ГИБКИЕ ВТСП ТОКОПРОВОДЫ Российский патент 2023 года по МПК H01B12/06 

Описание патента на изобретение RU2795238C2

Область изобретения

Настоящее изобретение относится к сверхпроводниковым устройствам. В частности, настоящее изобретение относится к токопроводам, содержащим высокотемпературный сверхпроводник.

Предпосылки изобретения

Сверхпроводящие материалы обычно подразделяются на «высокотемпературные сверхпроводники» (ВТСП) и «низкотемпературные сверхпроводники» (НТСП). НТСП-материалы, такие как Nb и NbTi, являются металлами или металлическими сплавами, сверхпроводимость которых может быть описана теорией Бардина-Купера-Шриффера (БКШ). Все низкотемпературные сверхпроводники имеют критическую температуру (температуру, выше которой материал не может быть сверхпроводящим даже в нулевом магнитном поле) ниже примерно 30 K. Поведение ВТСП-материала не описывается теорией БКШ, и такие материалы могут иметь критические температуры выше 30K (хотя следует отметить, что именно физические различия в составе и работе в режиме сверхпроводимости, а не критическая температура, определяют ВТСП-материал). Наиболее часто используемые ВТСП являются «купратными сверхпроводниками» - керамикой на основе купратов (соединений, содержащих группу оксида меди), например, BSCCO или ReBCO (где Re является редкоземельным элементом, обычно Y или Gd). Другие ВТСП-материалы включают пниктиды железа (например, FeAs и FeSe) и диборат магния (MgB2).

ReBCO обычно изготавливают в виде лент со структурой, показанной на фигуре 1. Такая лента 100 обычно имеет толщину приблизительно 100 микрометров и включает в себя подложку 101 (обычно - электрополированный хастеллой толщиной приблизительно 50 микрометров), на которую методом ионно-лучевого осаждения (IBAD), магнетронного напыления или другим подходящим методом нанесена последовательность буферных слоев, известная как буферный пакет 102, с приблизительной толщиной 0,2 микрометра. Эпитаксиальный слой 103 ВТСП-ReBCO (нанесенный методом химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD) или другим подходящим методом) покрывает буферный пакет и обычно имеет толщину 1 микрометр. На слой ВТСП методом магнетронного напыления или другим подходящим методом нанесен слой 104 серебра толщиной 1-2 микрометра, и на ленту гальваническим или другим подходящим методом нанесен стабилизирующий слой 105 меди, который часто полностью инкапсулирует ленту.

Подложка 101 обеспечивает механическую основу, которая может подаваться по производственной линии и позволяет выращивать последующие слои. Буферный пакет 102 требуется для обеспечения биаксиально текстурированного кристаллического шаблона, на котором будет расти слой ВТСП, и предотвращает химическую диффузию элементов из подложки в ВТСП, что нарушает его сверхпроводящие свойства. Слой 104 серебра требуется для обеспечения перехода с низким сопротивлением от ReBCO к стабилизирующему слою, а стабилизирующий слой 105 обеспечивает альтернативный путь тока в случае, если какая-нибудь часть ReBCO перестает быть сверхпроводящей (переходит в «нормальное» состояние).

Общая проблема при проектировании сверхпроводящих систем, таких как магниты, состоит в получении больших токов при криогенных температурах с минимальной тепловой нагрузкой на криогенную среду. Обычно большой ток генерируется при комнатной температуре (т.е. вне криогенной среды) и переносится в криостат по токопроводам (токовводам). Токопроводы обычно представляют собой сочетание меди (для температур около 300K), латуни (для температур от 300 K до 77 K) и высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) (для температур ниже 77 K). Токопроводы могут также применяться для переноса тока в областях системы при одной температуре.

Можно применить другие решения, например, с импульсным источником питания, который передает мощность в криостат, но они обычно будут по-прежнему включать в себя ВТСП-токопроводы между источником питания и сверхпроводящей системой.

ВТСП-токопроводы могут быть либо жесткими, либо гибкими. Жесткие токопроводы могут создавать механические проблемы из-за термической усадки при охлаждении криостата. Гибкие токопроводы требуют бережного обращения, так как ВТСП-лента будет трескаться, если сгибать ее со слишком малым радиусом, и будет иметь сниженный критический ток, если она испытывает деформацию вследствие изгиба во время работы.

Сущность изобретения

В соответствии с первым аспектом предлагается ВТСП-токопровод. ВТСП-токопровод содержит ВТСП-кабель, содержащий множество ВТСП-лент; оплетку вокруг ВТСП-кабеля; и материал-стабилизатор, пропитывающий ВТСП-кабель и оплетку. Материал-стабилизатор имеет температуру плавления выше критической температуры ВТСП-лент и ниже температуры термической деградации ВТСП-лент.

В соответствии со вторым аспектом предлагается способ изготовления ВТСП-токопровода. Обеспечивают ВТСП-кабель, содержащий множество ВТСП-лент. Размещают оплетку вокруг кабеля. Размещают герметичную оболочку вокруг оплетки. Наполняют герметичную оболочку материалом-стабилизатором, причем материал-стабилизатор имеет температуру плавления выше критической температуры ВТСП-лент и ниже температуры термической деградации ВТСП-лент. Наполняют герметичную оболочку.

В соответствии с третьим аспектом предлагается способ изменения формы ВТСП-токопровода по первому аспекту и дополнительно содержащего герметичную оболочку вокруг материала-стабилизатора. Нагревают ВТСП-токопровод до температуры выше температуры плавления материала-стабилизатора и ниже температуры деградации ВТСП-ленты. Изгибают ВТСП-токопровод до требуемой формы. Позволяют ВТСП-токопроводу охладиться при поддержании его с требуемой формой.

Краткое описание чертежей

Фигура 1 - схематическое изображение ВТСП-ленты;

Фигура 2 - схематическое изображение примерной конструкции ВТСП-токопровода;

Фигура 3 - схематическое изображение примерной конструкции ВТСП-токопровода, содержащего наконечники.

Подробное описание

Конструкция ВТСП-токопровода показана на фигуре 2. ВТСП-токопровод содержит множество ВТСП-лент 201, которые удерживаются в оплетке 202. Ленты 201 и оплетка 202 заключены в воске 203, который удерживается на месте оболочкой 204.

ВТСП-ленты могут быть собраны стопкой (т.е. все параллельны) или организованы в кабель в некоторой другой ориентации (например, скрученные стопки или плетеные кабели).

Оплетка делает токопровод более объемным, а это означает, что намного труднее согнуть токопровод с радиусом изгиба, который причинил бы повреждение лентам, по сравнению с изгибанием одного лишь кабеля. Оплетка может содержать металл, чтобы служить также электрическим «стабилизатором» для ВТСП-лент, т.е. в качестве альтернативного пути тока в случае, если ток по ВТСП-лентам превышает критический ток. Подходящие для оплетки металлы включают латунь или медь, и нити из этого металла могут быть покрыты другим металлом, например, свинцово-оловянным (PbSn) припоем (для низкотемпературной пайки).

Оплетка может быть выполнена с возможностью полного предотвращения изгиба с радиусом кривизны меньше некоторого значения.

Воск служит сохранению конструктивной стабильности токопровода во время обращения с системой и во время работы сверхпроводящей системы. Токопровод можно нагреть до расплавления воска, чтобы его можно было изогнуть для придания требуемой формы, а затем позволить охладиться, сохраняя данную форму. Подходящие воски будут иметь температуру плавления выше предполагаемой температуры эксплуатации токопровода (например, 77 K или критической температуры ВТСП-лент) или выше комнатной температуры (290 K, чтобы обеспечить их стабильность при комнатной температуре), но ниже температуры деградации ВТСП (т.е. температуры, при которой происходило бы необратимое повреждение ВТСП, обычно около 200°C). Если температура плавления оплетки, оболочки или любого припоя в ВТСП-токопроводе составляет ниже температуры деградации ВТСП, то температура плавления воска может быть также ниже нее, или же тепло можно подводить таким образом, чтобы предотвратить достижение компонентами с меньшими температурами плавления той же температуры, что и воск (например, исключая паяные зоны).

Хотя воск применяется в данном случае в качестве примера, другие вещества с температурой плавления выше комнатной температуры и ниже температуры деградации ВТСП также будут пригодны для применения в качестве материалов-стабилизаторов для пропитки ВТСП-токопровода.

Свойства воска в ходе криогенного охлаждения также можно учитывать, так как некоторые воски будут разрушаться до порошка при охлаждении до криогенных температур и нагревании обратно до комнатной температуры, и будут непригодны для тех применений, при которых ожидаются циклы охлаждения и нагревания (но будут пригодны для устройств, постоянно поддерживаемых при криогенных температурах). Воски, которые хорошо работают при криогенных температурах, можно определить обычным экспериментальным путем.

Жесткость воска при комнатной температуре и при криогенных температурах также будет учитываться, в зависимости от проектных ограничений системы. Более жесткие воски будут обеспечивать улучшенную защиту конструкции во время эксплуатации (например, от воздействия сил Лоренца), но могут вызывать механические проблемы из-за термической усадки. Более гибкие воски будут обеспечивать меньшую защиту от сил Лоренца, но смогут легче изгибаться для приспосабливания к термической усадке.

Одним воском, который удовлетворяет вышеупомянутым условиям, является пчелиный воск (с температурой плавления 60°C и стабильный на протяжении криогенных циклов). Хотя здесь применяется термин «воск», им может быть также смесь разных восков или других материалов для достижения требуемых свойств.

Оболочка 204 может быть термоусаживающимся материалом, так что при нагреве воска для изменения формы кабеля термоусаживающийся материал будет усаживаться, помогая воску заполнять любые пустоты в конструкции. После того как ВТСП-токопроводу придана форма по месту установки и воск отвердел, оболочку 204 можно снять, при желании, или оставить для дополнительной электрической изоляции.

Многие материалы, которые в ином случае были бы пригодны для обеспечения герметичной оболочки, будут становиться ломкими при криогенных температурах. Следовательно, оболочка 204 может содержать первую оболочку для «комнатной температуры», которая является герметичной при комнатной температуре и при температуре, необходимой для расплавления воска, и вторую «криогенную» оболочку, охватывающую оболочку для «комнатной температуры», которая поддерживает конструктивную целостность при криогенных температурах.

Фигура 3 является схематическим изображением соединения ВТСП-токопровода по фигуре 2 с контактной колодкой. Контактная колодка может применяться для электрического, теплового и конструктивного соединения ВТСП-токопровода с другими компонентами.

ВТСП-токопровод 200 имеет те же компоненты, что и прежде, т.е. ВТСП-ленты 201, оплетку 202, воск 203 и оболочку 204. ВТСП-ленты 201 выходят за пределы оплетки 202 в контактную колодку 300. Дополнительные медные ленты могут быть размещены между ВТСП-лентами таким образом, что они простираются дальше внутрь контактной колодки, и обеспечивают дополнительную медь в случае избыточного тока - контактная колодка, вероятно, будет подвергаться резистивному нагреву, что снизит критический ток лент и приведет к большему риску нарушения сверхпроводимости, и добавочная медь способствует ослаблению данного эффекта.

Контактная колодка может быть образована из верхней 301 и нижней 302 частей, между которыми зажаты ВТСП-ленты. В качестве альтернативы, контактная колодка может быть выполнена в виде единого блока, имеющего выемку или сквозное отверстие для приема ВТСП-лент. Можно также использовать и другие подходящие конструкции. Выемка или сквозное отверстие в контактной колодке (или пространство между двумя частями в примере с зажимом) может охватывать ВТСП-ленты с точностью в пределах 0,1 мм, чтобы позволить им легко припаиваться к контактной колодке.

Оплетка 202 охватывает выступ 303 со стороны контактной колодки, и оболочка 204 также проходит вокруг этого выступа. Оплетка 202, ВТСП-ленты 201 и контактная колодка 300 могут быть соединены низкотемпературной пайкой, например, путем окунания всей колодки и выступов в припой (с обереганием оболочки 204 и воска 203 от контакта с горячим припоем). Припой следует выбирать с температурой плавления ниже температуры деградации ВТСП. На стык между контактной колодкой и оболочкой 204 может быть нанесен герметик.

ВТСП-токопровод, включающий в себя контактные колодки, можно изготавливать с помощью следующих этапов:

1. Разрезают ВТСП-ленты на части заданной длины и собирают в кабель (например, путем укладки в стопку).

2. Насаживают первую контактную колодку на один конец кабеля.

3. Разрезают оплетку на части требуемой длины и надевают на кабель, вплоть до первой контактной колодки и вокруг выступа.

4. Окунают первую контактную колодку в припой, чтобы прикрепить ВТСП-кабель и оплетку друг к другу и к первой контактной колодке.

5. Надевают оболочку на оплетку и герметизируют на конце, смежном с первой контактной колодкой.

6. Заполняют оболочку воском и временно закрепляют на конце, наиболее удаленном от первой контактной колодки, так что данный конец удерживается на некотором расстоянии от места, где будет прикрепляться вторая контактная колодка.

7. Насаживают вторую контактную колодку на свободный конец кабеля и надвигают оплетку на выступ второй контактной колодки.

8. Окунают вторую контактную колодку в припой, чтобы прикрепить ВТСП-кабель и оплетку друг к другу и второй контактной колодке.

9. Сдвигают оболочку на вторую контактную колодку и герметизируют на этом конце.

10. Нагревают сборку, чтобы расплавить воск (и обеспечить усадку термоусаживающегося материала, если таковой применяется для оболочки).

Приведенные этапы можно изменять в зависимости от наконечников, отличающихся от контактных колодок, описанных со ссылкой на фигуру 3. В общем, формирование ВТСП-токопровода потребует выполнения следующих этапов:

1. Обеспечение ВТСП-кабеля, содержащего множество лент.

2. Размещение оплетки вокруг кабеля.

3. Размещение оболочки вокруг оплетки.

4. Наполнение оболочки воском (либо расплавленным, либо в виде гранул).

5. Герметизация оболочки.

6. Расплавление воска, если применялись гранулы.

Данные этапы можно выполнять в ином порядке или разбивать на подэтапы, при необходимости, для соединения ВТСП-кабеля с используемыми наконечниками.

Если используют ВТСП-кабели, содержащие уложенные в стопку ленты (и, потенциально, при других конструкциях кабелей), относительные ориентации контактных колодок будут ограничены близкими к их ориентации тогда, когда кабель изготавливают (например, если контактные колодки параллельны, то они будут оставаться почти параллельными по мере того, как ВТСП-токопровод изгибают). Это обусловлено тем, что значительное изменение относительных ориентаций контактных колодок потребовало бы, чтобы ВТСП-ленты с одной стороны стопки растягивались относительно ВТСП-лент с другой стороны стопки. Это можно смягчить предварительным изгибом ВТСП-кабеля со стопкой лент перед закреплением второй контактной колодки так, чтобы контактные колодки имели требуемую относительную ориентацию.

Похожие патенты RU2795238C2

название год авторы номер документа
СИСТЕМА ИНИЦИИРОВАНИЯ НАРУШЕНИЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТИ ВТСП-МАГНИТА 2019
  • Слэйд, Роберт
RU2784406C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОНТАКТНОГО СОЕДИНЕНИЯ 2019
  • Кумаров Дамир Русланович
  • Сотников Дмитрий Викторович
  • Щербаков Владимир Игоревич
  • Горбунова Дарья Александровна
RU2731750C1
КОНТРОЛЬНО-ИЗМЕРИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ КРИОГЕННОЙ СИСТЕМЫ 2019
  • Бриттлс, Грег
  • Слэйд, Роберт
  • Круип, Марсель
  • Ван Нюгтерен, Бас
RU2745295C1
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ СТЫК С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОТСЛОЕННОГО ReBCO 2018
  • Бриттлс, Грег
RU2738320C1
ДВОЙНЫЕ КАТУШКИ ПОЛОИДАЛЬНОГО ПОЛЯ 2018
  • Бакстон, Питер
RU2772438C2
СВЯЗАННАЯ С ВТСП ЧАСТИЧНАЯ ИЗОЛЯЦИЯ ДЛЯ ВТСП-КАТУШЕК ВОЗБУЖДЕНИЯ 2020
  • Бриттлс, Грег
RU2818160C1
ЦЕНТРАЛЬНАЯ КОЛОННА ОБМОТКИ ТОРОИДАЛЬНОГО ПОЛЯ 2019
  • Слэйд, Роберт
RU2742716C1
БЫСТРЫЙ СБРОС ЧАСТИЧНО ИЗОЛИРОВАННОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАГНИТА 2019
  • Слэйд, Роберт
  • Ван Нюгтерен, Бас
RU2799587C2
ОБМОТКА ТОРОИДАЛЬНОГО ПОЛЯ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ТЕРМОЯДЕРНОМ РЕАКТОРЕ 2014
  • Сайкс Ален
  • Грязневич Михаил
  • Кингэм Дэвид
  • Хоксуорт Дэвид
  • Мелхем Зиад
  • Бол Стивен
RU2643797C2
ЗАЩИТА ОТ НАРУШЕНИЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТИ В СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МАГНИТАХ 2017
  • Нунан, Пол
  • Слэйд, Роберт
RU2754574C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 795 238 C2

Реферат патента 2023 года ГИБКИЕ ВТСП ТОКОПРОВОДЫ

Настоящее изобретение относится к сверхпроводниковым устройствам. В соответствии с первым аспектом предлагается ВТСП-токопровод. ВТСП-токопровод содержит ВТСП-кабель, содержащий множество ВТСП-лент, оплетку, охватывающую ВТСП-кабель, и материал-стабилизатор, пропитывающий ВТСП-кабель и оплетку. Материал-стабилизатор имеет температуру плавления выше критической температуры ВТСП-лент и ниже температуры термической деградации ВТСП-лент. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 3 ил.

Формула изобретения RU 2 795 238 C2

1. Высокотемпературный сверхпроводящий (ВТСП) токопровод, содержащий:

ВТСП-кабель, содержащий множество ВТСП-лент;

оплетку вокруг ВТСП-кабеля;

материал-стабилизатор, пропитывающий ВТСП-кабель и оплетку, причем материал-стабилизатор имеет температуру плавления выше 290 K и ниже температуры термической деградации ВТСП-лент.

2. ВТСП-токопровод по п. 1, в котором материал-стабилизатор является воском.

3. ВТСП-токопровод по любому предыдущему пункту, в котором оплетка содержит металл и электрически соединена с ВТСП-кабелем.

4. ВТСП-токопровод по п. 3, в котором металлом является медь или латунь.

5. ВТСП-токопровод по любому предыдущему пункту, также содержащий соответствующую контактную колодку на каждом конце ВТСП-кабеля, причем каждая контактная колодка электрически соединена с ВТСП-лентой и предназначена для электрического соединения с внешними компонентами.

6. ВТСП-токопровод по п. 5, в котором каждая контактная колодка припаяна к ВТСП-кабелю.

7. ВТСП-токопровод по п. 5 или 6, в котором каждая контактная колодка прикреплена к оплетке.

8. ВТСП-токопровод по п. 6, в котором каждая контактная колодка припаяна к оплетке.

9. ВТСП-токопровод по п. 7 или 8, в котором каждая контактная колодка содержит выступ, проходящий вокруг участка ВТСП-кабеля, и оплетка проходит вокруг выступа.

10. ВТСП-токопровод по любому предыдущему пункту, также содержащий герметичную оболочку, охватывающую материал-стабилизатор.

11. ВТСП-токопровод по п. 10, в котором герметичная оболочка является съемной.

12. ВТСП-токопровод по п. 10, в котором герметичная оболочка содержит внутреннюю оболочку, образованную из герметичного материала, и внешнюю оболочку, образованную из материала, который поддерживает конструктивную целостность после охлаждения до температуры ниже 77 K.

13. Способ изготовления ВТСП-токопровода, содержащий:

обеспечение ВТСП-кабеля, содержащего множество ВТСП-лент;

размещение оплетки вокруг кабеля;

размещение герметичной оболочки вокруг оплетки;

наполнение герметичной оболочки материалом-стабилизатором, причем материал-стабилизатор имеет температуру плавления выше 290 K и ниже температуры термической деградации ВТСП-лент;

герметизацию герметичной оболочки.

14. Способ по п. 13, в котором этап наполнения герметичной оболочки материалом-стабилизатором содержит:

введение гранул материала-стабилизатора в герметичную оболочку;

расплавление гранул.

15. Способ по п. 13 или 14, также содержащий прикрепление кабеля к контактной колодке на по меньшей мере одном конце.

16. Способ по п. 15, также содержащий прикрепление оплетки к контактной колодке.

17. Способ по п. 16, в котором прикрепление оплетки и кабеля к контактной колодке содержит совместное окунание контактной колодки, участка кабеля и участка оплетки в ванну с припоем.

18. Способ по любому из пп. 15-17, также содержащий изгибание ВТСП-кабеля перед прикреплением второй контактной колодки к ВТСП-кабелю таким образом, чтобы первая и вторая контактные колодки находились под углом относительно друг друга после прикрепления.

19. Способ по любому из пп. 13-18, в котором герметичная оболочка образована из термоусаживающегося материала, также содержащий нагревание герметичной оболочки после этапа наполнения герметичной оболочки материалом-стабилизатором, чтобы расплавить материал-стабилизатор и усаживать оболочку.

20. Способ изменения формы ВТСП-токопровода, содержащего:

ВТСП-кабель, содержащий множество ВТСП-лент;

оплетку вокруг ВТСП-кабеля;

материал-стабилизатор, пропитывающий ВТСП-кабель и оплетку, причем материал-стабилизатор имеет температуру плавления выше критической температуры ВТСП-ленты и ниже температуры термической деградации ВТСП-лент;

герметичную оболочку, герметизирующую материал-стабилизатор;

причем способ содержит:

нагрев ВТСП-токопровода до температуры выше температуры плавления материала-стабилизатора и ниже температуры деградации ВТСП-ленты;

изгибание ВТСП-токопровода до требуемой формы; и

обеспечение возможности ВТСП-токопроводу охлаждаться при поддержании его с требуемой формой.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2023 года RU2795238C2

Способ применения цитрогипса в качестве грунта для выращивания растений 2023
  • Никулин Иван Сергеевич
  • Тохтарь Валерий Константинович
  • Тохтарь Людмила Анатольевна
  • Воропаев Валерий Сергеевич
  • Третьяков Михаил Юрьевич
  • Зеленкова Виктория Николаевна
  • Жиляева Наталья Васильевна
  • Титенко Алексей Анатольевич
RU2806430C1
US 2008194411 А1, 14.08.2008
US 2005173149 A1, 11.08.2005
US 2016240286 A1, 18.08.2016
JP 5789696 B1, 07.10.2015
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ПРОВОД И СВЕРХПРОВОДЯЩАЯ КАТУШКА 2013
  • Даибо,Масанори
RU2575664C1

RU 2 795 238 C2

Авторы

Ван Нюгтерен, Бас

Бриттлс, Грег

Даты

2023-05-02Публикация

2019-08-30Подача