Способ изготовления высокоаспектных микроструктур Российский патент 2019 года по МПК G03F7/00 

Описание патента на изобретение RU2702798C1

Изобретение относится к микросистемной технике и технологии и может быть использовано для создания микроструктур в различных материалах, например, в неорганических соединениях типа хлорида натрия и иодида цезия допированного таллием, с аспектным отношением больше единицы.

Одним из способов увеличения пространственного разрешения сцинтилляционных экранов с сохранением их чувствительности является их структурирование, а именно разбиение сцинтилляционного экрана на оптически изолированные друг от друга ячейки. Пространственное разрешение такого экрана определяется латеральными размерами ячейки, а его чувствительность высотой ячейки. Обычно такой экран представляет собой матрицу, набранную из отдельных кристаллов типа LSO, LYSO или BGO, со вставками из отражающего материала между ними. Размеры каждого кристалла составляют обычно не меньше нескольких миллиметров. Сборка такого экрана является крайне трудоемким процессом, причем при уменьшении размеров отдельного кристалла трудоемкость значительно возрастает.

Известен способ разбиения кристалла сцинтиллятора на ячейки посредством лазерной абляции [H. Sabet, H. Kudrollia and etc. Laser pixelation of thick scintillators for medical imaging applications: X-ray studies. Proc. of SPIE Vol. 8853, 88530B. 2013]. Это наиболее близкий аналог предлагаемому способу. Таким образом можно получить ячейки размером 1×1×10 мм3 в кристалле LYSO размером 20×20 мм2, или ячейки размером 0,392×0,392×10 мм3 в кристалле CsI:Tl в области размером 7×7 мм2. Недостатком данного способа является его ограниченная производительность. Время обработки кристалла пропорционально числу ячеек, а время обработки одной ячейки ограниченно риском разрушения кристалла из-за его перегревания. Поэтому обычно размеры таких экранов составляют не больше 20×20 ячеек.

Также известен способ получения высокоаспектных микроструктур в неорганических соединениях типа хлорида натрия посредством радиационно-индуцированной абляции при облучении мягким рентгеновским излучением через трафаретную маску [Katoh, Т. & Zhang, Y. (1998), 'High aspect ratio micromachining by synchrotron radiation direct photo-etching', Microsystem Technologies 4(3), 135-138.].

Все существующие работы по получению высокоаспектных микроструктур радиационно-индуцированной абляцией проводились посредством облучения фотонами на синхротронных источниках излучения. Только синхротронные источники могут обеспечить необходимую яркость в нужном спектре излучения. Однако, источники синхротронного излучения - это большие установки отличающиеся дорогостоящем операционным временем.

Известно, что облучение электронами оказывает на фторполимеры схожее действие С облучением рентгеном [Wheeler, D.R. & Pepper, S.V. (1990), 'X-ray photoe-lectron and mass spectroscopic study of electron irradiation and thermal stability of polytetrafluoro-ethylene', Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 8(6), 4046-4056.], поэтому было предложено использовать электронно-лучевое облучение вместо рентгеновского.

Также нужно отметить, что использование трафаретных масок накладывает ограничения на выбор топологии. Существует способ [Vladimirsky, Y.; Vladimirsky, О. & Saile, Y. (1994), High aspect ratio microstructures and methods for manufacturing microstructures, Patent US 6093520], который позволяет создавать произвольную топологию без использования несущих мембран. В этом способе шаблон формируется непосредственно на образце.

Предложенный способ предполагает использование радиционно-индуцированной абляции. То есть для получения высокоаспектных микроструктур не используются химически активные вещества и не предполагается изменение химического состава облученного вещества.

В предложенном способе изготовления высокоаспектных микроструктур - требуемая топология задается трафаретным шаблоном или маской, например, из меди, сформированной непосредственно на облучаемой подложке посредством, например, взрывной литографии. Образец облучается по всей площади потоком электронов. Толщина маски должна быть достаточной, чтобы полностью поглотить падающие частицы. На неприкрытых маской областях происходит радиационно-индуцированная абляция. Закрытые маской области остаются нетронутыми.

Например, при облучении кристалла иодида цезия через никелевую сетку с отверстиями диаметром 120 мкм можно получить поры глубиной до 900 мкм и диаметром до 150 мкм при облучении в течение 30 минут. На кристалле хлорида натрия можно сформировать посредством взрывной литографии топологию из меди толщиной 1 мкм и минимальным топологическим размером 3 мкм, и после электронно-лучевого облучения получить структуры с аспектным отношением больше единицы. В обоих случаях используется электронная пушка с ускоряющим напряжением 10 кВ и током до 20 мА для облучения образца диаметром до 60 мм.

Похожие патенты RU2702798C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ ЭКРАНОВ ДЛЯ ВИЗУАЛИЗАЦИИ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2003
  • Шульгин Б.В.
  • Черепанов А.Н.
  • Иванов В.Ю.
  • Нешов Ф.Г.
  • Ушаков Ю.А.
  • Королева Т.С.
  • Кидибаев М.М.
RU2243573C1
СЦИНТИЛЛЯТОР ДЛЯ ВИЗУАЛИЗАЦИИ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2003
  • Шульгин Б.В.
  • Черепанов А.Н.
  • Иванов В.Ю.
  • Петров В.Л.
  • Королева Т.С.
  • Кидибаев М.М.
RU2242025C1
ЛИТОГРАФИЧЕСКАЯ МАСКА ДЛЯ LIGA-ТЕХНОЛОГИИ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2007
  • Генцелев Александр Николаевич
  • Гольденберг Борис Григорьевич
  • Елисеев Владимир Сергеевич
  • Кондратьев Владимир Иванович
  • Петрова Екатерина Владимировна
  • Пиндюрин Валерий Федорович
RU2350995C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛИТОГРАФИЧЕСКОЙ МАСКИ ДЛЯ LIGA-ТЕХНОЛОГИИ 2007
  • Генцелев Александр Николаевич
  • Гольденберг Борис Григорьевич
  • Кондратьев Владимир Иванович
  • Петрова Екатерина Владимировна
RU2350996C1
СЦИНТИЛЛЯТОР ДЛЯ ВИЗУАЛИЗАЦИИ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2004
  • Черепанов А.Н.
  • Шульгин Б.В.
  • Королева Т.С.
  • Педрини Кристиан
  • Дюжарден Кристоф
RU2261459C1
Способ получения микроструктур на поверхности полупроводника 2020
  • Железнов Вячеслав Юрьевич
  • Малинский Тарас Владимирович
  • Миколуцкий Сергей Иванович
  • Рогалин Владимир Ефимович
  • Филин Сергей Александрович
  • Хомич Юрий Владимирович
  • Ямщиков Владимир Александрович
  • Каплунов Иван Александрович
  • Иванова Александра Ивановна
RU2756777C1
Способ изготовления дисковых секторов для захвата, удержания и анализа магнитных микрочастиц и меченных ими биологических объектов на поверхности спиновых вентилей с помощью фемтосекундного лазерного облучения 2019
  • Алдошин Сергей Михайлович
  • Палий Андрей Владимирович
  • Моргунов Роман Борисович
  • Коплак Оксана Вячеславовна
  • Безверхний Александр Иванович
RU2704972C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АЛМАЗНОЙ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКИ 2016
  • Степанов Андрей Львович
  • Нуждин Владимир Иванович
  • Валеев Валерий Фердинандович
  • Галяутдинов Мансур Фаляхутдинович
  • Курбатова Надежда Васильевна
  • Воробьев Вячеслав Валерьевич
  • Осин Юрий Николаевич
RU2659702C2
СПОСОБ АНИЗОТРОПНОГО ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МИКРОСТРУКТУР В ЦИКЛИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ НИТРИДИЗАЦИЯ-ТРАВЛЕНИЕ 2022
  • Аверин Сергей Николаевич
  • Кузьменко Виталий Олегович
  • Лукичев Владимир Федорович
  • Мяконьких Андрей Валерьевич
  • Руденко Константин Васильевич
  • Семин Юрий Федорович
RU2796239C1
Способ испытаний изделий электронной техники к воздействию тяжелых заряженных частиц космического пространства на основе источника сфокусированного импульсного жесткого фотонного излучения на эффекте обратного комптоновского рассеяния 2020
  • Емельянов Владимир Владимирович
  • Озеров Александр Иванович
  • Ватуев Александр Сергеевич
  • Усеинов Рустэм Галеевич
  • Алексеев Иван Александрович
RU2751455C1

Реферат патента 2019 года Способ изготовления высокоаспектных микроструктур

Изобретение относится к микросистемной технике и технологии, а именно к изготовлению высокоаспектных микроструктур, и может быть использовано для изготовления структурированных сцинтилляционных экранов. Способ изготовления высокоаспектных микроструктур заключается в радиационно-индуцированной абляции, при этом используется корпускулярное ионизирующее излучение. Технический результат – получение высокоаспектных микроструктур без использования химически активного вещества.

Формула изобретения RU 2 702 798 C1

Способ изготовления высокоаспектных микроструктур, заключающийся в радиационно-индуцированной абляции, отличающийся тем, что используется корпускулярное ионизирующее излучение.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2019 года RU2702798C1

Y
Seki, Y
Furuta and etc
Electroplating using high-aspect-ratio microstructures fabricated by proton beam writing
Пюпитр для работы на пишущих машинах 1922
  • Лавровский Д.П.
SU86A1
СПОСОБ, КОМПЬЮТЕРНАЯ СИСТЕМА И КОМПЬЮТЕРНЫЙ ПРОГРАММНЫЙ ПРОДУКТ ДЛЯ НАСТРОЙКИ ВИРТУАЛЬНОГО ПРЕДСТАВЛЕНИЯ КОМПОНОВКИ МНОЖЕСТВА КОМПОНЕНТОВ 2002
  • Бинсер Анда
  • Ранруп Томас
RU2324975C2
US 6673254 B1, 06.01.2004
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОБЪЕМНОЙ ПРОВОДЯЩЕЙ СТРУКТУРЫ 2002
  • Гурович Б.А.
  • Кулешова Е.А.
  • Долгий Д.И.
RU2205469C1

RU 2 702 798 C1

Авторы

Лемзяков Алексей Георгиевич

Даты

2019-10-11Публикация

2018-08-20Подача