ФОСФОР, ЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ СМЕСЬ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ МАТЕРИАЛ Российский патент 2017 года по МПК C09K11/08 H01L33/50 

Область техники

Изобретение относится к осветительному устройству на белых светодиодах переменного тока и к способу его изготовления, что относится к области производства светодиодов. Более конкретно, настоящее изобретение относится к способу изготовления осветительного устройства на белых светодиодах переменного тока с использованием люминесцентных материалов с синим послесвечением и желтых люминесцентных материалов.

Предпосылки для создания изобретения

В настоящее время светодиоды используются в таких областях, как освещение, визуализация, задняя подсветка и т.д., и как наиболее перспективные осветительные средства следующего поколения светодиоды привлекают большое внимание своими преимуществами энергосбережения, длительности срока службы, отсутствием загрязнений и т.д. Существуют многочисленные решения по реализации белого светодиода, причем наиболее разработанное техническое решение для изготовления белого светодиода в настоящее время заключается в реализации излучения белого света с использованием сочетания синего светодиодного чипа и желтого фосфора. В Томе 11 на странице 53 журнала Appl. Phys. Lett., опубликованного в 1967 г., описан люминесцентный материал Y₃Al₅O₁₂:Се³⁺, который имеет желтую люминесценцию с максимальной длиной волны излучаемого света 550 нм и временем существования меньше 100 нс. В Томе 64 на странице 417 журнала Appl. Phys. А, опубликованного в 1997 г., описано, что излучение света белым светодиодом реализовано с использованием желтой люминесценции Y₃Al₅O₁₂:Се³⁺ и синего нитрида галлия, и такая технология является наиболее разработанным техническим решением для изготовления белого светодиода в настоящее время. Но при практическом применении с подъемом температуры устройства во время работы интенсивности люминесценции синего светодиодного чипа и фосфора снижаются, и интенсивность люминесценции фосфора снижается более явно, что влияет на использование светодиода. Традиционный светодиод возбуждают постоянным током, но в настоящее время в жилых домах, промышленности, торговле и общественных зданиях и строениях в основном используется переменный ток. Таким образом, при использовании светодиода для освещения необходимо применять выпрямительный трансформатор для преобразования переменного тока в постоянный, чтобы обеспечить нормальную эксплуатацию светодиода. Однако при преобразовании переменного тока в постоянный до 15~30% энергии теряется и стоимость преобразовательного устройства высокая. Помимо этого, монтаж требует больших трудозатрат и времени и КПД невысокий. В патенте КНР №CN 100464111 С раскрыта лампа переменного тока на светодиодах, в которой использованы светодиодные чипы разных цветов, соединенные параллельно в источнике переменного тока. В патенте в основном сказано, что светодиодные чипы разных цветов вместе формируют белый свет, и описана конкретная схема из чипов, излучающих красный, зеленый и синий свет, без упоминания люминесцентного порошка. В патенте США №US 7489086 B2 раскрыто устройство для возбуждения светодиода переменного тока и осветительное устройство, в котором оно используется. Патент также описывает конструкцию схемы без инновационного отчета о люминесцентном порошке, при этом все еще применяется традиционный люминесцентный порошок Y₃Al₅O₁₂:Се³⁺. Автор этого изобретения исследует люминесцентный материал Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P, имеющий феномен длительного желтого послесвечения, и осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током (заявка на патент КНР №200910307357.3).

В настоящее время осветительное устройство на белых светодиодах переменного тока все еще нуждается в исследованиях, чтобы преодолеть влияние эффекта снижения температуры и изменения направления переменного тока на осветительное устройство на белых светодиодах переменного тока, чтобы расширить выбор в области освещения белыми светодиодами.

Раскрытие изобретения

Цель настоящего изобретения заключается в том, чтобы предложить новое осветительное устройство на белых светодиодах.

Техническое решение настоящего изобретения: синие светодиодные чипы или ультрафиолетовые чипы + люминесцентные материалы А с синим послесвечением + желтые люминесцентные материалы В. При этом массовое отношение люминесцентных материалов А с синим послесвечением к желтым люминесцентным материалам В составляет 10-70% мас. / 30-90% мас. и предпочтительно 20-50% мас. / 50-80% мас.

Кроме того, люминесцентный материал А с синим послесвечением имеет пиковую длину волны излучаемого света 440~490 нм.

Кроме того, люминесцентный материал А с синим послесвечением является по меньшей мере одним из Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺, Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺, CaS:Bi³⁺,Na⁺, CaS:Cu⁺,Na⁺ и CaSrS:Bi³⁺.

Желтый люминесцентный материал В имеет пиковую длину волны излучаемого света 520~580 нм.

Кроме того, желтый люминесцентный материал В является люминесцентным материалом, имеющим или не имеющим феномен послесвечения или сочетание этого.

Кроме того, желтый люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P, Y₂O₂S:Mg,Ti, Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy³⁺, Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺, CaS:Sm³⁺, YAG:Ce и Tb₃Al₅O₁₂:Ce.

Белый свет, излучаемый осветительным устройством на белых светодиодах настоящего изобретения, формируется из синего света, излучаемого люминесцентным порошком с синим послесвечением, желтого света, излучаемого желтым люминесцентным порошком, и света от синего или ультрафиолетового светодиодного чипа при возбуждении этого чипа.

Вышеупомянутый люминесцентный порошок также может возбуждаться фиолетовыми и ультрафиолетовыми светодиодными чипами с достижением того же эффекта.

Люминесцентное покрытие настоящего изобретения может быть сформировано путем смешивания люминесцентных материалов А с синим послесвечением и желтых люминесцентных материалов В или путем нанесения покрытия из люминесцентных материалов А с синим послесвечением на чипы с последующим нанесением покрытия из желтых люминесцентных материалов В на люминесцентные материалы А с синим послесвечением.

Принцип осветительного устройства на белых светодиодах переменного тока в настоящем изобретении следующий.

Из схематического изображения базового модуля осветительного устройства на светодиодах переменного тока, показанного на Фиг. 1, можно видеть, что из-за периодической характеристики переменного тока люминесценция светодиодов на основе модуля также имеет периодическое изменение светлый - темный, т.е. стробирование люминесценции, этим влияя на использование устройства.

Настоящее изобретение применяет люминесцентные материалы, имеющие характеристики послесвечения, так что свет будет поддерживаться, когда источник света возбуждения исчезает, таким образом, в осветительном устройстве на белых светодиодах переменного тока, основанном на решении настоящего изобретения, когда изменяется цикл тока, материал с синим послесвечением будет излучать синее послесвечение, чтобы компенсировать синий свет и возбуждать желтый люминесцентный порошок, этим устраняя влияние стробирования люминесценции светодиодного чипа, вызываемое колебаниями переменного тока, на осветительное устройство, так что световой выход устройства во время цикла переменного тока поддерживается стабильным. Помимо этого, поскольку светодиодный чип не работает в половину каждого цикла переменного тока, тепловой эффект уменьшается, что выгодно для преодоления серии трудностей, вызываемых нагревом чипа при использовании существующего осветительного устройства на белых светодиодах.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 - схема базового светодиодного модуля осветительного устройства на светодиодах переменного тока;

Фиг. 2 - спектр послесвечения Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺;

Фиг. 3 - спектр послесвечения Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺;

Фиг. 4 - спектр фотолюминесценции Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P;

Фиг. 5 - схема конструкции блока светодиодной люминесценции.

На Фиг. 5-1 цифрой 1 обозначено смешанное люминесцентное покрытие, изготовленное из люминесцентных материалов А с синим послесвечением и желтых люминесцентных материалов В; цифрой 2 обозначен синий, фиолетовый или ультрафиолетовый светодиодный чип; и цифрой 3 обозначена линза; и

на Фиг. 5-2, цифрой 2 обозначен синий, фиолетовый или ультрафиолетовый светодиодный чип; цифрой 3 обозначена линза; цифрой 5 обозначено покрытие, изготовленное из люминесцентных материалов А с синим послесвечением, и цифрой 4 обозначено покрытие, изготовленное из желтых люминесцентных материалов В.

Вышеизложенное содержание настоящего изобретения, кроме того, подробно описано посредством нижеописанных вариантов осуществления изобретения в форме примеров. Но следует понимать, что объем предмета настоящего изобретения не ограничивается нижеописанными примерами и любая технология, реализуемая вышеприведенным содержанием настоящего изобретения, должна подпадать под объем настоящего изобретения. В частности, относительно конструкции базовой схемы, примеры настоящего изобретения показывают только простейшую однонаправленную последовательную схему, но схема осветительного устройства на светодиодах переменного тока этим не ограничена и включает, например, реверсивную последовательно-параллельную схему и мостовую схему. В примерах синий светодиодный чип имеет длину волны излучения 460 нм, фиолетовый светодиодный чип имеет длину волны излучения 400 нм, и ультрафиолетовый светодиодный чип имеет длину волны излучения 365 нм.

Подробное описание предпочтительных вариантов осуществления изобретения

Новое осветительное устройство на белых светодиодах состоит из синих светодиодных чипов, люминесцентных материалов А с синим послесвечением и желтых люминесцентных материалов В. При этом массовое отношение люминесцентных материалов А с синим послесвечением к желтым люминесцентным материалам В составляет 10-70% мас. / 30-90% мас., а предпочтительно 20-50% мас. / 50-80% мас.

При этом люминесцентный материал А с синим послесвечением имеет пиковую длину волны излучаемого света 440-490 нм, например, он может быть одним из или сочетанием следующих материалов: Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺, Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺, CaS:Bi³⁺,Na⁺, CaS:Cu⁺,Na⁺ и CaSrS:Bi³⁺.

Желтым люминесцентным материалом В может быть люминесцентный материал, имеющий или не имеющий феномен послесвечения или сочетание этого, с пиковой длиной волны излучения света 520-580 нм. Люминесцентный материал, имеющий феномен послесвечения, включает Се-активируемый Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P, Y₂O₂S:Mg,Ti, Sr₃SiO₅:Eu²⁺, Dy³⁺, Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺ и CaS:Sm³⁺. Люминесцентный материал, не имеющий феномена послесвечения, включает YAG:Се и Tb₃Al₅O₁₂:Се.

Белый свет, излучаемый осветительным устройством на белых светодиодах настоящего изобретения, формируется из синего света, излучаемого люминесцентным порошком с синим послесвечением, желтого света, излучаемого желтым люминесцентным порошком, и света от синего светодиодного чипа при возбуждении синего светодиодного чипа.

Осветительное устройство на белых светодиодах переменного тока настоящего изобретения может реализовывать вход переменного тока путем параллельного соединения двух обратных светодиодов или мостовых схем. Однако из-за периодической характеристики переменного тока люминесценция светодиодов на основе двух модулей также имеет периодическое изменений светлый - темный, т.е. стробирование люминесценции, что влияет на использование устройства.

В настоящем изобретении применены люминесцентные материалы, имеющие характеристики послесвечения, так что свет будет поддерживаться, когда источник света возбуждения исчезает, таким образом, в осветительном устройстве на белых светодиодах, возбуждаемом импульсным током, основанном на решении настоящего изобретения, когда изменяется цикл тока, материал с синим послесвечением будет излучать синее послесвечение, чтобы компенсировать синий свет, и возбуждать желтый люминесцентный порошок, этим устраняя влияние стробирования люминесценции светодиодного чипа, оказываемого колебаниями переменного тока на освещение, так что световой выход устройства во время цикла переменного тока поддерживается стабильным. Помимо этого, поскольку светодиодный чип не работает в половину каждого цикла импульсного тока, тепловой эффект уменьшается, что выгодно для преодоления серии трудностей, вызываемых нагревом чипа при использовании существующего осветительного устройства на белых светодиодах.

Конкретные примеры приведены в таблице 1

Таблица 1

Способ изготовления следующий: просеивание люминесцентных материалов А и В через сетку с ячейкой 500 меш, равномерное смешивание люминесцентных материалов А и В в отношениях, указанных в Примерах 1-18, и упаковка их со светодиодным чипом, имеющим мощность 0,1 Вт, чтобы сформировать осветительное устройство на белых светодиодах с его базовым блоком, показанным на Фиг. 1.

Проверочный пример 1: характеристики люминесценции осветительного устройства на светодиодах переменного тока настоящего изобретения

Частота обычного переменного тока составляет 50 Гц, т.е. цикл составляет 20 мс. Направление тока не изменяется, тогда как величина тока изменяется каждую половину цикла (т.е. 10 мс). В таблице 2 указана яркость в пределах 20 мс, проверенная осветительным устройством, показанным как модуль на Фиг. 1, с помощью скоростной камеры, делающей 300 фотоснимков в секунду, когда светодиодные чипы, указанные в Примерах 1-18, запитаны непосредственно от сети переменного тока без преобразователя переменного тока в постоянный. Контрольным образцом является осветительное устройство на светодиодах переменного тока, которое выполнено таким же образом с белым светодиодным чипом и с имеющимся в продаже синим чипом, упакованным с желтым люминесцентным материалом. Данные по яркости в таблице 2 являются относительной проверяемой яркостью прибора и не имеют размерности.

Как можно видеть из данных в таблице 2, люминесценция настоящего изобретения стабильна во время цикла переменного тока, тогда как люминесценция осветительного устройства на белых светодиодах с имеющимся в продаже синим чипом, упакованным с желтым люминесцентным материалом, нестабильна, и свет не излучается во время отрицательной половины цикла переменного тока из-за обращения напряжения.

Проверочный пример 2: ослабление света осветительного устройства на светодиодах переменного тока настоящего изобретения

В таблице 3 приведены данные по ослаблению света Примеров 1-18 и контрольного образца. Контрольным образцом является осветительное устройство, выполненное путем установки белого светодиодного чипа с имеющимся в продаже синим чипом, упакованным с желтым люминесцентным материалом, в настоящее время в режиме электропитания от обычного источника постоянного тока. Способ испытания следующий: подача электропитания на осветительные устройства на светодиодах переменного тока Примеров 1-18 и контрольный образец и проверка их яркости после определенного интервала времени. Результаты показаны в таблице 3, при этом данные являются относительной яркостью и нормализованы исходными данными.

Как можно видеть из данных таблицы 3, ослабление яркости осветительного устройства на белых светодиодах настоящего изобретения меньше ослабления яркости светодиодного осветительного устройства, использующего существующий режим.

Данные таблиц 2-3 показывают, что осветительное устройство на белых светодиодах переменного тока, изготовленное с люминесцентными материалами с синим послесвечением и желтыми люминесцентными материалами согласно настоящему изобретению, лучше по стабильной люминесценции и небольшому ослаблению света и посредством этого имеет очевидную новизну и изобретательский уровень по сравнению с существующим светодиодным осветительным устройством.

Изобретения могут быть использованы при изготовлении светодиодов. Фосфор, люминесцентный материал и люминесцентная смесь для прямо возбуждаемых переменным током светодиодных чипов включают люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В в массовом отношении (10-70):(30-90). Люминесцентный материал А является по меньшей мере одним из Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; CaS:Bi³⁺,Na⁺; CaS:Cu⁺,Na⁺ или CaSrS:Bi³⁺. Люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; Y₂O₂S:Mg,Ti; Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy³⁺; Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; CaS:Sm³⁺; YAG:Ce или Tb₃Al₅O₁₂:Ce. Люминесцентные материалы А и В просеяны на сите с размером ячейки 500 меш. Светодиодные чипы являются синими с длиной волны излучения 460 нм, фиолетовыми с длиной волны излучения 400 нм или ультрафиолетовыми с длиной волны излучения 365 нм. Изобретения обеспечивают стабильность люминесценции при небольшом ослаблении света. 5 н. и 5 з.п. ф-лы, 5 ил., 3 табл., 18 пр.

1. Фосфор для прямо возбуждаемых переменным током светодиодных чипов, отличающийся тем, что фосфор включает люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В, причем

люминесцентный материал А с синим послесвечением является по меньшей мере одним из Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; CaS:Bi³⁺,Na⁺; CaS:Cu⁺,Na⁺ или CaSrS:Bi³⁺,

желтый люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; Y₂O₂S:Mg,Ti; Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy³⁺; Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; CaS:Sm³⁺; YAG:Ce или Tb₃Al₅O₁₂:Ce,

массовое отношение между люминесцентным материалом А с синим послесвечением и желтым материалом В составляет 10~70 мас. % : 30~90 мас. %, и

при прямой подаче переменного тока без преобразования переменного тока в постоянный ток фосфор может излучать свет малого мерцания в сочетании со светодиодными чипами.

2. Люминесцентный материал с характеристикой люминесценции послесвечения, отличающийся тем, что люминесцентный материал включает люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В, причем

люминесцентный материал А с синим послесвечением является по меньшей мере одним из Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; CaS:Bi³⁺,Na⁺; CaS:Cu⁺,Na⁺ или CaSrS:Bi³⁺,

желтый люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; Y₂O₂S:Mg,Ti; Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy³⁺; Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; CaS:Sm³⁺; YAG:Ce или Tb₃Al₅O₁₂:Ce,

массовое отношение между люминесцентным материалом А с синим послесвечением и желтым люминесцентным материалом В составляет 10~70 мас. % : 30~90 мас. %, и

при прямой подаче переменного тока без преобразования переменного тока в постоянный ток люминесцентный материал может излучать свет малого мерцания в сочетании со светодиодными чипами.

3. Фосфор для белых светодиодных чипов, отличающийся тем, что фосфор включает люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В, причем

люминесцентный материал А с синим послесвечением является по меньшей мере одним из Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; CaS:Bi³⁺,Na⁺; CaS:Cu⁺,Na⁺ или CaSrS:Bi³⁺,

желтый люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂: Ce⋅B⋅Na⋅P; Y₂O₂S:Mg,Ti; Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy³⁺; Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; CaS:Sm³⁺; YAG:Ce или Tb₃Al₅O₁₂:Ce,

массовое отношение между люминесцентным материалом А с синим послесвечением и желтым люминесцентным материалом В составляет 10~70 мас. % : 30~90 мас. %, и

при прямой подаче переменного тока без преобразования переменного тока в постоянный ток фосфор может излучать свет малого мерцания в сочетании со светодиодными чипами.

4. Люминесцентная смесь, отличающаяся тем, что смесь включает люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В, причем

люминесцентный материал А с синим послесвечением является по меньшей мере одним из Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; CaS:Bi³⁺,Na⁺; CaS:Cu⁺,Na⁺ или CaSrS:Bi³⁺,

желтый люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; Y₂O₂S:Mg,Ti; Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy³⁺; Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; CaS:Sm³⁺, YAG:Ce или Tb₃Al₅O₁₂:Ce,

массовое отношение между люминесцентным материалом А с синим послесвечением и желтым люминесцентным материалом В составляет 10~70 мас. % : 30~90 мас. %, и

при прямой подаче переменного тока без преобразования переменного тока в постоянный ток смесь может излучать свет малого мерцания в сочетании со светодиодными чипами.

5. Фосфор, смесь или люминесцентный материал по одному из пп. 1-4, причем

люминесцентный материал А с синим послесвечением включает Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺, и желтый люминесцентный материал В включает Y₃Al₅O₁₂:Ce и/или Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺.

6. Фосфор, смесь или люминесцентный материал по п. 5, причем фосфор, смесь или люминесцентный материал включает:

40 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺ и 60 мас. % Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; или

35 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺ и 65 мас. % Y₃Al₅O₁₂:Ce; или

10 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; 30 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺ и 60 мас. % Tb₃Al₅O₁₂:Се; или

5 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; 30 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; 15 мас. % CaS:Bi³⁺,Na⁺; 25 мас. % Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; 10 мас. % Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy³⁺ и 15 мас. % Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; или

10 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; 15 мас. % CaSrS:Bi³⁺; 35 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; 5 мас. % CaS:Bi³⁺,Na⁺; 5 мас. % CaS:Cu⁺,Na⁺; 5 мас. % Y₂O₂S:Mg,Ti и 25 мас. % Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; или

5 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; 15 мас. % CaSrS:Bi³⁺; 20 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; 15 мас. % Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy³⁺; 20 мас. % Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺ и 25 мас. % Y₃Al₅O₁₂:Ce; или

35 мас. % CaS:Bi³⁺,Na⁺; 25 мас. % Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; 10 мас. % CaS:Sm³⁺; 15 мас. % Y₂O₂S:Mg,Ti; 5 мас. % Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy³⁺ и 10 мас. % Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; или

45 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺ и 55 мас. % Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; или

40 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺ и 60 мас. % Y₃Al₅O₁₂:Ce; или

10 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; 35 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺ и 55 мас. % Tb₃Al₅O₁₂:Се; или

5 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; 25 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; 15 мас. % CaS:Bi³⁺,Na⁺; 25 мас. % Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; 20 мас. % Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy³⁺ и 10 мас. % Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; или

10 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; 10 мас. % CaSrS:Bi³⁺; 35 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; 5 мас. % CaS:Bi³⁺,Na⁺; 5 мас. % CaS:Cu⁺,Na⁺; 10 мас. % Y₂O₂S:Mg,Ti и 25 мас. % Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; или

40 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺ и 60 мас. % Y₃Al₅O₁₂:Ce; или

30 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺ и 70 мас. % Tb₃Al₅O₁₂:Ce; или

20 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; 35 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺ и 45 мас. % Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; или

10 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; 25 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; 5 мас. % CaS:Bi³⁺,Na⁺; 30 мас. % Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; 15 мас. % Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy³⁺ и 15 мас. % Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; или

15 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; 5 мас. % CaSrS:Bi³⁺, 10 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; 5 мас. % CaS:Bi³⁺,Na⁺; 5 мас. % CaS:Cu⁺,Na⁺; 20 мас. % Y₂O₂S:Mg,Ti и 40 мас. % Y₂O₃⋅Al₂O₃⋅ SiO₂:Ce⋅B⋅Na⋅P; или

10 мас. % Sr₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺; 5 мас. % CaSrS:Bi³⁺; 35 мас. % Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺,Dy³⁺; 15 мас. % Sr₃SiO₅:Eu²⁺,Dy³⁺; 15 мас. % Ca₂MgSi₂O₇:Eu²⁺,Dy³⁺ и 20 мас. % Y₃Al₅O₁₂:Ce.

7. Фосфор, смесь или люминесцентный материал по п. 6, причем люминесцентный материал А с синим послесвечением имеет длину волны пикового излучения света 440~490 нм, желтый люминесцентный материал В имеет длину волны пикового излучения света 520~580 нм.

8. Фосфор, смесь или люминесцентный материал по п. 5, причем массовое отношение между люминесцентным материалом А с синим послесвечением и желтым люминесцентным материалом В составляет 20~50 мас. % : 50~80 мас. %.

9. Фосфор, смесь или люминесцентный материал по п. 7, причем светодиодные чипы являются синими, фиолетовыми или ультрафиолетовыми светодиодными чипами, причем

синие светодиодные чипы имеют длину волны излучения 460 нм,

фиолетовые светодиодные чипы имеют длину волны излучения 400 нм, и

ультрафиолетовые светодиодные чипы имеют длину волны излучения 365 нм.

10. Фосфор, смесь или люминесцентный материал по п. 9, причем люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В просеяны на сите с размером ячейки 500 меш.