Способ повышения прочности стыковки кристаллов Российский патент 2017 года по МПК H01L25/04 

Описание патента на изобретение RU2613617C2

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств (МФПУ) методом перевернутого монтажа.

В известном способе стыковки [патент США №4067104] индиевые микроконтакты выполнены в виде квадратных или круглых столбиков с плоскими вершинами и практически с одинаковыми геометрическими размерами для стыкуемых кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ). Один из недостатков указанного способа стыковки состоит в низкой прочности соединения кристаллов. Основная причина низкой прочности ФПУ - наличие на поверхности индиевых микроконтактов оксидной пленки, обладающей низкими адгезионными и пластическими свойствами. Индиевые соединения микроконтактов постепенно разрушаются по границе соединения индий - индий, поскольку между двумя слоями индия присутствует индиевая окисная пленка, которая значительно ослабляет прочность соединения. По этой границе происходит постепенное разрушение микроконтактов [патент RU №2411610]. Качественная холодная сварка индиевых микроконтактов происходит только в тех местах, где при сдавливании нарушается целостность оксидного слоя и чистый индий выдавливается из объема микроконтакта навстречу чистому индию ответного микроконтакта. Таким образом, для повышения прочности стыковки необходимо очистить место соединения индиевых микроконтактов от оксидной пленки и создать тем самым условия для объединения чистого индия от двух стыкуемых микроконтактов.

Существует много способов очистки поверхности индиевых микроконтактов от оксидной пленки:

- химическое травление в 1% соляной кислоте;

- ионное травление;

- механическая очистка с помощью колеблющейся в потоке воздуха вольфрамовой проволоки диаметром 8-10 мкм;

- оплавление в защитной атмосфере микроконтакта с получением сферической формы и др.

Следует отметить, что полной очистки от оксида в перечисленных способах не происходит и, кроме того, окисление индия на воздухе происходит очень быстро - за десятки секунд [патент RU №2411610]. После очистки поверхности микроконтактов от окисной пленки до их стыковки проходит определенное время, в течение которого происходит формирование новой пленки оксида индия.

Во время сдавливания микроконтактов при стыковке кристаллов происходит растрескивание образовавшейся тонкой оксидной пленки на поверхности индиевого микроконтакта. Однако это не означает ее удаления из зоны контакта. Чистый индий, выступивший из образовавшихся трещин одного микроконтакта, соединяется с выдавленным индием из трещин другого стыкуемого микроконтакта. Вследствие этого в зоне стыковки остаются частицы оксида от обоих микроконтактов, полной очистки от оксида индия в месте стыковки не происходит, что в конечном итоге снижает прочность стыковки.

Наиболее близким к предлагаемому способу является способ оплавления микроконтакта в защитной атмосфере, например водорода, при повышенной температуре с приданием столбу сферической формы [патент RU №2392690].

Оплавленные индиевые столбы на мультиплексоре из-за незначительной площади первичного контакта вдавливаются в плоскую поверхность ответных индиевых столбов МФЧЭ, деформируют их поверхность, разрушая целостность оксидной пленки. По мере дальнейшего сдавливания область растрескивания оксидных пленок расширяется и охватывает всю поверхность индиевого столба на мультиплексоре и МФЧЭ. По сравнению с аналогами данное техническое решение позволяет качественнее провести разрушение пленки оксида индия из-за более сильной деформации поверхности микроконтакта по сравнению со стыковкой плоских микроконтактов.

Указанный способ стыковки имеет существенный недостаток, связанный с недостаточной очисткой зоны стыковки от оксида индия, что снижает прочность стыковки микроконтактов, и применением дополнительных трудоемких операций по очистке и оплавлению поверхности индиевых микроконтактов от оксидной пленки.

Задачей предлагаемого изобретения является повышение прочности соединения индиевых микроконтактов двух кристаллов.

Технический результат изобретения состоит в исключении дополнительных операций по зачистке поверхности микроконтактов от оксида индия.

Эта задача решается применением способа патента RU №2537089 в качестве способа повышения прочности стыковки.

Задача изобретения по патенту №2537089 состоит в повышении надежности стыковки путем исключения возможности закорачивания соседних микроконтактов.

Новое применение способа гибридизации стало возможным благодаря обнаруженному после расстыковки эффекту увеличения прочности соединения индиевых микроконтактов прямоугольной формы без использования дополнительных операций по их очистке от оксида индия. Это новое свойство изобретения нельзя было предсказать заранее.

Технический результат достигается тем, что:

- индиевые микроконтакты выполнены в виде вытянутых прямоугольников, расположенных под углом по отношению друг к другу - фиг. 1, где поз. 1 и 2 обозначают микроконтакты разных кристаллов;

- очистка микроконтактов от оксида индия происходит в зоне стыковки во время сильной деформации микроконтактов при их сдавливании с вытеснением оксида на периферию зоны стыковки. Индий при этом не успевает окислиться. В аналогах же стыковка проводится после зачистки поверхности микроконтактов;

- стыкуемые микроконтакты как бы разрезают друг друга с последующим слипанием не только горизонтальными плоскостями, но и боковыми сторонами;

- стыковка каждого микроконтакта происходит не только по его поверхности, как в случае квадратных или круглых микроконтактов, но и по двум вертикальным стенкам, выдавленным ответным микроконтактом, что увеличивает эффективную площадь слипания микроконтактов;

- для увеличения площади стыковки индиевые микроконтакты ориентируют по противоположным диагоналям ячеек стыкуемых кристаллов (фиг. 2). В этом случае длина и ширина индиевых микроконтактов увеличиваются в . Так, например, при шаге ячеек в 15 мкм в матрице длина и ширина прямоугольных микроконтактов при их ориентации параллельно сторонам ячеек может составлять соответственно 10 мкм и 5 мкм, а при ориентации по диагоналям - 14 мкм и 7 мкм. В первом случае площадь стыковки составляет 5×5=25 мкм2, а во втором - 7×7=49 мкм2, что в два раза выше, а следовательно, выше и прочность соединения микроконтактов;

- для создания опорных индиевых микроконтактов большой площади, например контактов к подложке, формируют множество прямоугольных микроконтактов на каждом кристалле, которые могут быть объединены в решетки (фиг. 3). Причем решетки индиевых микроконтактов на каждом кристалле сдвинуты относительно друг друга на половину шага по двум координатам. Опорные контакты большей площади, чем матричные, располагаются по периферии матрицы и предназначены для исключения передавливания матричных микроконтактов при стыковке. Обычно они бывают двух типов - когда опорные контакты стыкуются друг с другом, как матричные, или когда опорные контакты одного кристалла попадают в промежутки между опорными контактами другого кристалла. В первом случае образуется широкий зазор (равный сумме толщин микроконтактов двух кристаллов) между кристаллами из-за упершихся друг в друга массивных опорных элементов, что приводит к недостаточной стыковке матричных элементов. Во втором случае зазор между кристаллами узкий (равный высоте одного микроконтакта), что может привести к передавливанию микроконтактов с последующей закороткой между ними. По предлагаемому способу можно менять зазор между кристаллами путем комбинирования ширины и шага индиевых полос, составляющих решетку, т.е. широкие и частые полосы будут увеличивать зазор между кристаллами, а узкие и редкие - уменьшать зазор. Таким образом можно формировать регулируемый ограничитель стыковки кристаллов.

Проведен ряд стыковок кристаллов БИС и МФЧЭ формата 384×288 с шагом 28 мкм с микроконтактами прямоугольной формы, повернутыми на угол 90° по отношению друг к другу. На фиг. 4 показан фрагмент кристалла БИС считывания до стыковки.

После расстыковки кристаллов с прямоугольными микроконтактами (фиг. 5) заметна деформация нижних и боковых стенок зоны стыковки микроконтактов, связанная с разрывом слипшихся индиевых микроконтактов при расстыковке кристаллов, что свидетельствует о хорошей холодной сварке микроконтактов двух кристаллов. Это позволяет получить высокую прочность соединения микроконтактов в широком диапазоне температур без использования дополнительных приемов улучшения качества холодной сварки.

Похожие патенты RU2613617C2

название год авторы номер документа
Способ формирования матричных микроконтактов 2017
  • Акимов Виталий Владимирович
  • Акимов Владимир Михайлович
  • Климанов Евгений Алексеевич
RU2654944C1
Способ изготовления микроконтактов 2017
  • Акимов Владимир Михайлович
  • Васильева Лариса Александровна
  • Иродов Никита Александрович
  • Климанов Евгений Алексеевич
RU2655953C1
СПОСОБ ГИБРИДИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ БИС СЧИТЫВАНИЯ И МАТРИЦЫ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ 2013
  • Акимов Владимир Михайлович
  • Болтарь Константин Олегович
  • Васильева Лариса Александровна
  • Климанов Евгений Алексеевич
RU2537089C1
Способ оперативного контроля качества стыковки 2017
  • Акимов Владимир Михайлович
  • Васильева Лариса Александровна
  • Болтарь Константин Олегович
  • Климанов Евгений Алексеевич
RU2660020C1
Способ повышения точности контроля качества стыковки 2018
  • Акимов Владимир Михайлович
  • Болтарь Константин Олегович
  • Васильева Лариса Александровна
  • Климанов Евгений Алексеевич
RU2686882C1
Способ изготовления утоньшенной двухспектральной фоточувствительной сборки 2017
  • Болтарь Константин Олегович
  • Киселева Лариса Васильевна
  • Савостин Александр Викторович
  • Лопухин Алексей Алексеевич
  • Власов Павел Валентинович
  • Акимов Владимир Михайлович
  • Иродов Никита Александрович
  • Гришина Анна Николаевна
  • Столяров Дмитрий Сергеевич
RU2676052C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО ФОТОПРИЕМНИКА 2014
  • Власов Павел Валентинович
  • Лопухин Алексей Алексеевич
  • Киселева Лариса Васильевна
  • Савостин Александр Викторович
  • Ерошенков Владимир Владимирович
  • Кожаринова Елена Анатольевна
  • Умникова Елена Васильевна
RU2573714C1
СПОСОБ СБОРКИ ИК-ФОТОПРИЕМНИКА 2013
  • Болтарь Константин Олегович
  • Поварихина Вера Васильевна
  • Иродов Никита Александрович
RU2526489C1
Способ контроля качества групповой стыковки кристаллов 2023
  • Акимов Владимир Михайлович
  • Иродов Никита Александрович
  • Лопухин Алексей Алексеевич
RU2819153C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНДИЕВЫХ МИКРОКОНТАКТОВ 2014
  • Болтарь Константин Олегович
  • Седнев Михаил Васильевич
  • Смирнов Дмитрий Валентинович
RU2571436C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 613 617 C2

Реферат патента 2017 года Способ повышения прочности стыковки кристаллов

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. В способе повышения прочности стыковки индиевых микроконтактов БИС и МФЧЭ посредством сдавливания индиевых микроконтактов, расположенных на стыкуемых кристаллах, микроконтакты на обоих кристаллах выполняют в форме вытянутых прямоугольников, расположенных под углом по отношению друг к другу, на периферии матрицы формируют множество прямоугольных микроконтактов на каждом кристалле, которое объединяют в решетки и создают опорные индиевые микроконтакты большой площади. Изобретение обеспечивает повышение прочности стыковки индиевых микроконтактов. 5 ил.

Формула изобретения RU 2 613 617 C2

Способ повышения прочности стыковки индиевых микроконтактов БИС и МФЧЭ посредством сдавливания индиевых микроконтактов, расположенных на стыкуемых кристаллах, микроконтакты на обоих кристаллах выполняют в форме вытянутых прямоугольников, расположенных под углом по отношению друг к другу, отличающийся тем, что с целью повышения прочности стыковки на периферии матрицы формируют множество прямоугольных микроконтактов на каждом кристалле, которое объединяют в решетки и создают опорные индиевые микроконтакты большой площади.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2017 года RU2613617C2

СПОСОБ ГИБРИДИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ БИС СЧИТЫВАНИЯ И МАТРИЦЫ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ 2013
  • Акимов Владимир Михайлович
  • Болтарь Константин Олегович
  • Васильева Лариса Александровна
  • Климанов Евгений Алексеевич
RU2537089C1
ИНДИЕВЫЕ МИКРОКОНТАКТЫ ДЛЯ ГИБРИДНОЙ МИКРОСХЕМЫ 2009
  • Ефимов Валерий Михайлович
RU2411610C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНОГО СТОЛБА МНОГОКОНТАКТНОГО ГИБРИДНОГО СОЕДИНЕНИЯ 2009
  • Новоселов Андрей Рудольфович
  • Кузьмин Николай Борисович
  • Валишева Наталья Александровна
  • Косулина Ирина Григорьевна
RU2392690C1
US 4067104 A, 10.01.1978
US4930001 A, 29.05.1990
US 6550665 B1, 22.04.2003.

RU 2 613 617 C2

Авторы

Акимов Виталий Владимирович

Акимов Владимир Михайлович

Болтарь Константин Олегович

Васильева Лариса Александровна

Иродов Никита Александрович

Климанов Евгений Алексеевич

Даты

2017-03-21Публикация

2015-08-18Подача