Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5302846 США, МКИ HO1L 29/46] с пониженным сопротивлением затвора. Структура полевого транзистора располагается в диффузионном кармане, ограниченном участками полевого окисла. Электрод затвора с боковой пристеночной изоляцией заглублен внутрь кармана, области стока/истока располагаются вблизи поверхности кармана, при этом канал вытянут вдоль одной из боковых поверхностей электрода затвора. В таких полупроводниковых приборах из-за различия кристаллической решетки кремния и полевого окисла образуется большое количество дефектов, которые ухудшают параметры приборов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5369297 США, МКИ HO1L 29/78], в котором участок, подзатворного слоя диоксида кремния, ближайший к стоку, подвергается азотированию и приобретает повышенную стойкость к горячим носителям, генерируемым в лавинном режиме. Недостатками способа являются:
- повышенные значения токов утечек;
- высокая дефектность;
- низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижение значения токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается путем имплантации ионов кислорода на глубину, соответствующую поверхности раздела кремний-диоксид кремния с энергией 45-50 кэВ, дозой 3*1012-3*1013 см-2, с последующим термическим отжигом при температуре 650-700°С в течение 4-6 час.
Технология способа состоит в следующем: после формирования подзатворного диоксида кремния на кремниевой пластине р-типа проводимости с ориентацией (111) структуры подвергают имплантации однозарядными ионами кислорода с энергией 45-50 кэВ, дозой 3*1012-3*1013 см-2, с последующей термическим отжигом при температуре 650-700°С в течение 4-6 час, в атмосфере азота. Затем формировали электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Термообработка в атмосфере азота приводит, в результате реакции между избыточным кремнием и внедренным кислородом, к снижению фиксированного положительного заряда на поверхности раздела кремний-диоксид кремния и снижению токов утечек.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 14,7%.
Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем имплантации ионов кислорода на глубину, соответствующую поверхности раздела кремний-диоксид кремния с энергией 45-50 кэВ, дозой 3*1012-3*1013 см-2, с последующим термическим отжигом при температуре 650-700°С в течение 4-6 час, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2017 |
|
RU2671294C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2015 |
|
RU2596861C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2018 |
|
RU2693506C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2010 |
|
RU2428764C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2011 |
|
RU2497229C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2014 |
|
RU2581418C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА | 2009 |
|
RU2431904C2 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2016 |
|
RU2641617C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2020 |
|
RU2734094C1 |
Способ изготовления полупроводникового прибора | 2017 |
|
RU2674413C1 |
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования подзатворного диоксида кремния на кремниевой пластине р-типа проводимости с ориентацией (111) структуры подвергают имплантации однозарядными ионами кислорода с энергией 45-50 кэВ, дозой 3*1012-3*1013 см-2, с последующей термическим отжигом при температуре 650-700°С в течение 4-6 час, в атмосфере азота. Затем формируют электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Термообработка в атмосфере азота приводит, в результате реакции между избыточным кремнием и внедренным кислородом, к снижению фиксированного положительного заряда на поверхности раздела кремний-диоксид кремния и снижению токов утечек. Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей стока, истока, канала, подзатворного диоксида, отличающийся тем, что после формирования подзатворного диоксида структуры подвергают имплантации однозарядными ионами кислорода с энергией 45-50 кэВ, дозой 3*1012-3*1013 см-2, с последующим термическим отжигом при температуре 650-700°C в течение 4-6 час, в атмосфере азота.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП НАНОТРАНЗИСТОРА С ЛОКАЛЬНЫМ УЧАСТКОМ ЗАХОРОНЕННОГО ИЗОЛЯТОРА | 2012 |
|
RU2498447C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП ТРАНЗИСТОРА С ЛОКАЛЬНЫМИ УЧАСТКАМИ ЗАХОРОНЕННОГО ИЗОЛЯТОРА | 2002 |
|
RU2235388C2 |
US 6281140 B1, 28.08.2001 | |||
Многоступенчатая активно-реактивная турбина | 1924 |
|
SU2013A1 |
US 5930642 A, 27.07.1999 | |||
Фотометрическое устройство | 1987 |
|
SU1434275A1 |
Авторы
Даты
2017-07-25—Публикация
2016-03-22—Подача