, не превышающей 800°C. Затем производят формирование омических контактов известными методами.

Похожие патенты RU2541416C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО p-i-n ФОТОДИОДА 2013
  • Демидов Станислав Стефанович
  • Климанов Евгений Алексеевич
RU2532594C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО p-i-n ФОТОДИОДА 2013
  • Демидов Станислав Стефанович
  • Денисов Сергей Иванович
  • Климанов Евгений Алексеевич
  • Нури Марина Александровна
RU2537087C1
Способ изготовления кремниевого фотодиода 2017
  • Демидов Станислав Стефанович
  • Климанов Евгений Алексеевич
RU2654992C1
Способ изготовления кремниевого фотодиода 2018
  • Вильдяева Мария Николаевна
  • Климанов Евгений Алексеевич
RU2689972C1
Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента с низким уровнем темновых токов 2019
  • Галашин Артем Викторович
  • Либерова Галина Владимировна
  • Манжуло Дарья Григорьевна
RU2716036C1
Способ изготовления многоплощадочного быстродействующего кремниевого pin-фоточувствительного элемента 2017
  • Будтолаев Андрей Константинович
  • Либерова Галина Владимировна
  • Рыбаков Андрей Викторович
  • Степанюк Владимир Евгеньевич
  • Хакуашев Павел Евгеньевич
RU2654961C1
Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента 2017
  • Будтолаев Андрей Константинович
  • Либерова Галина Владимировна
  • Рыбаков Андрей Викторович
  • Хакуашев Павел Евгеньевич
RU2654998C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ pin-ФОТОДИОДОВ С ОХРАННЫМ КОЛЬЦОМ НА ВЫСОКООМНОМ р-КРЕМНИИ 2013
  • Астахов Владимир Петрович
  • Гиндин Павел Дмитриевич
  • Карпов Владимир Владимирович
  • Евстафьева Наталья Игоревна
  • Карпенко Елена Федоровна
  • Лихачёв Геннадий Михайлович
  • Филипенко Наталия Васильевна
RU2548609C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР InGaAs/InP 2013
  • Болтарь Константин Олегович
  • Седнев Михаил Васильевич
  • Шаронов Юрий Павлович
  • Смирнов Дмитрий Валентинович
  • Киселева Лариса Васильевна
  • Савостин Александр Викторович
RU2530458C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОДИОДОВ СРЕДНЕВОЛНОВОГО ИК-ДИАПАЗОНА СПЕКТРА 2019
  • Матвеев Борис Анатольевич
  • Ременный Максим Анатольевич
RU2726903C1

Реферат патента 2015 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО p-i-n ФОТОДИОДА

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,9-1,06 мкм. Они предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 нс). Технический результат изобретения - снижение уровня темнового тока фоточувствительных площадок и охранного кольца, снижение значений коэффициентов взаимосвязи между фоточувствительными площадками многоэлементных ФД и увеличение процента выхода годных приборов, достигается тем, что после проведения высокотемпературных термодиффузионных процессов для создания структуры ФД: - термического окисления; - диффузии фосфора для создания областей n+-типа проводимости (фоточувствительных площадок и охранного кольца); - диффузии фосфора в тыльную поверхность пластины для генерирования загрязняющих примесей; - диффузии бора в тыльную поверхность пластины после стравливания геттерирующего n+-слоя для создания слоя p+-типа проводимости, перед операцией создания омических контактов проводят стравливание диэлектрической пленки с поверхности кремния и травление кремния на глубину менее одного микрона с последующим осаждением пленки двуокиси кремния одним из низкотемпературных методов при температуре, не превышающей 800°С. Затем производят формирование омических контактов известными методами.

Формула изобретения RU 2 541 416 C1

Способ изготовления кремниевого фотодиода, включающий термодиффузионные операции термического окисления, диффузии фосфора для формирования областей n+-типа проводимости, диффузии фосфора для геттерирования загрязняющих примесей, диффузии бора для формирования областей p+-типа проводимости и операцию создания двухслойных омических контактов к фоточувствительной области, области охранного кольца и контактному слою p+-типа проводимости путем нанесения пленки золота с подслоем титана или хрома, отличающийся тем, что для снижения темновых токов фоточувствительных площадок и охранного кольца, снижения значений коэффициентов взаимосвязи между фоточувствительными площадками многоэлементных фотодиодов (ФД) и увеличения процента выхода годных приборов после выполнения термодиффузионных операций перед операцией создания омических контактов проводят стравливание диэлектрической пленки с поверхности кремния и травление кремния на глубину менее одного микрона с последующим осаждением пленки двуокиси кремния одним из низкотемпературных методов при температуре, не превышающей 800°C.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2015 года RU2541416C1

Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов 1959
  • Альтман С.И.
  • Васильев С.М.
  • Дохман С.А.
  • Лагуткин Г.В.
  • Лебяжьев Г.Г.
  • Мачурин Д.Н.
  • Поволоцкий Б.Д.
SU126195A1
Измеритель жидкости 1948
  • Лагуто Л.Д.
  • Новиков Н.М.
SU82381A1
СПОСОБ ИЗВЛЕЧЕНИЯ ВАНАДИЯ ИЗ ШЛАКОВ 1938
  • Никитин Н.Н.
  • Шишкин С.М.
  • Черчагин Г.С.
  • Грин В.Т.
SU56069A1
US 8298854 B2, 30.10.2012
US 6458619 B1, 01.10.2002
US 6303967 B1, 16.10.2001
US 5410175 A, 25.04.1995
US 4127932 A, 05.12.1978
Прибор, замыкающий сигнальную цепь при повышении температуры 1918
  • Давыдов Р.И.
SU99A1
CN 102376815 A, 14.03.2012

RU 2 541 416 C1

Авторы

Демидов Станислав Стефанович

Денисов Сергей Иванович

Климанов Евгений Алексеевич

Нури Марина Александровна

Даты

2015-02-10Публикация

2014-02-04Подача